AT24C02是由ATMEL公司提供的,IIC总线串行EEPROM(electronic eraser programmer read only memory),其容量为2kbit(256B),工作电压在2.7v"5.5v之间,生产工艺是CMOS。
一般数字芯片都在左下角和右上角为GND,VCC。容量的计算方法:AT24Cxx :01"1024
容量 = xx * 1kbit。
写入过程:
AT24C系列EEPROM芯片的固定部分为1010,A2,A1,A0引脚接高低电平后得到确定的3位编码,形成7位编码即为该器件的地址码。
单片机进行写操作时,首先发送该器件的7位地址码和写方向位”0”(共8位,即一个字节),发送完后释放SDA线并在SCL线上产生第9个时钟信号。被选中的存储器器件在确认是自己的地址后,在SDA线上产生一个应答信号作为响应,单片机收到应答后就可以传送数据了。传送数据时,单片机首先发送一个字节的被写入存储器的首地址,收到存储器器件的应答后,单片机就逐个发送数据字节,但每发送一个字节后都要等待应答。AT24C系列片内地址在接收到每一个数据字节地址后自动加1,在芯片的“一次装载字节数”限度内,只需输入首地址。装载字节数超过芯片的“一次装载字节数”时,数据地址将“上卷”,前面的数据将被覆盖。
字节写:
页写:
读入过程:
单片机先发送该器件的7位地址码和写方向位“0”(“伪写”),发送完后释放SDA线并在SCL线上产生第9个时钟信号。被选中的存储器器件在确认是自己的地址后,在SDA线上产生一个应答信号作为回应。
然后,再发一个字节的要读出器件的存储区的首地址,收到应答后,单片机要重复一次起始信号并发出器件地址和读方向位(“1”),收到器件应答后就可以读出数据字节,每读出一个字节,单片机都要回复应答信号。当最后一个字节数据读完后,单片机应返回以“非应答”(高电平),并发出终止信号以结束读出操作。
当前地址读:
随机读:
有序读:
IIC总线模拟时序图:
IIC总线应答时序图:
设备地址:
写周期:
两次写之间要有一个10ms的twR间隔
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/f483304d66c79d646ed809a49ba050af.gif)
一般数字芯片都在左下角和右上角为GND,VCC。容量的计算方法:AT24Cxx :01"1024
容量 = xx * 1kbit。
写入过程:
AT24C系列EEPROM芯片的固定部分为1010,A2,A1,A0引脚接高低电平后得到确定的3位编码,形成7位编码即为该器件的地址码。
单片机进行写操作时,首先发送该器件的7位地址码和写方向位”0”(共8位,即一个字节),发送完后释放SDA线并在SCL线上产生第9个时钟信号。被选中的存储器器件在确认是自己的地址后,在SDA线上产生一个应答信号作为响应,单片机收到应答后就可以传送数据了。传送数据时,单片机首先发送一个字节的被写入存储器的首地址,收到存储器器件的应答后,单片机就逐个发送数据字节,但每发送一个字节后都要等待应答。AT24C系列片内地址在接收到每一个数据字节地址后自动加1,在芯片的“一次装载字节数”限度内,只需输入首地址。装载字节数超过芯片的“一次装载字节数”时,数据地址将“上卷”,前面的数据将被覆盖。
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页写:
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读入过程:
单片机先发送该器件的7位地址码和写方向位“0”(“伪写”),发送完后释放SDA线并在SCL线上产生第9个时钟信号。被选中的存储器器件在确认是自己的地址后,在SDA线上产生一个应答信号作为回应。
然后,再发一个字节的要读出器件的存储区的首地址,收到应答后,单片机要重复一次起始信号并发出器件地址和读方向位(“1”),收到器件应答后就可以读出数据字节,每读出一个字节,单片机都要回复应答信号。当最后一个字节数据读完后,单片机应返回以“非应答”(高电平),并发出终止信号以结束读出操作。
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有序读:
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IIC总线模拟时序图:
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IIC总线应答时序图:
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设备地址:
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写周期:
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两次写之间要有一个10ms的twR间隔