(转载)常见的差分(动)阻抗计算模型（CITS25 软件）

转载：（https://blog.csdn.net/metersun/article/details/38542215）

 

差分线阻抗模型类同于单端线，最大的区别在于，差分线阻抗模型

多了一个参数S1，即差分阻抗线之间的距离(边缘与边缘的距离？)((注意S<2W))。

里面的单位都是统一单位

1. Edge-coupled Surface Microstrip 1B

适用范围:

外层无阻焊(阻焊前)差分阻抗计算。

这个模型比下面包含阻焊的模型更常用。

由于在外层，其线路层铜厚则为基板铜厚+电镀铜厚(使用Core时)；
或当表层使用单独铜箔时，则为成品铜箔厚度。

参数说明:

H1:线路层到较近参考层VCC/GND间距离

W2:阻抗线上线宽

W1:阻抗线下线宽

S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)

T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚+电镀铜厚

Er1:介质层介电常数

2.Edge-coupled Coated Microstrip  1B

适用范围:

外层阻焊差分阻抗计算。

由于在外层，其线路层铜厚则为基板铜厚+电镀铜厚(使用Core时)；

或当表层使用单独铜箔时，则为成品铜箔厚度。

参数说明:

H1:线路层到较近参考层VCC/GND间距离

W2:阻抗线上线宽

W1:阻抗线下线宽

S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)

T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚+电镀铜厚

Er1:介质层介电常数

CEr1:阻焊介电常数

C1:基材阻焊厚度

C2:线面阻焊厚度(后加工)

C3:差分阻抗线间阻焊厚度

3.Edge-coupled Embedded Microstrip 1B1A

适用范围:

与外层相邻的第二个线路层阻抗计算，例如一个6层板，L1、L2

均为线路层，L3为参考层(GND/VCC)，那么L2层的阻抗计算

使用此方式。

另外由于在内层，其线路层铜厚则为基板铜厚(Core)，而非表

层微带线的基板铜厚+电镀铜厚，这一点要注意。

参数说明:

H1:外层到参考层VCC/GND间的介质厚度

H2:外层到第二个线路层的介质厚度+第二个线路层铜厚

W2:阻抗线上线宽

W1:阻抗线下线宽

S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)

T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚

Er1:介质层介电常数(线路层到相邻参考层间介质常数)

Er2:介质层介电常数(外层到第二个线路层间介质常数)

4.Edge-coupled Offset stripline 1B1A 

适用范围:

   Edge-coupled Offset stripling--差分非对称带状线 1B1A。

夹在两个GND(或VCC)之间的线路层的阻抗计算，即一个线路层，

它的上下两层均为参考层，那么这个线路层的阻抗计算适用此

模型。注意这个为带状线。

另外由于在内层，其线路层铜厚则为基板铜厚(Core)，而非表

层微带线的基板铜厚+电镀铜厚，这一点要注意。

参数说明:

H1:线路层到较近参考层VCC/GND间距离(注意不同于上面的介质厚度)

H2:线路层到较远参考层VCC/GND间间距(注意不同于上面的介质厚度)

W2:阻抗线上线宽

W1:阻抗线下线宽

S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)

T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚

Er1:介质层介电常数(线路层到较近参考层间介质常数)

Er2:介质层介电常数(线路层到较远参考层间介质常数)

5. Edge-coupled Offset stripline 1B2A

适用范围:

 两个参考层(VCC/GND)夹两个线路层的阻抗计算，例如一个6层板，

L2、L5层为VCC/GND，线路层L3、L4的阻抗计算。

使用此方式。

另外由于在内层，其线路层铜厚则为基板铜厚(Core)，而非表

层微带线的基板铜厚+电镀铜厚，这一点要注意。

参数说明:

H1:线路层1到较近参考层VCC/GND间距离

H2:线路层1到线路层2间距+线路层1和线路层2铜厚

H3:线路层2到较远参考层VCC/GND间距离

W2:阻抗线上线宽

W1:阻抗线下线宽

S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)

T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚

Er1:介质层介电常数(线路层1到较近参考层间介质常数)

Er2:介质层介电常数(线路层1到线路层2间介质常数)

Er3:介质层介电常数(线路层2到较远参考层间介质常数)

6.Edge-coupled Offset stripline 1B1A2R

适用范围:

 两个参考层(VCC/GND)夹两个线路层的阻抗计算，例如一个6层板，

L2、L5层为VCC/GND，线路层L3、L4的阻抗计算。

使用此方式。

另外由于在内层，其线路层铜厚则为基板铜厚(Core)，而非表

层微带线的基板铜厚+电镀铜厚，这一点要注意。

参数说明:

H1:线路层1到较近参考层VCC/GND间距离

H2:线路层1到线路层2间距+线路层1和线路层2铜厚

H3:线路层2到较远参考层VCC/GND间距离

W2:阻抗线上线宽

W1:阻抗线下线宽

S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)

T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚

Er1:介质层介电常数(线路层1到较近参考层间介质常数)

Er2:介质层介电常数(线路层1到线路层2间介质常数)

Er3:介质层介电常数(线路层2到较远参考层间介质常数)

REr:差分阻抗线间填充树脂的介电常数

7.Edge-coupled Coated Microstrip 2B和Edge-coupled Offset Stripline 2B2A

7.1 Edge-coupled Coated Microstrip:  

例如一个4层板，L1层需要做阻抗控制，L2层为线路层，

L3层为VCC/GND。

7.2 Edge-coupled Offset Stripline 2B2A:

比如一个8层板，L4需要做阻抗控制，L2、L6层为参考层VCC/GND，

L3、L5为线路层。