电子元器件基础知识之晶闸管(一)

晶闸管俗称可控硅,它的种类很多,但主要可分为单向晶闸管和双向晶闸管。单向晶闸管类似于二极管,只能在一个方向导通,而双向晶闸管双向都能导通。常见的晶闸管实物外形如下图所示。

电子元器件基础知识之晶闸管(一)

一、晶闸管(SCR)

晶体闸流管简称晶闸管,也称为可控硅整流元件(SCR),是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性,它只有导通和关断两种状态。

晶闸管的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪声;效率高,成本低等。因此,特别是在大功率UPS供电系统中,晶闸管在整流电路、静态旁路开关、无触点输出开关等电路中得到广泛的应用。晶闸管的弱点:静态及动态的过载能力较差,容易受干扰而误导通。晶闸管从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。

二、普通晶闸管的结构和工作原理

晶闸管是PNPN四层三端器件,共有三个PN结。分析原理时,可以把它看作是由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图1(a)所示,图1(b)为晶闸管的电路符号。

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晶闸管的工作过程

晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管。

当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此是两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流分别为IC1和IC2,发射极电流相应为Ia和Ik,电流放大系数相应为α1=IC1/Ia和α2=IC2/Ik,设流过J2结的反相漏电流为ICO,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:

Ia=IC1+IC2+ICO

=α1Ia+α2Ik+ICO

(1) 若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为:Ik=Ia+Ig。

(2)硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数α1和α2随其发射极电流的改变而急剧变化。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未接受电压的情况下,式(1)中Ig=0,(α1+α2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈ICO,晶闸管处于正向阻断状态;当晶闸管在正向门极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高放大系数α2,产生足够大的集电极电流IC2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数α1,产生更大的集电极电流IC1流经NPN管的发射结,这样强烈的正反馈过程迅速进行。

当α1和α2随发射极电流增加而使得(α1+α2)≈1时,式(1)中的分母1-(α1+α2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia。这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定,晶闸管已处于正向导通状态。晶闸管导通后,式(1)中1-(α1+α2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通,门极已失去作用。在晶闸管导通后,如果不断地减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于α1和α2迅速下降,晶闸管恢复到阻断状态。晶闸管的工作条件

由于晶闸管只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,此条件见表1。

电子元器件基础知识之晶闸管(一)

(1)晶闸管承受反向阳极电压时,无论门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。

(2)晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。

(3)晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,无论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。

(4)晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。 3 晶闸管的伏安特性和主要参数 3.1晶闸管的伏安特性

晶闸管阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性,如图2所所示。正向特性位于第一象限,反向特性位于第三象限。

电子元器件基础知识之晶闸管(一)

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Comsol是一种多物理场建模和仿真软件,可以用于模拟各种电子元件的行为,其中包括晶闸管晶闸管是一种半导体器件,用于控制电流。它由四层PNPN结构组成,即两个P型区域夹着两个N型区域。晶闸管工作时,当一个触发电压施加在控制极上,晶闸管就会进入导通状态,并允许电流流动。与普通二极管不同,晶闸管是可控制的,可以通过控制极上的电压来改变导通的时间和电流。 在Comsol中,我们可以使用电子器件模块来建立晶闸管模型。首先,我们需要选择一个合适的材料模型来描述晶闸管的特性,如PN结的电流-电压曲线。然后,我们可以根据晶闸管的几何形状和材料参数创建几何模型,并在模型中定义适当的边界条件。 在建模过程中,我们还可以使用不同的物理场来分析晶闸管的性能。例如,电磁场模块可以用于研究晶闸管在电磁环境中的电磁干扰和自激振荡问题。热传导模块可以用于分析晶闸管的热效应和散热问题。结构力学模块可以用于分析晶闸管的机械强度和应力分布。通过对这些物理场的建模和仿真,我们可以获得有关晶闸管行为和性能的详细信息,并进一步优化晶闸管的设计和应用。 总之,Comsol是一个功能强大的工具,可以帮助我们建立和分析晶闸管模型,以更深入地了解晶闸管的特性和性能。它为我们提供了一种可视化和定量化晶闸管行为的方法,有助于在电子设备设计和优化中的应用。

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