电力电子技术01 电力电子器件（3）---晶闸管（SCR）、TRIAC与GTO

学习来源（只用于个人学习笔记，建议对着老师视频学习理解更深入）：04 晶闸管 (SCR)、TRIAC、GTO A_哔哩哔哩_bilibili

一、晶闸管的引出及PNPN结

1.晶闸管的引出

晶闸管和三极管的不同

晶闸管和三极管是两种不同类型的半导体器件，它们在功能、特性和应用上有一些不同，因此存在一些优劣之处。

晶闸管（SCR）：

优势：

1. 高功率控制能力：晶闸管可以控制大电流和高电压，适用于需要高功率控制的应用，如电力系统和工业控制。
2. 稳定性好：在导通状态时，晶闸管的电压降和功耗较低，具有较好的稳定性。
3. 工作简单：晶闸管的工作原理相对简单，通常只需一个触发信号就可以实现开关控制。

劣势：

1. 单向导电：晶闸管只能沿一个方向导通电流，不适用于需要双向电流控制的应用。
2. 触发控制复杂：晶闸管的触发控制需要较高的触发电压和触发电流，相对来说比较复杂。

三极管（BJT）：

优势：

1. 双向导电：三极管可以双向导电，适用于需要双向电流控制的应用。
2. 高频特性好：三极管在高频电路中具有良好的性能，适用于需要高频调节和放大的应用。
3. 触发电路简单：相对于晶闸管，三极管的触发控制电路比较简单。

劣势：

1. 功率控制能力相对较弱：三极管的功率控制能力不如晶闸管强，适用于低功率应用。
2. 饱和压降大：在导通状态时，三极管的饱和压降较大，会产生一定的功耗和热量。
3. 温度敏感：三极管的性能受温度影响较大，在高温环境下容易失效。

功能：类似于机械开关，我按下一次开关，灯就被一直打开。
当然我也可以通过单片机和PLC来实现这个功能。

晶闸管的工作原理

可以使用两个三极管来实现这个功能，一个PNP三极管和一个NPN三极管，只需要Q2的基极Gate处给一个电流，那么这个电路就会一直导通。

闸管（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是一种半导体器件，其工作原理基于PNP结和NPN结之间的耦合和正向反馈效应。晶闸管有三个电极，分别是阳极（A）、阴极（K）、和门极（G）。

晶闸管的工作原理可以简单描述如下：

1. 初始状态：在晶闸管未被触发时，它处于高阻态，相当于一个开路状态。此时，阴极与阳极之间的PN结处于反向偏置。

2. 触发：当在门极施加足够的正脉冲电压时，使得PNP结和NPN结之间出现足够的正反馈，这时晶闸管会被触发。通常，门极施加的电压需要达到或超过晶闸管的触发电压才能使其导通。

3. 导通：一旦晶闸管被触发，它将进入导通状态。在导通状态下，晶闸管的阴极和阳极之间形成低阻通道，允许电流流动。值得注意的是，一旦晶闸管被触发，即使去掉门极的触发信号，它仍然会保持导通状态，直到通过其的电流下降到零或者降至低于维持电流水平以下。

4. 关断：要将晶闸管从导通状态切换到阻断状态，需要将其通电回路中的电流降至零或降至低于维持电流水平以下。这种关断过程通常由外部电路中的负载电流降至零来实现，或者通过施加反向电压到晶闸管的门极来实现。

晶闸管的电路分析

晶闸管的电流关系与其工作状态密切相关。晶闸管处于导通状态时，主要涉及的电流是阳极电流和门极触发电流。在阻断状态下，只有极小的漏电流流过。

1. 导通状态：

   • 阳极电流（IA）：是从晶闸管的阳极到阴极流动的主要电流。在导通状态下，当晶闸管被触发并处于导通状态时，阳极电流可以达到很高的水平，取决于晶闸管的工作条件和外部负载。
   • 门极触发电流（IG）：是用于触发晶闸管的门极电流。当施加足够的门极电流时，可以触发晶闸管的导通，使其从阻断状态切换到导通状态。门极触发电流通常只在触发阶段瞬时存在，触发完成后会停止流动。

2. 阻断状态：

   • 漏电流（ID）：在晶闸管处于阻断状态时，由于少量的载流子的漏流，会存在一个很小的漏电流。这个漏电流通常非常小，可以忽略不计，但在一些特定的应用中可能需要考虑。

I_C1=ICEO1+βI_A（和图片中不同的表示方式）。
ICEO是基级开路时，c到e的漂移电流，ICBO是c和b之间的少子漂移形成的漂移电流。
N电子为多子，P空穴是多子。

2.PNPN结

晶闸管中的PNPN结是晶闸管的核心结构，是其能够实现电流控制的基础。PNPN结由两个PN结组成，形成了一个四层结构，具有正向和反向偏置的特性。下面是对PNPN结的简要介绍：

1. P型区（P-region）：PNPN结的第一层是P型半导体区域，其中的载流子主要是空穴（正电荷）。P型区域通过掺杂或外加电压使其呈现正向偏置状态。

2. N型区（N-region）：PNPN结的第二和第三层是N型半导体区域，其中的载流子主要是自由电子（负电荷）。N型区域通过掺杂或外加电压使其呈现反向偏置状态。

3. PN结（PN-junction）：PNPN结中的两个相邻PN结形成了两个二极管。在正向偏置条件下，P-N结处的空穴（P区域的载流子）会被N区域的自由电子吸引，形成电流；而在反向偏置条件下，P-N结会变为绝缘状态，电流很小。

4. 正反馈特性：PNPN结的最重要特性之一是其正反馈特性。当PNPN结处于导通状态时，它的NPN结和PNP结之间的耦合会产生正反馈，使得导通状态能够得以维持，直到外部条件改变或达到关断条件。

将两个三极管复合得到晶闸管。

在晶闸管两端接电源，两次分别接不同正负的电源。

类似于三极管，再加一个电源，N2和P2之间是电子的扩散运动，有大量电子从P2漂移到N1，这样N1的电子浓度就升高，电子扩散到P1，空穴从P1到N1，此时从P1到N1的空穴被J2空间场捕获漂移到P2，随着J2两侧电子和空穴载流子的积累，J2结正偏，晶闸管导通。
正反馈效应：门极电流的流动会导致PNPN结的NPN结和PNP结之间形成正反馈效应。这个正反馈效应将促使PNPN结保持在导通状态，即使门极电压稍微降低，导通状态也能被维持。

3.晶闸管的介绍

4.晶闸管的封装

二、晶闸管介绍及静、动态特性

1.触发和导通方式

在晶闸管接正向电压的时候，J1J3导通，J2阻断，必须将J2导通，晶闸管才可以正常工作。

正向电压触发

加足够大的正向电压，在J2处是反向电压，在J2相当于二极管的反偏，在J2加了足够大反向电压使其雪崩击穿。

温度触发

温度升高，使其J2附近本征激发，少子电子和另一侧少子空穴的漂移运动加剧，消除J2，最后导通。

dv/dt触发

利用电源正负的电压变化，再加上J2处类似于PN结的电容特性，使器件导通。

光触发

类似温度触发，用特定的材料，当光照J2处时，温度升高，利用温度触发的原理，使晶闸管导通。

门极触发（最重要且常用）

设置一个门极电流，导通晶闸管，只需要导通的时候有就可以了，原理看上一章。

2.静态特性的输出特性

门极电流越大，导通的压降就越小，我觉得是因为，门极电流增大，J2处少子的漂移就加剧，导致J2的阻断削弱，这样我所需要击穿J2的电压就减小。
在没有导通的时候像三极管，导通了就像二极管。

增加门极电流会导致反向饱和电流增加的原因之一是，门极电流增大会增加J1和J3处的少子电子数目，从而增加了少子的漂移运动，因此产生了更大的反向饱和电流。门极电流的增加相当于向PNPN结注入了更多的少子电子，这些电子在J1和J3处参与了反向饱和电流的产生过程。因此，门极电流增加会导致反向饱和电流增加。

3.静态特性的温度特性

晶闸管的温度特性并不是线性变化的，而是非线性的。

4.静态特性的关键参数

擒住电流和维持电流都很小，一般都是毫安级别的，擒住电流是导通，维持电流是关断。

5.动态特性的测试电路

采用正弦交流电。

• 初始导通状态：

  • 在正半周期，当交流电压为正时，晶闸管处于导通状态，通过了触发过程，并且导通电流流过。
  • PNPN结的导通通道已经建立，形成了一个低阻抗路径，允许电流通过。

• 负半周期的关断过程：

  • 当交流电压变为负值时，晶闸管开始进入关断过程。
  • 随着交流电压从正变为负，导通通道中的载流子开始被吸收或重新组合。
  • 随着导通通道的载流子减少，导通电流逐渐减小，直到最终导通电流降为零。
  • 同时，PNPN结处的导通通道也会逐渐消失，导致晶闸管的阻断状态再次建立。

• 阻断状态：

  • 当导通电流降为零时，晶闸管进入了阻断状态。在阻断状态下，晶闸管处于高阻抗状态，几乎不导通电流。

6.导通的动态特性

7.关断的动态特性

两个P区有大量的自由电子要漂移到N区，所以反向电流加大自由电子漂移的差不多后，电流就下降到反向饱和电流大小。
因为加反压肯定恢复开始那个J1J3。
加反偏时J2结耗尽层消失，要重新建立。

• 导通通道的消失：

  • 当交流电压从正变为负时，晶闸管处于导通状态的导通通道开始逐渐消失。
  • 在导通状态下，PNPN结处形成了一个低阻抗通道，允许电流通过。当交流电压变为负时，这个通道中的少子被重新组合或者吸收，从而导致导通通道的消失。
  • 少子的重新组合或吸收导致导通通道逐渐收缩，导通电流逐渐减小，直到最终导通电流降为零。

• 阻断状态的建立：

  • 随着导通通道的消失，晶闸管进入了阻断状态。
  • 在阻断状态下，晶闸管处于高阻抗状态，几乎不导通电流。PNPN结中的J1和J3处的耗尽区逐渐扩展，阻止了电流的进一步通过。
  • 一旦导通通道完全消失，晶闸管就进入了稳定的阻断状态，不再导通电流。

三、TRIAC及其特性

1.TRIAC的引出

TRIAC（双向可控硅触发二极管）是一种双向电流控制器件，类似于两个晶闸管反向并联组合而成。它具有可以控制交流电的能力，既可以在正半周期导通也可以在负半周期导通。在TRIAC中，有三个引脚：

1. 主导通极（MT1）：主导通极是TRIAC的一个主要引脚，用于连接外部负载。主导通极可以看作是TRIAC的阳极，与外部负载串联。

2. 门极（Gate）：门极是用于控制TRIAC导通的引脚。当施加足够的正脉冲到门极时，TRIAC将进入导通状态。门极通常需要一个触发电压，以确保TRIAC可靠地导通。

3. 辅助导通极（MT2）：辅助导通极是TRIAC的另一个主要引脚，用于连接交流电源。它可以看作是TRIAC的阴极。

TRIAC的引出方式允许它控制交流电，既可以控制正半周期的导通也可以控制负半周期的导通。通过适当地施加脉冲到门极，可以使TRIAC在所需的交流周期内导通，从而实现对交流电的控制。这使得TRIAC成为广泛应用于电灯调光、温度控制和电动机速度控制等领域的重要器件。

晶闸管只有在交流电的正电压的时候，才会导通工作，为了在交流电的正负电压都可以导通工作，引出了TRIAC。

2.反向门极控制

GK处加正向电压

GA处加正向电压

3.TRIAC的介绍

通过两个晶闸管的并联解决问题。

4.TRIIC的输出特性

在第一象限和第三象限，对应了正弦交流电正电压和负电压导通的过程。

四、GTO及其特性

1.GTO的引出

GTO（门极可控晶闸管）是一种可控硅器件，其引出与普通的可控硅器件有所不同。GTO的引出方式使其在高功率应用中更为灵活。

1. 门极（Gate）：GTO也有一个门极，用于控制器件的导通和关断。通过施加适当的脉冲信号到门极，可以控制GTO的导通和关断状态。

2. 阳极（Anode）：GTO的阳极是主要的电流引出端。它连接到P型区域。

3. 阴极（Cathode）：GTO的阴极是另一个主要的电流引出端。它连接到N型区域。

4. 辅助极（Auxiliary Gate）：GTO还具有一个辅助极，有时也称为触发极。辅助极用于帮助提高GTO的关断速度和可靠性。通过适当地施加脉冲信号到辅助极，可以加速GTO的关断过程。

5. 绝缘层：GTO的各个引出端通常会通过绝缘层隔离，以防止不同引出端之间发生短路。

GTO的引出方式使得它在高功率应用中更为灵活，能够承受较大的电流和电压。通过适当地控制门极和辅助极，可以实现对GTO的可靠控制，从而实现高效的功率控制和转换，在此例子中是想要实现在负半轴的关断。

GTO（门极可控晶闸管）是一种可控硅器件，可以通过适当的信号控制其导通和关断。

1. 施加负门极电压：要使GTO关断，首先需要向门极施加一个负的门极电压。这个负的门极电压可以是一个适当的脉冲信号，通常由控制电路生成。

2. 降低阳极电流：施加负门极电压后，阳极电流会逐渐减小。通过适当的门极电压控制，可以使阳极电流迅速降至零，从而实现GTO的关断。

2.GTO的介绍

3.GTO和晶闸管的不同

• 双向导通性：GTO（门极可控晶闸管）只能在正向电压下导通，而普通的晶闸管在正向电压下导通时只有单向导通性，即只允许电流在一个方向上流动。

• 关断能力：普通的晶闸管需要施加一个反向电压来迅速清除PN结中的载流子以实现关断。相比之下，GTO通过施加适当的信号到门极来实现关断，因此其关断速度更快，可靠性更高。

• 可控性：GTO具有更好的可控性，可以通过门极信号来精确控制其导通和关断。而普通的晶闸管通常只能通过施加一个正向电压来触发导通，而无法准确地控制其关断。

• 功率损耗：由于GTO具有更好的关断能力和可控性，其在导通和关断时的功率损耗通常比普通的晶闸管更低，这使得GTO在高功率应用中更为适用。

4.GTO的静态输出特性

5.GTO的测试电路

RCD电路可以有以下作用：

1. 限制过电流：在GTO开关过程中，由于电感和电容的存在，RCD电路可以限制电流的上升速度，从而降低过电流的风险。这对于保护GTO和其他电路元件非常重要，特别是在高功率应用中。

2. 减小过电压：过电压可能会在GTO关断时产生，特别是在高速关断时。RCD电路可以通过电阻和电容来吸收和分散这些过电压，从而保护GTO不受损坏。

3. 减小振荡和噪声：GTO开关过程中可能会产生振荡和噪声。RCD电路可以通过阻尼这些振荡和噪声来提高系统的稳定性和可靠性。

4. 保护其他元件：RCD电路不仅可以保护GTO，还可以保护其他与GTO连接的元件，如电源、负载和控制电路。

6.GTO的动态关断