电力电子技术01 电力电子器件（3）---晶闸管（SCR）、TRIAC与GTO

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学习来源（只用于个人学习笔记，建议对着老师视频学习理解更深入）：04 晶闸管 (SCR)、TRIAC、GTO A_哔哩哔哩_bilibili

一、晶闸管的引出及PNPN结

1.晶闸管的引出

晶闸管和三极管的不同

晶闸管和三极管是两种不同类型的半导体器件，它们在功能、特性和应用上有一些不同，因此存在一些优劣之处。

晶闸管（SCR）：

优势：

高功率控制能力：晶闸管可以控制大电流和高电压，适用于需要高功率控制的应用，如电力系统和工业控制。
稳定性好：在导通状态时，晶闸管的电压降和功耗较低，具有较好的稳定性。
工作简单：晶闸管的工作原理相对简单，通常只需一个触发信号就可以实现开关控制。

劣势：

单向导电：晶闸管只能沿一个方向导通电流，不适用于需要双向电流控制的应用。
触发控制复杂：晶闸管的触发控制需要较高的触发电压和触发电流，相对来说比较复杂。

三极管（BJT）：

优势：

双向导电：三极管可以双向导电，适用于需要双向电流控制的应用。
高频特性好：三极管在高频电路中具有良好的性能，适用于需要高频调节和放大的应用。
触发电路简单：相对于晶闸管，三极管的触发控制电路比较简单。

劣势：

功率控制能力相对较弱：三极管的功率控制能力不如晶闸管强，适用于低功率应用。
饱和压降大：在导通状态时，三极管的饱和压降较大，会产生一定的功耗和热量。
温度敏感：三极管的性能受温度影响较大，在高温环境下容易失效。

功能：类似于机械开关，我按下一次开关，灯就被一直打开。
当然我也可以通过单片机和PLC来实现这个功能。

晶闸管的工作原理

可以使用两个三极管来实现这个功能，一个PNP三极管和一个NPN三极管，只需要Q2的基极Gate处给一个电流，那么这个电路就会一直导通。

闸管（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是一种半导体器件，其工作原理基于PNP结和NPN结之间的耦合和正向反馈效应。晶闸管有三个电极，分别是阳极（A）、阴极（K）、和门极（G）。

晶闸管的工作原理可以简单描述如下：

初始状态：在晶闸管未被触发时，它处于高阻态，相当于一个开路状态。此时，阴极与阳极之间的PN结处于反向偏置。
触发：当在门极施加足够的正脉冲电压时，使得PNP结和NPN结之间出现足够的正反馈，这时晶闸管会被触发。通常，门极施加的电压需要达到或超过晶闸管的触发电压才能使其导通。
导通：一旦晶闸管被触发，它将进入导通状态。在导通状态下，晶闸管的阴极和阳极之间形成低阻通道，允许电流流动。值得注意的是，一旦晶闸管被触发，即使去掉门极的触发信号，它仍然会保持导通状态，直到通过其的电流下降到零或者降至低于维持电流水平以下。
关断：要将晶闸管从导通状态切换到阻断状态，需要将其通电回路中的电流降至零或降至低于维持电流水平以下。这种关断过程通常由外部电路中的负载电流降至零来实现，或者通过施加反向电压到晶闸管的门极来实现。

晶闸管的电路分析

晶闸管的电流关系与其工作状态密切相关。晶闸管处于导通状态时，主要涉及的电流是阳极电流和门极触发电流。在阻断状态下，只有极小的漏电流流过。

导通状态：
- 阳极电流（IA）：是从晶闸管的阳极到阴极流动的主要电流。在导通状态下，当晶闸管被触发并处于导通状态时，阳极电流可以达到很高的水平，取决于晶闸管的工作条件和外部负载。
- 门极触发电流（IG）：是用于触发晶闸管的门极电流。当施加足够的门极电流时，可以触发晶闸管的导通，使其从阻断状态切换到导通状态。门极触发电流通常只在触发阶段瞬时存在，触发完成后会停止流动。
阻断状态：
- 漏电流（ID）：在晶闸管处于阻断状态时，由于少量的载流子的漏流，会存在一个很小的漏电流。这个漏电流通常非常小，可以忽略不计，但在一些特定的应用中可能需要考虑。

I_C1=ICEO1+βI_A（和图片中不同的表示方式）。
ICEO是基级开路时，c到e的漂移电流，ICBO是c和b之间的少子漂移形成的漂移电流。
N电子为多子，P空穴是多子。

2.PNPN结

晶闸管中的PNPN结是晶闸管的核心结构，是其能够实现电流控制的基础。PNPN结由两个PN结组成，形成了一个四层结构，具有正向和反向偏置的特性。下面是对PNPN结的简要介绍：

P型区（P-region）：PNPN结的第一层是P型半导体区域，其中的载流子主要是空穴（正电荷）。P型区域通过掺杂或外加电压使其呈现正向偏置状态。
N型区（N-region）：PNPN结的第二和第三层是N型半导体区域，其中的载流子主要是自由电子（负电荷）。N型区域通过掺杂或外加电压使其呈现反向偏置状态。
PN结（PN-junction）：PNPN结中的两个相邻PN结形成了两个二极管。在正向偏置条件下，P-N结处的空穴（P区域的载流子）会被N区域的自由电子吸引，形成电流；而在反向偏置条件下，P-N结会变为绝缘状态，电流很小。
正反馈特性：PNPN结的最重要特性之一是其正反馈特性。当PNPN结处于导通状态时，它的NPN结和PNP结之间的耦合会产生正反馈，使得导通状态能够得以维持，直到外部条件改变或达到关断条件。

将两个三极管复合得到晶闸管。

在晶闸管两端接电源，两次分别接不同正负的电源。

类似于三极管，再加一个电源，N2和P2之间是电子的扩散运动，有大量电子从P2漂移到N1，这样N1的电子浓度就升高，电子扩散到P1，空穴从P1到N1，此时从P1到N1的空穴被J2空间场捕获漂移到P2，随着J2两侧电子和空穴载流子的积累，J2结正偏，晶闸管导通。
正反馈效应：门极电流的流动会导致PNPN结的NPN结和PNP结之间形成正反馈效应。这个正反馈效应将促使PNPN结保持在导通状态，即使门极电压稍微降低，导通状态也能被维持。

3.晶闸管的介绍

4.晶闸管的封装

二、晶闸管介绍及静、动态特性

1.触发和导通方式

在晶闸管接正向电压的时候，J1J3导通，J2阻断，必须将J2导通，晶闸管才可以正常工作。

正向电压触发

加足够大的正向电压，在J2处是反向电压，在J2相当于二极管的反偏，在J2加了足够大反向电压使其雪崩击穿。

温度触发

温度升高，使其J2附近本征激发，少子电子和另一侧少子空穴的漂移运动加剧，消除J2，最后导通。

dv/dt触发

利用电源正负的电压变化，再加上J2处类似于PN结的电容特性，使器件导通。

光触发

类似温度触发，用特定的材料，当光照J2处时，温度升高，利用温度触发的原理，使晶闸管导通。

门极触发（最重要且常用）

设置一个门极电流，导通晶闸管，只需要导通的时候有就可以了，原理看上一章。

2.静态特性的输出特性

门极电流越大，导通的压降就越小，我觉得是因为，门极电流增大，J2处少子的漂移就加剧，导致J2的阻断削弱，这样我所需要击穿J2的电压就减小。
在没有导通的时候像三极管，导通了就像二极管。

增加门极电流会导致反向饱和电流增加的原因之一是，门极电流增大会增加J1和J3处的少子电子数目，从而增加了少子的漂移运动，因此产生了更大的反向饱和电流。门极电流的增加相当于向PNPN结注入了更多的少子电子，这些电子在J1和J3处参与了反向饱和电流的产生过程。因此，门极电流增加会导致反向饱和电流增加。

3.静态特性的温度特性

晶闸管的温度特性并不是线性变化的，而是非线性的。

4.静态特性的关键参数

擒住电流和维持电流都很小，一般都是毫安级别的，擒住电流是导通，维持电流是关断。

5.动态特性的测试电路

采用正弦交流电。

初始导通状态：
- 在正半周期，当交流电压为正时，晶闸管处于导通状态，通过了触发过程，并且导通电流流过。
- PNPN结的导通通道已经建立，形成了一个低阻抗路径，允许电流通过。
负半周期的关断过程：
- 当交流电压变为负值时，晶闸管开始进入关断过程。
- 随着交流电压从正变为负，导通通道中的载流子开始被吸收或重新组合。
- 随着导通通道的载流子减少，导通电流逐渐减小，直到最终导通电流降为零。
- 同时，PNPN结处的导通通道也会逐渐消失，导致晶闸管的阻断状态再次建立。
阻断状态：
- 当导通电流降为零时，晶闸管进入了阻断状态。在阻断状态下，晶闸管处于高阻抗状态，几乎不导通电流。

6.导通的动态特性

7.关断的动态特性

两个P区有大量的自由电子要漂移到N区，所以反向电流加大自由电子漂移的差不多后，电流就下降到反向饱和电流大小。
因为加反压肯定恢复开始那个J1J3。
加反偏时J2结耗尽层消失，要重新建立。

导通通道的消失：
- 当交流电压从正变为负时，晶闸管处于导通状态的导通通道开始逐渐消失。
- 在导通状态下，PNPN结处形成了一个低阻抗通道，允许电流通过。当交流电压变为负时，这个通道中的少子被重新组合或者吸收，从而导致导通通道的消失。
- 少子的重新组合或吸收导致导通通道逐渐收缩，导通电流逐渐减小，直到最终导通电流降为零。
阻断状态的建立：
- 随着导通通道的消失，晶闸管进入了阻断状态。
- 在阻断状态下，晶闸管处于高阻抗状态，几乎不导通电流。PNPN结中的J1和J3处的耗尽区逐渐扩展，阻止了电流的进一步通过。
- 一旦导通通道完全消失，晶闸管就进入了稳定的阻断状态，不再导通电流。

三、TRIAC及其特性

1.TRIAC的引出

TRIAC（双向可控硅触发二极管）是一种双向电流控制器件，类似于两个晶闸管反向并联组合而成。它具有可以控制交流电的能力，既可以在正半周期导通也可以在负半周期导通。在TRIAC中，有三个引脚：

主导通极（MT1）：主导通极是TRIAC的一个主要引脚，用于连接外部负载。主导通极可以看作是TRIAC的阳极，与外部负载串联。
门极（Gate）：门极是用于控制TRIAC导通的引脚。当施加足够的正脉冲到门极时，TRIAC将进入导通状态。门极通常需要一个触发电压，以确保TRIAC可靠地导通。
辅助导通极（MT2）：辅助导通极是TRIAC的另一个主要引脚，用于连接交流电源。它可以看作是TRIAC的阴极。

TRIAC的引出方式允许它控制交流电，既可以控制正半周期的导通也可以控制负半周期的导通。通过适当地施加脉冲到门极，可以使TRIAC在所需的交流周期内导通，从而实现对交流电的控制。这使得TRIAC成为广泛应用于电灯调光、温度控制和电动机速度控制等领域的重要器件。

晶闸管只有在交流电的正电压的时候，才会导通工作，为了在交流电的正负电压都可以导通工作，引出了TRIAC。

2.反向门极控制

GK处加正向电压

GA处加正向电压

3.TRIAC的介绍

通过两个晶闸管的并联解决问题。

4.TRIIC的输出特性

在第一象限和第三象限，对应了正弦交流电正电压和负电压导通的过程。

四、GTO及其特性

1.GTO的引出

GTO（门极可控晶闸管）是一种可控硅器件，其引出与普通的可控硅器件有所不同。GTO的引出方式使其在高功率应用中更为灵活。

门极（Gate）：GTO也有一个门极，用于控制器件的导通和关断。通过施加适当的脉冲信号到门极，可以控制GTO的导通和关断状态。
阳极（Anode）：GTO的阳极是主要的电流引出端。它连接到P型区域。
阴极（Cathode）：GTO的阴极是另一个主要的电流引出端。它连接到N型区域。
辅助极（Auxiliary Gate）：GTO还具有一个辅助极，有时也称为触发极。辅助极用于帮助提高GTO的关断速度和可靠性。通过适当地施加脉冲信号到辅助极，可以加速GTO的关断过程。
绝缘层：GTO的各个引出端通常会通过绝缘层隔离，以防止不同引出端之间发生短路。

GTO的引出方式使得它在高功率应用中更为灵活，能够承受较大的电流和电压。通过适当地控制门极和辅助极，可以实现对GTO的可靠控制，从而实现高效的功率控制和转换，在此例子中是想要实现在负半轴的关断。

GTO（门极可控晶闸管）是一种可控硅器件，可以通过适当的信号控制其导通和关断。

施加负门极电压：要使GTO关断，首先需要向门极施加一个负的门极电压。这个负的门极电压可以是一个适当的脉冲信号，通常由控制电路生成。
降低阳极电流：施加负门极电压后，阳极电流会逐渐减小。通过适当的门极电压控制，可以使阳极电流迅速降至零，从而实现GTO的关断。

2.GTO的介绍

3.GTO和晶闸管的不同

双向导通性：GTO（门极可控晶闸管）只能在正向电压下导通，而普通的晶闸管在正向电压下导通时只有单向导通性，即只允许电流在一个方向上流动。
关断能力：普通的晶闸管需要施加一个反向电压来迅速清除PN结中的载流子以实现关断。相比之下，GTO通过施加适当的信号到门极来实现关断，因此其关断速度更快，可靠性更高。
可控性：GTO具有更好的可控性，可以通过门极信号来精确控制其导通和关断。而普通的晶闸管通常只能通过施加一个正向电压来触发导通，而无法准确地控制其关断。
功率损耗：由于GTO具有更好的关断能力和可控性，其在导通和关断时的功率损耗通常比普通的晶闸管更低，这使得GTO在高功率应用中更为适用。

4.GTO的静态输出特性

5.GTO的测试电路

RCD电路可以有以下作用：

限制过电流：在GTO开关过程中，由于电感和电容的存在，RCD电路可以限制电流的上升速度，从而降低过电流的风险。这对于保护GTO和其他电路元件非常重要，特别是在高功率应用中。
减小过电压：过电压可能会在GTO关断时产生，特别是在高速关断时。RCD电路可以通过电阻和电容来吸收和分散这些过电压，从而保护GTO不受损坏。
减小振荡和噪声：GTO开关过程中可能会产生振荡和噪声。RCD电路可以通过阻尼这些振荡和噪声来提高系统的稳定性和可靠性。
保护其他元件：RCD电路不仅可以保护GTO，还可以保护其他与GTO连接的元件，如电源、负载和控制电路。