关于STM32 flash存储数据的一些弊端 及铁电存储器FM25L16B

最新推荐文章于 2023-09-04 09:09:57 发布
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flash存储数据是先擦除块，然后在写入。因为需要擦除块，所以瞬间断电的情况，有可能会造成数据丢失。

对于一些不需要再运行时来回擦除写入的情况下是没有什么问题的，但是如果运行中需要来回擦写flash。

那么久可能会出现丢失数据的情况。不用怀疑flash速度那么快一般不会出现这种情况，事实证明是会的。

 

推荐如果出现这种情况，建议使用铁电存储芯片，这个芯片的擦写速度极快，对于写入数据不是很大的情况下，断电导致数据丢失的情况不大。

铁电存储芯片：FM25L16B 

关于实例代码网上可以找到的！！！！！！！！！！！！

 

稻草人de心
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专栏目录
铁电存储器FM25L16B驱动
05-03
使用STM32单片机驱动铁电存储器FM25L16B的程序、实现了已下代码： void FM25L16B_Init(void); void FM25L16B_Write(u16 addr,u8 *data,u16 num); void FM25L16B_Read(u16 addr,u8 *data,u16 num); void FM25L16B_WriteByte(u16 addr,u8 data); u8 FM25L16B_ReadByte(u16 addr); u8 FM25L16B_ReadStatus(void); void FM25L16B_WriteStatus(u8 data);
FM25L16B铁电存储SPI操作例程.pdf
12-17
flash存储数据是先擦除块，然后在写入。因为需要擦除块，所以瞬间断电的情况，有可能会造成数据丢失。 对于一些不需要再运行时来回擦除写入的情况下是没有什么问题的，但是如果运行中需要来回擦写flash。 那么久可能会出现丢失数据的情况。不用怀疑flash速度那么快一般不会出现这种情况，事实证明是会的。 推荐如果出现这种情况，建议使用铁电存储芯片，这个芯片的擦写速度极快，对于写入数据不是很大的情况下，断电导致数据丢失的情况不大。
stm32h743 FM25CL64铁电存储器踩坑记录
kuniqiw的博客
10-27 2433
调试FRAM经验总结： 1、跑完FRAM读写代码之后，逻分仪发现总线上只有简单、短暂的电平变化，明显不是SPI的通信数据。 （经提醒发现连片选拉高拉低都没有执行到位） 后来发现是因为片选引脚没有初始化，所以直接拉高拉低是无效的。 2、引脚成功初始化后发现CLK、MISO、MOSI数据仍不正常。通过加打印的方式发现跑到HAL_SPI_Transmit中之后还没有执行到写SPI数据寄存器的那一步就return了。 后来经提醒发现： 上图中的指针使用方式错误 后来又发现： 打印出来发现
STM32+FM25V01读写
qq_30053179的博客
04-28 789
FM25V01铁电存储器驱动移植_Kevincoooool的博客-CSDN博客 上面这个链接是我参考的博客，感觉写的挺好，我就不再重复写了，我付个资源，无需积分。 (40条消息) STM32G474VET6+FM25V01A-G+Keil-其它文档类资源-CSDN文库 ...
铁电存储器FM25L16B
weixin_44722927的博客
05-19 445
第二次在这个地址写入“TEST123”，读出来并打印到串口上，串口助手显示“TEST”，第二次的写入未成功；在同一个地址如address=0x40写入“TEST”，在读出来，并打印到串口上。但是当在写入之前先读这段地址里的内容，再进行读写就成功，并未找到愿意，尝试在读写之后加入延时并没有用，第二次读写未成功。问题解决后会及时更新解决方式。
解决STM32 Flash擦写操作导致USART接收丢数据
Jkf40622的专栏
05-12 5545
问题： 该问题由客户提出，发生在STM32F103VDT6器件上。据客户工程师讲述,在其产品设计中使用了STM32片上Flash模拟了EEPROM的功能，用于存贮数据。在软件调试时，发现开启此功能，会影响到USART通信，导致偶尔发生个别数据接收不到的现象。 调研： 检查其软件代码，发现其中对Flash上数据的更新操作分为如下几个步骤： 1. 保存Flash页上的数到R
经验库：单片机Flash操作应用时设备上下电造成系统参数丢失
zc_super898的博客
02-25 2227
根本原因 1、上电存在写FLASH操作 2、超级电容没电，顺间掉电来不及写入参数 3、MCU启动时，片外flash未完成正常运行 解决措施 1、初始化读取参数前等待几百毫秒，校验不对重复读取 2、每次上电后只可读参数、不可写参数，特殊情况除外 3、空间允许情况下，增加参数备份区，按顺序擦除写入 4、如序列号、校准参数等不可修改配置单独扇区存放 5、部分带掉电检测产品，在掉电时需保存电能等参数情况下，如启动时间过短则不保存 ...
正点原子精英板stm32F103zet6读写FM25L16B程序
06-27
在这个项目中，我们将关注如何在正点原子精英板上使用STM32F103ZET6微控制器进行FM25L16B存储器的读写操作，这主要涉及到硬件接口设计、软件编程以及keil开发环境的使用。 首先，FM25L16B是一款串行闪存芯片，提供...
电子-FM25L16B.zip
09-05
压缩包内的文件名"FM25L16B"通常代表了FM25L16B是一款独立的存储器芯片，这是一款串行闪存（Serial Flash Memory），常见于嵌入式系统中作为非易失性存储，用于存储程序代码、配置参数或者用户数据。它通过SPI或I²C...
ram_da.rar_FM25L16 _TLV5638_VHDL 存入数据_VHDL存数据_ad
09-21
首先，FM25L16是一款SPI接口的串行EEPROM，具有16Kb的存储容量，可被用作小规模的数据存储器。在本设计中，它作为RAM来存储AD转换得到的1000个八位数据点。SPI（Serial Peripheral Interface）是一种简单、低速的...
FM25L16铁电存储器与F020读写
06-05
FM25L16铁电存储器与F020读写 unsigned char SpiReadWrite(unsigned char c) { SPIF = 0; SPI0DAT = c; while (SPIF == 0); return SPI0DAT; } /* unsigned char FMRead(unsigned int addr) { unsigned char b; fm0(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); SpiReadWrite(EE_READ); SpiReadWrite(addr >> 8); SpiReadWrite(addr & 0xff); b = SpiReadWrite(0); _nop_(); _nop_(); fm1(); _nop_(); _nop_(); return b; } void FMWrite(unsigned int addr, unsigned char b) { fm0(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); SpiReadWrite(EE_WREN); _nop_(); _nop_(); _nop_(); fm1(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); fm0(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); SpiReadWrite(EE_WRITE); SpiReadWrite(addr >> 8); SpiReadWrite(addr & 0xff); SpiReadWrite(b); _nop_(); _nop_(); fm1(); _nop_(); _nop_(); } */ void FMReadPage(unsigned int addr, unsigned char * index, unsigned char n) { unsigned char i; fm0(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); SpiReadWrite(EE_READ); SpiReadWrite(addr >> 8); SpiReadWrite(addr & 0xff); for(i=0;i> 8); SpiReadWrite(addr & 0xff); for(i=0;i<n;i++) { SpiReadWrite(*(index+i)); } _nop_(); _nop_(); fm1(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); }
stm32 模拟读写 铁电fm25cl64
04-01
stm32 模拟读写 铁电fm25cl64 stm32 模拟读写 铁电fm25cl64 stm32 模拟读写 铁电fm25cl64 stm32 模拟读写 铁电fm25cl64 stm32 模拟读写 铁电fm25cl64
STM32F103RCT6读写FM25CL64（已在工程中应用）
05-25
STM32F103RCT6读写FM25CL64（已在工程中应用） 1：如果写入后读出来的全是0x00,那么很有可能是SPI模式配错了，可以参考压缩包内SPI配置 2：利用FM25CL64最后一个字节作为检测位，开机读取一次用来测试芯片是否正常工作 3：实测在SPI 9M的速度下 读写1024字节约3ms左右，芯片SPI最大支持速度可达20M。本例子未测试20M 4：内有较为详细中文注释，可方便理解
STM32 FM25CL64B 铁电存储器
12-29
STM32和FM25CL64B 铁电存储器 SPI接口
fram.rar_STM32 FRAM存储器_stm32 fram_stm32读取fram_铁电FRAM驱动_铁电存储器
07-14
stm32f103驱动铁电存储器，测试程序，OK
铁电存储 缺陷
寒星孤照
06-07 3909
【转载：http://www.daxia.com/list_1621.shtml】为了突破闪存面临的极限，新一代非挥发性内存加大了数据保持元件的研发力度。其中，已经量产且领先一步的就是FeRAM。     FeRAM记忆元件使用的是铁电体。铁电体的每一个结晶在自然状态下分为正极和负极。具有加电后其极性会统一成一个方向的性质。其极向即使关闭电源后状态也不会改变，因此能
STM32存储左右互搏 I2C总线读写FRAM MB85RC16
最新发布
Pegasus的软件博客
09-04 1603
在较低容量存储领域，除了EEPROM的使用，还有铁电存储器FRAM的使用，相对于EEPROM, 同样是非易失性存储单元，FRAM支持更高的访问速度， 其主要优点为没有EEPROM持续写操作跨页地址需要变换的要求，没有写之后的延时等待要求。MB85RC16是2K Byte（16K bit）的FRAM，能够按字节进行写入且没有写入等待时间。其管脚功能兼容相应容量的EEPOM：I2C总线访问的FRAM更大容量的型号还有MB85RC128及MB85RC256等。
STM32 SPI调试 外部RAM
weixin_42461970的博客
01-04 1769
FM25L04B - 4Kb 3V SPI F-RAM----------512*8bit 存储器地址范围00000H~1FFH，共4Kb(512* 8)bit， FM25V20A - 2MbitF-RAM （Upto 40MHz）--------（256K * 8） 存储器地址范围00000H~3FFFFH，共2Mbit (256k * 8)bit， 其中256k即为 256 * 1024 = 262144 个byte（0x4 00 00，因此存储器最后字节为0x3 ff ff）...
fm25l16b 驱动
07-28
FM25L16B是一种串行闪存存储器，可用于存储和读取数据。它具有16MBit容量，相当于2MB。下面将详细介绍FM25L16B的驱动方法。 1. 硬件连接：首先，将FM25L16B芯片与微控制器或单片机连接。连接必须包括供电引脚（VCC和GND），串行数据输入引脚（SI）和串行数据输出引脚（SO），串行时钟引脚（SCK），写使能引脚（W）和读使能引脚（R）。引脚连接完成后，确保正确供电。 2. 初始化：在编写驱动程序之前，需要完成芯片的初始化设置。其中包括写入特定的命令到芯片的控制寄存器。具体的初始化过程需要参考芯片的数据手册。 3. 读写数据：通过SPI（串行外设接口）协议，可以读写FM25L16B芯片中的数据。要写入数据，首先将写使能引脚置为低电平，然后通过串行数据输入引脚SI将数据传输给芯片。完成后，将写使能引脚置为高电平，数据将被写入芯片的指定地址。要读取数据，首先将读使能引脚置为低电平，然后通过串行数据输出引脚SO读取数据。读取完成后，将读使能引脚置为高电平。 4. 擦除和编程：FM25L16B芯片支持数据擦除和编程功能。可以按页（或扇区）擦除芯片中的数据，并按字节编程新的数据。具体的擦除和编程方法需要参考芯片的数据手册。 总之，FM25L16B的驱动方法涉及硬件连接、初始化、读写数据以及擦除和编程等步骤。驱动程序的设计需要参考芯片的数据手册和相关的编程指南。
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