关于STM32/GD32 内部flash写入由1变0的测试

概叙

本文主要做了个简单的测试，stm32/GD32 内部flash某一个字节已经写入了参数，如果现在我们只是需要将其没有置零的位继续置位，是否需要擦除flash对应的扇区；

结论

不需要再次进行擦除；但是在测试GD芯片时发现仿真状态下改断代码无法执行就跳转到其他对方，脱离仿真器正常打印观察没有问题

过程及代码

测试代码片段如下：

flash_erash_address(CONFIG_DATA_ADDR);


                  uint32_t wrt_data=0xeeeeeeee;
	            uint32_t axe=1;
			flash_read_stm32(&axe, CONFIG_DATA_ADDR, 4);
			printf("s1 is %x\r\n",axe);
            flash_write_stm32(CONFIG_DATA_ADDR, (uint8_t *)&wrt_data, 4);
			flash_read_stm32(&axe, CONFIG_DATA_ADDR, 4);
			printf("s2 is %x\r\n",axe);
			wrt_data=0;
			flash_write_stm32(CONFIG_DATA_ADDR, (uint8_t *)&wrt_data, 4);
			flash_read_stm32(&axe, CONFIG_DATA_ADDR, 4);
			printf("s3 is %x\r\n",axe);

测试结果

[16:38:30:435]->s1 is ffffffff
[16:38:31:508]->s2 is eeeeeeee
s3 is 0
flash single write failed ,retry
s1 is ffffffff
s2 is eeeeeeee
s3 is 0