【MPC5744P】内部Flash读写

MPC5744P内部Flash相当大，除了存储代码，多余的空间还可以另作它用，例如参数存储，故障存储，当然，Bootloader也是依赖于Flash读写。

内部Flash的结构请参考上一篇关于Flash结构及启动原理的说明：https://blog.csdn.net/u010875635/article/details/85162135

读取：一次读取256位。

擦除：一次擦除一个block，无论是16KB、32KB、64KB抑或256KB

编程：内置flash存储可以通过word(32bits)或者double words(64bits)寻址编程，多个word或double words填充编程页缓存(256bits)，使能page编程（256bits，4个double words）或者quadpage编程（1024bits，16个double words）。推荐的编程操作从64bits到1024bits，并且64bits对齐。

flash读写示例：https://download.csdn.net/download/u010875635/10872302

建议将示例中的Flash_Check_g注释掉，以便于支持2个32位数据编程，//ret = Flash_Check_g(startAddr,endAddr);

注意：

1、每组数据不能超过1024bits，否则会被截掉。

2、若是当前程序运行，则此partition不能被擦除，否则会死机。

MPC5744P的Flash按照地址空间分为LOW、MID、HIGH、First256K、Second256K（没有这么多256K空间，因此Second实际上一直是空的）。

LOW--not program, partition 0 and 1
0x00800000-0x00803FFF		--		16KB,EEPROM-low block0, RWW_P:0
0x00804000-0x00807FFF		--		16KB,EEPROM-low block1, RWW_P:0
0x00F98000-0x00F9BFFF		--		16KB,low flash memory block2, RWW_P:1
0x00F9C000-0x00F9FFFF		--		16KB,low flash memory block3, RWW_P:1
MID , partition 2 and 3
0x00808000-0x0080FFFF		--		32KB,EEPROM-mid block0, RWW_P:2
0x00810000-0x00817FFF		--		32KB,EEPROM-mid block1, RWW_P:3
HIGH, , partition 4 and 5