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模拟集成电路
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y江江江江
不忘初心
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模拟集成电路(6)----单级放大器(共源共栅级 Cascode Stage)
对M1Vx≥Vin−VTH1VxVB−VGS2VB≥Vin−VTH1VGS2对M2Vout≥VB−VTH2Vout≥Vin−VTH1VGS2−VTH2Vout≥VOD1VOD2。原创 2024-06-02 14:03:28 · 1717 阅读 · 0 评论 -
模拟集成电路(5)----单级放大器(共栅级)
有一些场合需要一些(电流放大器)原创 2024-05-29 19:51:19 · 720 阅读 · 0 评论 -
模拟集成电路(4)----单级放大器(源极跟随器)
大信号分析:(漏极一直接的是最高的电压,所以要么截止要么饱和,不会进入线性)当VinVTH时,M1关闭,Vout0当VinVTHM1导通,ID1随着Rs变化当Vin继续增加,Vout随Vin变化 差值为vGS21μnCoxLWVin−VTH−Vout2RSVoutAν∂Vin∂V。原创 2024-05-22 22:36:27 · 907 阅读 · 0 评论 -
模拟集成电路(3)----单级放大器(共源极)
放大是模拟电路的基本功能理想的放大器线性:无限的幅度和频率范围输入阻抗无限大输出阻抗无限小共源放大器就是将源极接AC ground。一般我们对三点进行分析:Vout=VDDV_{out}=V_{DD}Vout=VDDVout=VDD−Id⋅RD=VDD−μnCox2WL(Vin−VTH)2⋅RD\begin{aligned}&V_{out}=V_{DD}-I_{d}\cdot R_{D}\\&=V_{DD}-\frac{\mu_{n}C_{ox}}{2}\frac{W}{L}(V_{in}-V_{原创 2024-05-11 22:38:47 · 1003 阅读 · 0 评论 -
模拟集成电路(2)----MOSFET大小信号分析,二级效应
以NMOS为例其中,B为body,代表衬底。VB代表衬底电压关于源极和漏极,一般认为电压高的一端为漏极。MOS管的典型应用开关压控电流源(饱和区)原创 2024-05-05 16:14:40 · 1010 阅读 · 0 评论 -
模拟集成电路(1)----晶体管
晶体管大体可以分为如下四类。原创 2024-02-28 19:16:31 · 456 阅读 · 0 评论