硬件:
T1的b极输入PWM波(3.6V),高电平时,三极管导通,MOSFET的栅极为低电平,MOSFET关闭;PWM为低电平时,三极管关闭,MOSFET的栅极为高电平,MOSFET导通。这里三极管有一个上拉的作用。实测N沟道增强型IRFB3607的导通电压为5V,完全导通需要12V,所以VCC应该大于12V,若VCC小于12V,则MOSFET处于半导通半不导通状态,在这上面会消耗许多的热量,效率就会变低。
软件:
公式1:
公式2:
刚开始时,用公式1来计算PID&
硬件:
T1的b极输入PWM波(3.6V),高电平时,三极管导通,MOSFET的栅极为低电平,MOSFET关闭;PWM为低电平时,三极管关闭,MOSFET的栅极为高电平,MOSFET导通。这里三极管有一个上拉的作用。实测N沟道增强型IRFB3607的导通电压为5V,完全导通需要12V,所以VCC应该大于12V,若VCC小于12V,则MOSFET处于半导通半不导通状态,在这上面会消耗许多的热量,效率就会变低。
软件:
公式1:
公式2:
刚开始时,用公式1来计算PID&