本文介绍了半导体中载流子的漂移电流密度，包括空穴和电子的漂移现象，并详细阐述了电导率与迁移率的关系。讨论了晶格散射和电离杂质散射对迁移率的影响，以及总迁移率的计算。同时，解释了在不同温度下，这两种散射如何影响载流子的运动。最后，探讨了饱和速度的概念及其在弱电场中的线性关系。
LEC3
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在电场作用下，粒子不断被加速和减速，最终将会达到平均漂移速度
平均漂移速度与电场强度成正比
空穴漂移电流密度
J p ∣ d r f = ( e p ) v d p = e μ p p E J_{p|drf}=(ep)v_{dp}=e\mu_{p}pE Jp∣drf=(ep)vdp=eμppE
电子漂移电流密度
J n ∣ d r f = ρ v d n = ( − e n ) v d n J_{n|drf}=\rho v_{dn}=(-en)v_{dn} Jn∣drf=ρvdn=(−en)vdn
弱电场情况下，电子的平均漂移速度也与电场强度成正比。但是由于电子带负电，电子的运动与电场运动相反
故有
v d n = − μ n E v_{dn}=-\mu_{n}E vdn=−μnE
其中： μ n \mu_{n} μn是电子的迁移率,为正值
故有 J n ∣ d r f = ( − e n ) ( − μ n E ) J_{n|drf}=(-en)(-\mu_{n}E) Jn∣drf=(−en)(−μnE)
注意漂移电流方向依然与外加电场方向相同
T=300时，低掺杂浓度下的迁移率典型值P114表5.1 {ignore=true}
所以，总漂移电流密度是电子漂移电流密度和空穴漂移电流密度的和 {ignore=true}
J d r f = e ( μ n n + μ p p ) E J_{drf}=e(\mu_{n}n+\mu_{p}p)E Jdrf=e(μnn+μpp)E
电子的迁移率
μ n = e τ c n m c n ∗ \mu_{n}=\frac{e\tau_{cn}}{m^{*}_{cn}} μn
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