假设杂质完全电离，则有 n n 0 ≈ N d n_{n0} \approx N_d nn0≈Nd,其中 n n 0 n_{n0} nn0为n区内多子电子的热平衡浓度。
在p区可以写出:
n p 0 ≈ n i 2 N d n_{p0}\approx \dfrac{n_i^{2}}{N_d} np0≈Ndni2
其中 n p 0 n_{p0} np0为p区内少子电子的热平衡浓度。
公式:p区空间电荷区边缘处少子电子的浓度
n p ( − x p ) = n p 0 e x p ( e V a k T ) n_p(-x_p)=n_{p0}exp(\dfrac{eV_a}{kT}) np(−xp)=np0exp(kTeVa)
V a V_a Va为正偏电压。
公式:n区空间电荷区边缘处少子空穴的浓度。
p n ( x n ) = p n 0 e x p ( e V a k T ) p_n(x_n)=p_{n0}exp(\dfrac{eV_a}{kT}) pn(xn)=pn0exp(kTeVa)
我们可以发现，反偏仅仅只要0.几伏特就可以使少子浓度几乎为0。故反偏状况下少子浓度低于热平衡值
公式： x ⩾ x n x\geqslant x_n x⩾xn处过剩少子的浓度
δ p n ( x ) = p n ( x ) − p n 0 = p n 0 [ e x p ( e V a k T ) − 1 ] e x p ( x n − x L p ) \delta_{p_{n}}(x)=p_n(x)-p_{n0}=p_{n0}[exp(\dfrac{eV_a}{kT})-1]exp(\dfrac{x_n-x}{L_p}) δpn(x)=pn(x)−pn0=pn0[exp(kTeVa)−1]exp(Lpxn−x)
公式: x ⩽ − x p x\leqslant -x_p x⩽−xp处的过剩少子的浓度
δ n p ( x ) = n p ( x ) − n p 0 = n p 0 [ e x p ( e V a k T ) − 1 ] e x p ( x p + x L n ) \delta_{n_{p}}(x)=n_p(x)-n_{p0}=n_{p0}[exp(\dfrac{eV_a}{kT})-1]exp(\dfrac{x_p+x}{L_n})
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