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半导体物理与器件
zxx6821603
这个作者很懒,什么都没留下…
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半导体物理与器件 第五章—载流子输运现象
LEC3文章目录LEC3空穴漂移电流密度电子漂移电流密度`弱电场情况下`,电子的平均漂移速度也与电场强度成正比。但是由于电子带负电,电子的运动与电场运动相反T=300时,低掺杂浓度下的迁移率典型值P114表5.1 {ignore=true}所以,总漂移电流密度是电子漂移电流密度和空穴漂移电流密度的和 {ignore=true}1.晶格散射2. 电离杂质散射3.总迁移率5.1.3电导率在电场作用...原创 2019-03-23 11:19:41 · 3819 阅读 · 0 评论 -
半导体物理与器件 第六章
LEC36.0 概述6.1载流子的产生与复合分别令Gn0G_{n0}Gn0和Gp0G_{p0}Gp0为电子和空穴的产生率,单位是#/cm3⋅scm^{3}·scm3⋅s。对于直接带间产生来说,电子和空穴总是成对出现的,因此一定有Gn0=Gp0G_{n0}=G_{p0}Gn0=Gp0分别令Rn0R_{n0}Rn0和Rp0R_{p0}Rp0分别为热平衡状态下...原创 2019-03-23 14:36:19 · 2379 阅读 · 0 评论 -
半导体物理与器件-第八章
假设杂质完全电离,则有$n_{n0}\approx N_d ,其中,其中,其中n_{n0}$为n区内多子电子的热平衡浓度。在p区可以写出:np0≈ni2Ndn_{p0}\approx \dfrac{n_i^{2}}{N_d}np0≈Ndni2其中 np0n_{p0}np0为p区内少子电子的热平衡浓度。公式:p区内空间电荷区边缘处少子电子的浓度np=np0(−xp)exp...原创 2019-04-13 17:47:10 · 3154 阅读 · 0 评论