半导体物理与器件第六章

最新推荐文章于 2021-01-13 00:33:19 发布

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分类专栏：半导体物理与器件文章标签：学习笔记

本文链接：https://blog.csdn.net/u011790781/article/details/88760820

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本文介绍了半导体中过剩载流子的产生与复合过程，包括小注入模型下的过剩载流子复合率、少数载流子的衰减时间和寿命。讨论了直接带间复合以及过剩载流子的性质，如扩散长度和稳态空间相关性。

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6.0 概述

6.1载流子的产生与复合

分别令 $G_{n0}$ 和 $G_{p0}$ 为电子和空穴的产生率，单位是#/ $cm^{3}·s$ 。对于直接带间产生来说，电子和空穴总是成对出现的，因此一定有
$G_{n0}=G_{p0}$
分别令 $R_{n0}$ 和 $R_{p0}$ 分别为热平衡状态下电子和空穴的复合率，则有
$R_{n0}=R_{p0}$
对于热平衡状态来说，电子和空穴的浓度与时间无关，因此产生和复合的概率相等,即有：
$G_{n0}=G_{p0}=R_{n0}=R_{p0}$

6.1.2 过剩载流子的产生与复合

$本章中常用到的一些符号$

符号	定义
$n_{0}$ , $p_{0}$	热平衡电子和空穴的浓度（与时间无关，通常也与位置无关）
n,p	总电子和空穴的浓度（可能是时间或位置的函数）
$\delta_{n}$ = $n-n_{0}$	过剩电子的浓度（可能是时间或位置的函数）
$\delta_{p}$ = $p-p_{0}$	过剩空穴的浓度（可能是时间或位置的函数）
$g^{'}_{n}$ , $g_{p}^{'}$	过剩电子和空穴的产生率
$R_{n}^{'}$ , $R_{p}^{'}$	g过剩电子和空穴的复合率
$\tau_{n0},\tau_{p0}$