【EDA】3D-Carbon:面向3D和2.5D集成电路的碳分析建模工具

3D-Carbon:面向3D和2.5D集成电路的碳分析建模工具

基本信息

  • 📰标题: 3D-Carbon:面向3D和2.5D集成电路的碳分析建模工具

  • 🖋️作者: Yujie Zhao

  • 🏛️机构: Georgia Institute of Technology(佐治亚理工学院)

  • 🔥关键词: 3D ICs, carbon modeling, analytical tool, integrated circuits

摘要概述

在这里插入图片描述

背景

  • 研究背景:
    集成电路(IC)在Moore定律推动下持续提升性能并降低成本,但全生命周期(制造至废弃)的碳排放问题日益突出。AI等新兴技术依赖IC的同时,信息通信技术已占全球温室气体排放的2.1%~3.9%。当前IC制造阶段的隐含碳(embodied carbon)占比超70%,而3D/2.5D IC虽能提升能效,却缺乏碳排放评估工具。

  • 过去方案:
    现有方法存在三类局限:(1) 行业数据库依赖材料/工艺碳排放数据,但数据更新滞后;(2) 基于芯片面积的一阶估算模型过于简化;(3) 如ACT+等工具将2.5D/3D IC碳排放等效为2D IC处理,未考虑异构集成、金属层减少等特性。现有方法均无法提供精细化的碳足迹分解。

  • 研究动机:
    针对3D/2.5D IC复杂制造流程与能效优势并存的特性,开发首个综合分析工具3D-Carbon,量化其全生命周期碳排放,支持制造阶段隐含碳与使用阶段运行碳的协同优化,为自动驾驶等应用提供可持续IC选型决策依据。

结论

  • 该研究开发了3D-Carbon工具,用于在早期设计阶段评估商业级3D/2.5D IC的碳排放,填补了先进集成技术快速发展背景下碳建模工具的空白,对推动环境可持续性集成电路发展具有重要意义。

  • 主要结论: (1)提出首个面向3D/2.5D IC的早期设计阶段碳分析工具3D-Carbon; (2)该工具旨在促进环境友好型先进封装技术的发展。


一段话总结

3D-Carbon是针对3D/2.5D集成电路(ICs)开发的分析碳建模工具,用于量化其全生命周期的碳排放量,涵盖制造阶段的隐含碳(Embodied Carbon)使用阶段的运行碳(Operational Carbon)。该工具考虑了先进集成技术(如微凸点、混合键合、单片3D等)的成本与收益,引入带宽约束评估可行性,并通过EPYC 7452(2.5D)Lakefield(3D)案例验证准确性。在NVIDIA自动驾驶GPU案例中,3D-Carbon显示异构3D设计可节省65.53%隐含碳,并通过** indifference point(Tc)breakeven time(Tr)**指标指导可持续决策。工具代码开源,为绿色3D/2.5D IC设计奠定基础。


思维导图

## **研究背景**
- 环境可持续性对ICs至关重要,3D/2.5D ICs需求增长,但缺乏碳建模工具
- 现有工具局限性:工业数据库、一阶方法等不准确
## **3D-Carbon工具**
- 功能:量化3D/2.5D ICs全生命周期碳排,考虑隐含碳和运行碳
- 输入:硬件设计、技术节点、制造地点等
- 计算:隐含碳(芯片制造、键合、封装、中介层)、运行碳(功率、碳强度)
- 约束:带宽约束评估可行性
## **验证**
- 案例:2.5D EPYC 7452、3D Lakefield
- 对比:LCA报告、ACT+工具,验证准确性
## **案例研究**
- NVIDIA自动驾驶GPU: homogeneous和heterogeneous设计对比
- 结果:异构3D设计隐含碳节省高达65.53%,指导可持续决策
## **结论**
- 3D-Carbon为绿色3D/2.5D ICs设计奠定基础,代码开源

详细总结

1. 研究背景与挑战
  • 环境压力:ICs全生命周期碳排放占全球温室气体排放的2.1%~3.9%,制造阶段的隐含碳占消费级ICs总碳足迹的70%以上
  • 技术趋势:3D/2.5D集成技术(如微凸点3D、混合键合3D、单片3D(M3D)、硅中介层2.5D等)提升性能,但缺乏针对性碳建模工具
  • 现有工具不足:工业数据库依赖过时数据,一阶方法(如按芯片面积估算)缺乏细节,ACT+工具将3D堆叠简化为2D处理。
2. 3D-Carbon建模工具
2.1 核心功能与输入
  • 量化范围:全生命周期碳足迹((C_{total} = C_{embodied} + C_{operational}))。
  • 输入参数
    • 硬件设计:3D/2.5D配置(如堆叠方式、芯片数量)、芯片面积、金属层数(BEOL)。
    • 技术信息:工艺节点(3~28nm)、制造地点(影响碳强度)。
    • 其他:键合技术(如微凸点、混合键合)、封装类型、良率数据。
2.2 隐含碳((C_{embodied}))计算
  • 组成部分:芯片制造((C_{die}))、键合((C_{bonding}))、封装((C_{packaging}))、中介层((C_{int}))。
    • 芯片制造:基于每晶圆碳排((C_{wafer}))、芯片数(DPW)和良率((Y_{die})),公式:
      [
      C_{die} = \sum_{i=1}^{N} \frac{C_{wafer_{die_i}}}{DPW_{die_i}} \cdot \frac{1}{Y_{die_i}}
      ]
    • 键合成本:依赖键合技术(如D2W/W2W)和能量密度((EPA_{D2W/W2W})),公式:
      [
      C_{bonding} = \sum_{i=1}^{N-1} \frac{CI_{emb} \cdot EPA \cdot A_{die_i}}{Y_{bonding_i}}
      ]
    • 封装与中介层:按面积计算((CPA_{packaging})、(s_{Si_int})等缩放因子)。
2.3 运行碳((C_{operational}))计算
  • 基于功率消耗((P_{app}))、运行时间((T_{app}))和使用地碳强度((CI_{use})):
    [
    C_{operational} = \sum_{k} CI_{use} \cdot P_{app_k} \cdot T_{app_k}
    ]
  • 功率模型:包括芯片能效((Eff_{die}))和I/O驱动功率((P_{IO})),后者与引脚密度、BEOL层数相关。
2.4 带宽约束
  • 确保3D/2.5D IC的I/O带宽不低于2D芯片的片上带宽,否则视为“无效”(如NVIDIA THOR的2.5D设计因带宽不足被排除)。
3. 验证案例
案例类型关键对比数据(3D-Carbon vs. 其他工具)
EPYC 74522.5D MCM隐含碳:3D-Carbon比LCA低4.4%,封装碳3.47kg(ACT+仅0.15kg)
Lakefield3D堆叠良率差异:D2W键合良率89.3%(W2W为79.7%),更贴近实际
4. NVIDIA自动驾驶GPU案例
4.1 设计对比
  • Homogeneous:将2D芯片拆分为两个相似芯片(7nm工艺)。
  • Heterogeneous:逻辑层7nm,存储/I/O层28nm,减少先进工艺面积。
4.2 关键结果
技术类型隐含碳节省率总碳节省率选择指标 (T_c)替换指标 (T_r)
M3D 3D65.53%41.03%< 0(立即节省)> 19年
Hybrid 3D35.64%21.71%> 0> 75年
EMIB 2.5D23.69%6.5%< 22年
  • 结论:3D设计(尤其M3D)在选择场景(新设计)中显著低碳,但替换场景(升级现有2D)因高隐含碳成本不划算((T_r)超过设备寿命10年)。
5. 工具价值与开源
  • 开源代码:https://github.com/UMN-ZhaoLab/3D-Carbon,支持早期设计阶段碳评估。
  • 行业影响:填补3D/2.5D IC碳建模空白,推动绿色集成技术发展。

关键问题与答案

1. 为什么需要3D-Carbon工具?

答案

  • 3D/2.5D ICs因工艺复杂性(如额外键合、中介层)导致隐含碳计算困难,现有工具(如ACT+)未考虑3D堆叠细节,工业数据库依赖过时数据。
  • 3D-Carbon首次针对3D/2.5D架构,量化隐含碳与运行碳,引入带宽约束评估设计可行性,填补了环境可持续性分析的空白。
2. 3D-Carbon如何计算隐含碳?

答案

  • 隐含碳包括芯片制造、键合、封装、中介层四部分。
    • 芯片制造:基于每晶圆碳排、芯片数和良率,考虑TSV和I/O驱动的额外面积。
    • 键合:根据键合技术(如微凸点、混合键合)的能量密度和良率计算,D2W堆叠因可预筛选芯片良率更高。
    • 封装与中介层:按面积比例缩放,如硅中介层面积为芯片总面积的(s_{Si_int})倍((s \geq 1))。
3. 案例研究中3D设计的低碳优势体现在哪?

答案

  • 在NVIDIA DRIVE ORIN案例中,M3D 3D设计相比2D节省65.53%隐含碳,因减少BEOL层数和先进工艺面积(逻辑层7nm,存储层28nm)。
  • 运行碳方面,3D设计因短互连降低功耗,但2.5D设计因带宽不足导致性能下降,反增运行碳。
  • 决策指标:3D设计的(T_c)(选择场景)< 10年(设备寿命),而替换场景因(T_r)过长(>19年)不推荐。

原文:
3D-Carbon: An Analytical Carbon Modeling Tool for 3D and 2.5D Integrated Circuits

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