【IC】MOM、MIM 和 MOS 电容器之间的区别

从最基本的层面上讲，所有电容器都通过由介电（绝缘）材料隔开的电导体（极板）来存储能量。当一个极板接收正电荷而另一个极板接收负电荷时，电容器就会保持电荷。电容器种类繁多，用途各异 — 从存储数字电路中的计算机内存，到过滤电子信号中的噪声，再到保护电路的一部分免受另一部分的影响，等等。

让我们来看看三种常见的模拟集成电路电容器：金属氧化物金属、金属绝缘体金属和金属氧化物半导体电容器。

什么是金属氧化物金属 (MOM) 电容器？

金属氧化物金属 (MOM) 电容器是芯片中使用的小型多功能设备。它们是由金属层形成的交错式（像两只紧握的手的手指一样交错）多指电容器。标准金属布线（以及可选的通孔 - 接线板上的镀通孔）用于创建电容器的极板，极板之间的横向（层内）电容耦合效应产生所需的电容。

与垂直耦合相比，这种横向电容耦合具有更优的匹配特性，这主要是因为横向尺寸的工艺控制比金属和介电层厚度的工艺控制更严格。为了增加电容密度，可以使用通孔将多个金属层并联，形成垂直金属壁或网格。通常，MOM 电容器采用金属线宽和间距最小的最低金属层（如 M1-M5），以最大化电容密度。

金属氧化物金属电容器结构

金属氧化物金属电容器的优点

• 低成本
• 高电容密度
• 优异的射频（RF）特性
• 优异的匹配特性
• 无需额外的遮罩层
• 对称平面结构

金属氧化物金属电容器的缺点

• 中等底板寄生效应
• 低密度
• 更高的串联电感和电阻
• 低击穿电压

金属氧化物金属电容器的应用

• 高速 集成电路（IC）
• 微电子 RF 和模拟应用
• 振荡器电路

什么是金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器？

金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器是另一类具有独特优势的紧凑型电容器。它们类似于平行板电容器，其中金属板（电极）由绝缘材料（电介质）隔开。这些电容器被广泛使用，因为它们具有高单位面积电容。为了进一步提高电容值，MIM 电容器通常使用三个板、标准制造工艺的两层金属层（通常是最顶层）和中间的特殊金属层构成。这种独特的布置使 MIM 电容器能够实现更高的电容密度，同时保持与其绝缘电介质材料相关的稳定性能和低泄漏的优势。

金属-绝缘体-金属电容器结构

金属-绝缘体-金属电容器的优点

• 电容稳定
• 单位面积电容高
• 优良品质因素
• 线性好

金属绝缘体金属电容器的缺点

• 创建遮蔽层需要特殊工艺
• 成本增加

金属-绝缘体-金属电容器的应用

• 集成电路（IC）
• 内存模块
• 射频和微波设备
• 光电探测器

什么是金属氧化物半导体 (MOS) 电容器？

金属氧化物半导体 (MOS) 电容器本质上是一种用作电容器的晶体管，其中栅极是电容器的顶板，漏极和源极连接构成底板，栅极的薄氧化层是绝缘层。MOS 电容器本身并不是广泛使用的设备。然而，它是 MOS 晶体管（金属氧化物半导体场效应晶体管，或 MOSFET）的一部分。

MOS 电容器的电容值取决于施加在栅极上的直流电压。变化的电压会改变栅极上的耗尽区，从而改变介电特性，进而改变电容。MOS 电容器特别适用于直流电压保持恒定的局部电源去耦应用。

金属氧化物半导体电容器的优点

• 与 MIM 电容器相比，单位面积电容更高
• 栅极处有更薄的绝缘体（SiO 2 ）

金属氧化物半导体电容器的缺点

• 电容变化很大，电压限制使用
• 底板的寄生电阻会影响性能

金属氧化物半导体电容器的应用

• 集成电路
• 模拟电路
• 电压基准电路
• 可调滤波器

P型半导体金属氧化物半导体电容器

MOM、MIM 和 MOS 比较

利用仿真进行电容提取

MOM 电容器是一种复杂的结构，体积相当大，由许多超薄指状物组成。它们极易受到版图相关效应 (LDE) 引起的失真的影响。因此，精确地模拟 LDE 以确保计算出准确的 MOM 电容器模型至关重要。在整体版图的背景下对 MOM 电容器进行建模可以让设计人员预测它们与电路其余部分之间的电容耦合，这对于敏感应用至关重要。但是，使用传统的电磁 (EM) 求解器并不总是能够达到这种精度水平。因此，设计人员通常选择将 MOM 电容器视为分立元件，并将其模型直接连接到测试台。

制造 MIM 电容器的挑战更大，因为在制造过程中需要额外的掩模层。技术文件中引入了特定的 MIM 层来定义和设计 MIM 电容器。在完整布局的背景下对完整的 MIM 结构进行建模对于预测电容精度至关重要。

MOM 和 MIM 电容器广泛用于 IC，尤其是 RF 和模拟应用。使用仿真软件准确建模这些电容器对于电容精度和布局匹配要求至关重要。Ansys RaptorH能够提取所有无源元件的电磁模型，并可对成熟或仍在进行的布局进行任意布线。元件可以是平面（实心或穿孔）、传输线、螺旋电感器和 MIM/MoM 电容器，它们可以与高速/高频布线一起提取，以计算完全耦合的电磁模型。这包括自动化的额外好处，可以非常简单快速地设置电磁提取运行。

参考资料：
CMOS compatible MIM decoupling capacitor with reliable sub-nm EOT high-k stacks for the 7 nm node and beyond