AT89S8253片内EEPROM字节读、字节写、页读、页写驱动代码、注意事项及注释

最新推荐文章于 2023-01-14 11:54:47 发布
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分类专栏： 单片机 驱动 EEPROM 文章标签： 汇编 c语言 硬件 at89s8253 eeprom
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在编写AT89S8253片内EEPROM读写驱动程序时，要特别注意数据读写指令MOVX；

当EECON寄存器的EEMEN位置位时，MOVX访问EEPROM；

当EECON寄存器的EEMEN位清零时，MOVX访问外部RAM；

一般情况下，我们定义的用来写入EEPROM的数据或保存EEPROM读取的数据都用外部RAM；代码具体分析如下：

C语言页写入代码：

unsigned char W_EEPROM_PAGE(unsigned int paddr, unsigned char *pdat)

{

unsigned char temp;

EECON |= EEMEN;

EECON |= EEMWE;

...

For(temp = 0; temp < 32; temp++)

XBYTE[paddr+temp] = pdat[temp];

...

EECON &= ~EEMEN;

EECON &= ~EEMWE;

}

此代码逻辑清晰，容易理解，可是编译器没有那么智能；编译器知道pdat指针指向的数据在外部RAM中，用MOVX指令可以读取；编译器也知道paddr表示的是要写入EEPROM的地址，页用MOVX指令访问；于是，编译器就将代码翻译成如下汇编指令：

ORL   EECON,#08H

ORL   EECON,#010H

...

?C0045:

;  XBYTE[paddr+temp]= pdat[temp]; //将前31字节写入页写缓冲区

; SOURCE LINE # 242

MOV  DPTR,#pdat?663

MOVX A,@DPTR

MOV  R3,A

INC  DPTR

MOVX A,@DPTR

MOV  R2,A

INC  DPTR

MOVX A,@DPTR

MOV  R1,A

MOV  DPL,R7

MOV  DPH,#00H

LCALL?C?CLDOPTR

MOV  R6,A

MOV  A,R7

MOV  R5,A

MOV  DPTR,#paddr?662+01H

MOVX A,@DPTR

ADD  A,R5

MOV  R5,A

MOV  DPTR,#paddr?662

MOVX A,@DPTR

ADDC A,#00H

MOV  DPL,R5

MOV  DPH,A

MOV  A,R6

MOVX @DPTR,A

INC   R7

MOV   A,R7

CJNE  A,#01FH,?C0045

...

ANL   EECON,#0E7H

红色部分代码是读取pdat数组里的数据，存入R6中，蓝色部分代码是将R6中的数据写入paddr表示的EEPROM的地址中去；乍一看，完全符合逻辑，可是MOVX指令的访问目标没有考虑，在EEPROM使能情况下，MOVX访问的一直是EEPROM，在上面的代码中，EEPROM始终保持使能状态，而我们的待写入数据，是保存在外部RAM中的，始终没有被读取；这样的代码，其实是将EEPROM中的某页数据复制另一页，而没有将按照我们的意愿将外部RAM中的数据写入EEPROM；因此，编译器曲解了我们的C语言代码。

到目前为止，直接编写汇编成了唯一可以解决此BUG的方法，于是乎，我们可以修改编译器汇编好的代码，在要读取外部RAM数据时，关闭EEPROM使能，获取数据，在准备写入EEPROM时，再打开EEPROM使能；于是乎，我们在频繁的打开关闭EEPROM使能；于是乎，EEPROM就不正常工作了，写入失败；

我们可以参考ATMEL官方给出的例程，编写汇编代码；例程中，写入数据是从宝贵的DATA段获取的，使用MOV指令就可以轻松得到，不用考虑MOVX访问区域的限制。

至于此，我们只有拿出32字节（EEPROM一页数据大小）宝贵的DATA段空间，用于缓存待写入数据和读出数据，才能实现正确的数据读写，实现代码如下：

;定义全局共享数据读写缓冲区(32字节)

RSEG  ?DT?AT89S8253_EEPROM_drv

           buff:   DS   32

RSEG  ?C_INITSEG

DB020H

DB020H

DBbuff

DB000H

DB  000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H

DB  000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H

DB  000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H

DB  000H

...

; unsigned char W_EEPROM_PAGE(unsigned int paddr, unsigned char * pdat)

RSEG  ?PR?_W_EEPROM_PAGE?AT89S8253_EEPROM_drv

_W_EEPROM_PAGE:

USING0

;将待写入数据从XDATA段转储到DATA段缓冲区

MOV  R4, #0H

MOV  DPH, R2

MOV  DPL, R1

w_p_dat_read:

MOV  A,#LOW(buff)

ADD  A, R4

MOV  R0, A

MOVX A, @DPTR

MOV  @R0, A

INC  DPTR

INC  R4

CJNE R4, #020H, w_p_dat_read 

;使能EEPROM

ORL   EECON,#018H

;检查电压是否达到写EEPROM要求

MOV  A,EECON

ANL  A,#02H

MOV  r0,A

jzw_p_ERROR

;等待EEPROM状态转为闲

w_p_rdy1:

MOV  A,EECON

ANL  A,#02H

MOV  r0,A

jzw_p_rdy1

;打开页写缓冲区

ORL  EECON,#020H

;向页写缓冲区中写入一页前31字节

MOVR4, #0H

MOV  DPL,R7

MOV  DPH,R6

w_p_buff:

MOVA,#LOW(buff)

ADDA, R4

MOVR0, A

MOVA, @R0

MOVX @DPTR,A

INCDPTR

INCR4

CJNER4, #01FH,w_p_buff 

;关闭页写缓冲区

ANL  EECON,#0DFH

;写入一页的最后一个数据，启动页写周期

MOVA,#LOW(buff)

ADDA, R4

MOVR0, A

MOVA, @R0

MOVX @DPTR,A

;等待硬件响应页写

w_p_busy:

MOV  A,EECON

ANL  A,#02H

MOV  r5,A

jnzw_p_busy

;等待写入完成

w_p_rdy2:

MOV  A,EECON

ANL  A,#02H

MOV  r5,A

jzw_p_rdy2

;从DATA缓冲区读取写入的最后一个字节，存于R5中

MOVA, @R0

MOVR5, A

;将写入EEPROM的最后一个字节从EEPROM中读取出来，暂存于累加器A中

MOVX A, @DPTR

;用相减后零标志位来判断写入是否正确

SUBBA, R5

JNZw_p_ERROR

;写入成功，准备返回1，表示成功

MOV  R7,#01H

JMPw_p_complete

;写入失败，准备返回0，表示失败

w_p_ERROR:

MOVR7, #0H

;页写完成，关闭EEPROM使能

w_p_complete:

ANL  EECON,#0E7H

; } ; SOURCE LINE # 66

?C0004:

RET  

; END OF _W_EEPROM_PAGE


以下为完整代码，包括字节读、字节写、页读、页写四个部分
$NOMOD51


NAME AT89S8253_EEPROM_drv


EA BIT 0A8H.7
EECON  DATA  96H  ; watchdog and memory control register 
EEMEN  EQU  00001000B  ; EEPROM access enable bit 
EEMWE  EQU  00010000B  ; EEPROM write enable bit 
EELD  EQU  00100000B  ; EEPROM page load enable bit 
WRTINH  EQU  00000001B  ; EEPROM WRTINHbit 
RDY EQU 00000010B ; EEPROM RDY/BSYbit


?PR?_R_EEPROM_BYTE?AT89S8253_EEPROM_drv      SEGMENT CODE 
?XD?_R_EEPROM_BYTE?AT89S8253_EEPROM_drv      SEGMENT XDATA OVERLAYABLE 
?PR?_R_EEPROM_PAGE?AT89S8253_EEPROM_drv      SEGMENT CODE 
?XD?_R_EEPROM_PAGE?AT89S8253_EEPROM_drv      SEGMENT XDATA OVERLAYABLE 
?PR?_W_EEPROM_BYTE?AT89S8253_EEPROM_drv      SEGMENT CODE 
?XD?_W_EEPROM_BYTE?AT89S8253_EEPROM_drv      SEGMENT XDATA OVERLAYABLE 
?PR?_W_EEPROM_PAGE?AT89S8253_EEPROM_drv      SEGMENT CODE 
?XD?_W_EEPROM_PAGE?AT89S8253_EEPROM_drv      SEGMENT XDATA OVERLAYABLE 
?C_INITSEG           SEGMENT CODE 
?DT?AT89S8253_EEPROM_drv SEGMENT DATA 
PUBLIC buff
PUBLIC _W_EEPROM_PAGE
PUBLIC _W_EEPROM_BYTE
PUBLIC _R_EEPROM_PAGE
PUBLIC _R_EEPROM_BYTE


RSEG  ?XD?_W_EEPROM_PAGE?AT89S8253_EEPROM_drv
?_W_EEPROM_PAGE?BYTE:
      paddr?345:   DS   2
ORG  2
       pdat?346:   DS   3


RSEG  ?XD?_R_EEPROM_BYTE?AT89S8253_EEPROM_drv
?_R_EEPROM_BYTE?BYTE:
       addr?040:   DS   2


RSEG  ?XD?_W_EEPROM_BYTE?AT89S8253_EEPROM_drv
?_W_EEPROM_BYTE?BYTE:
       addr?243:   DS   2
ORG  2
        dat?244:   DS   1


RSEG  ?XD?_R_EEPROM_PAGE?AT89S8253_EEPROM_drv
?_R_EEPROM_PAGE?BYTE:
      paddr?141:   DS   2
ORG  2
       pdat?142:   DS   3


RSEG  ?DT?AT89S8253_EEPROM_drv
           buff:   DS   32


RSEG  ?C_INITSEG
DB 020H
DB 020H
DB buff
DB 000H
DB  000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H
DB  000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H
DB  000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H
DB  000H




; /********************************************************************
; * 文件名:AT89S8253_EEPROM_drv_V0.6.c
; * 文件内容:AT89S8253 EEPROM字节写，字节读代码及相关测试代码
; * 创作人: 付伟龙
; * 创作时间:2013年07月11日
; * 修改时间:2013年07月20日
; * 修改内容:修改页写页读代码，修改测试代码，此版本代码能正确运行，读写EEPROM
; * 版本: v1.0
; ********************************************************************/
; 
; 
; unsigned char data buff[32] = {0};
; 
; /*******************************************************************
; * 函数原型:unsigned char R_EEPROM_BYTE(unsigned int addr)
; * 函数功能:EEPROM字节读函数
; * 输入参数: unsigned int addr 读基地址
; * 输出参数: 无
; * 返回值: 读取到的数据
; *******************************************************************/
; unsigned char R_EEPROM_BYTE(unsigned int addr)//读一地址，返回所读值 


RSEG  ?PR?_R_EEPROM_BYTE?AT89S8253_EEPROM_drv
_R_EEPROM_BYTE:
USING 0
; SOURCE LINE # 21
; MOV   DPTR,#addr?040
; MOV   A,R6
; MOVX @DPTR,A
; INC   DPTR
; MOV   A,R7
; MOVX @DPTR,A
; {
; SOURCE LINE # 22
orl  EECON, #EEMEN ; enable EEPROM accesses  ]


r_b_rdy:
MOV   A,EECON
ANL   A,#02H
MOV   r0,A
jz r_b_rdy


mov  DPH, R6
mov  DPL, R7
movx  A, @dptr  ; read EEPROM 
xrl  EECON, #EEMEN ; disable EEPROM accesses
; SOURCE LINE # 23
MOV   R7,A
; }
; SOURCE LINE # 24
?C0001:
RET  
; END OF _R_EEPROM_BYTE


; 
; /*******************************************************************
; * 函数原型:void R_EEPROM_PAGE(unsigned int paddr, unsigned char * pdat)
; * 函数功能:EEPROM页读函数
; * 输入参数: unsigned int paddr 读基地址
; * unsigned char * pdat 数据保存指针
; * 输出参数: pdat 读取数据保存地址
; * 返回值: 无
; *******************************************************************/
; void R_EEPROM_PAGE(unsigned int paddr, unsigned char * pdat)


RSEG  ?PR?_R_EEPROM_PAGE?AT89S8253_EEPROM_drv
_R_EEPROM_PAGE:
; SOURCE LINE # 34
; MOV   DPTR,#paddr?141
; MOV   A,R6
; MOVX @DPTR,A
; INC   DPTR
; MOV   A,R7
; MOVX @DPTR,A
; INC   DPTR
; MOV   A,R3
; MOVX @DPTR,A
; INC   DPTR
; MOV   A,R2
; MOVX @DPTR,A
; INC   DPTR
; MOV   A,R1
; MOVX @DPTR,A
; {
orl  EECON, #EEMEN
r_p_rdy:
MOV   A,EECON
ANL   A,#02H
MOV   r0,A
jz r_p_rdy


mov r4, #0h
mov  DPH, R6
mov  DPL, R7
r_p_next:
movx  A, @dptr  ; read EEPROM
mov  r5, A


MOV  A,#LOW (buff)
ADD  A, R4
MOV  R0, A
MOV  @R0, AR5
INC  DPTR
INC  R4
CJNE R4, #020H, r_p_next
ANL  EECON,#0F7H


MOV  R4, #0H
MOV  DPH, R2
MOV  DPL, R1
r_p_save:
MOV  A,#LOW(buff)
ADD  A, R4
MOV  R0, A
MOV  A, @R0
MOVX @DPTR, A
INC  DPTR
INC  R4
CJNE R4, #020H, r_p_save
; }
; SOURCE LINE # 37
RET  
; END OF _R_EEPROM_PAGE


; 
; /*******************************************************************
; * 函数原型:unsigned char W_EEPROM_BYTE(unsigned int addr ,unsigned char dat)
; * 函数功能:EEPROM字节写函数
; * 输入参数: unsigned int addr 写基地址
; * unsigned char dat 待写入数据
; * 输出参数: 无
; * 返回值: 1 写入成功
; * FALSE 写入失败
; *******************************************************************/
; unsigned char W_EEPROM_BYTE(unsigned int addr ,unsigned char dat)


RSEG  ?PR?_W_EEPROM_BYTE?AT89S8253_EEPROM_drv
_W_EEPROM_BYTE:
USING 0
; SOURCE LINE # 48
; MOV   DPTR,#addr?243
; MOV   A,R6
; MOVX @DPTR,A
; INC   DPTR
; MOV   A,R7
; MOVX @DPTR,A
; INC   DPTR
; MOV   A,R5
; MOVX @DPTR,A
; {
ORL   EECON,#018H


MOV   A,EECON
ANL   A,#02H
MOV   r0,A
jz w_b_ERROR


w_b_rdy1:
MOV   A,EECON
ANL   A,#02H
MOV   r0,A
jz w_b_rdy1

MOV   DPL,R7
MOV   DPH,R6
MOV   A,R5
MOVX @DPTR,A
w_b_busy:
MOV   A,EECON
ANL   A,#02H
MOV   r0,A
jnz w_b_busy
w_b_rdy2:
MOV   A,EECON
ANL   A,#02H
MOV   r0,A
jz w_b_rdy2


MOVX A, @DPTR
SUBB A, R5
JNZ w_b_ERROR


MOV   R7,#01H
JMP w_b_complete
w_b_ERROR:
MOV R7, #0H
w_b_complete:
ANL  EECON,#0E7H
; }
; SOURCE LINE # 51
?C0003:
RET  
; END OF _W_EEPROM_BYTE


; 
; /*******************************************************************
; * 函数原型:W_EEPROM_PAGE(unsigned int paddr, unsigned char * pdat)
; * 函数功能:EEPROM页写函数
; * 输入参数: unsigned int paddr 写基地址(必须是页大小的整数倍，
; * 若不是整数倍，写入此地址所在页)
; * unsigned char * pdat 待写入数据指针
; * 输出参数: 无
; * 返回值: 1 写入成功
; * FALSE 写入失败
; *******************************************************************/
; unsigned char W_EEPROM_PAGE(unsigned int paddr, unsigned char * pdat)


RSEG  ?PR?_W_EEPROM_PAGE?AT89S8253_EEPROM_drv
_W_EEPROM_PAGE:
USING 0
; SOURCE LINE # 63
; MOV   DPTR,#paddr?345
; MOV   A,R6
; MOVX @DPTR,A
; INC   DPTR
; MOV   A,R7
; MOVX @DPTR,A
; INC   DPTR
; MOV   A,R3
; MOVX @DPTR,A
; INC   DPTR
; MOV   A,R2
; MOVX @DPTR,A
; INC   DPTR
; MOV   A,R1
; MOVX @DPTR,A
; {
MOV  R4, #0H
MOV  DPH, R2
MOV  DPL, R1
w_p_dat_read:
MOV  A,#LOW(buff)
ADD  A, R4
MOV  R0, A
MOVX A, @DPTR
MOV  @R0, A
INC  DPTR
INC  R4
CJNE R4, #020H, w_p_dat_read


ORL   EECON,#018H


MOV   A,EECON
ANL   A,#02H
MOV   r0,A
jz w_p_ERROR


w_p_rdy1:
MOV   A,EECON
ANL   A,#02H
MOV   r0,A
jz w_p_rdy1


ORL   EECON,#020H


MOV R4, #0H
MOV   DPL,R7
MOV   DPH,R6
w_p_buff:
MOV A,#LOW(buff)
ADD A, R4
MOV R0, A
MOV A, @R0
MOVX @DPTR,A
INC DPTR
INC R4
CJNE R4, #01FH,w_p_buff 


ANL   EECON,#0DFH


MOV A,#LOW(buff)
ADD A, R4
MOV R0, A
MOV A, @R0
MOVX @DPTR,A


w_p_busy:
MOV   A,EECON
ANL   A,#02H
MOV   r5,A
jnz w_p_busy
w_p_rdy2:
MOV   A,EECON
ANL   A,#02H
MOV   r5,A
jz w_p_rdy2


MOV A, @R0
MOV R5, A
MOVX A, @DPTR
SUBB A, R5
JNZ w_p_ERROR


MOV   R7,#01H
JMP w_p_complete
w_p_ERROR:
MOV R7, #0H
w_p_complete:
ANL  EECON,#0E7H
; } ; SOURCE LINE # 66
?C0004:
RET  
; END OF _W_EEPROM_PAGE


END
肖恩•布莱恩特
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AT89S8253_ISP_烧录器制作
03-05
这个是我找到好久才找到的，并且已做制做成功。这个最新的芯片，很少有支持下载。
AT89S8253 EEPROMD读写
07-06
对于AT89S8253 eeprom的读写，和89s8252有点区别
STM32之I2C对EEPROM 页读写、连续读写操作
weixin_47321452的博客
10-20 6759
STM32之I2C连续读写
AXI_IIC读写操作-页读页写
qq_32134427的博客
11-02 1724
上周终于将页读页写的操作也实现了，发现比单字节读写能省一半的时间，不错不错，同样注意的是时间间隔，适当延时： 下面的代码是将之前的代码做修改后的，那么操作流程是： 单字节写入五个数 单字节依次读出五个数 页读页写，重复64次，遍历整个地址空间。 #include <stdio.h> #include "platform.h" #include "xil_printf.h" #include "xparameters.h" #include "xil_io.h" #include "sleep.h
stm8单片机内部存储EEPROM字节读写实例解析
Ataraxia的专栏
01-03 9734
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eeprom.rar_89c52_EEPROM读写程序_at89c52_eeprom_i2c for display
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标题中的“eeprom.rar_89c52_EEPROM读写程序_at89c52_eeprom_i2c for display”揭示了这个压缩包文件的主要内容：它包含了一个基于AT89C52微控制器的EEPROM读写程序，且这个程序设计用于I2C通信协议，目的是为了实现...
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【STM32实用例程】软件IIC(I2C)+EEPROM(AT24Cxx多型号芯片)通用代码（附带芯片手册）
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针对AT24CXX芯片的（SequentialRead&PageWrite）指定地址的连续读写模式，编写了以页(Page)为单位的多字节连续读写函数，具体还分为只在当前页操作和可跨页操作两种类型，通过这一部分的学习可深入了解AT24CXX系列...
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修改版，ISP下载程序，12K flash rom，3 16byte timer，片内power-on reset
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支持AT24C02、AT24C04、AT24C08、AT24C016、AT24C32、AT24C64、AT24C128、AT24C256的EEPROM读写驱动程序。 支持单个字节写入读取，页写入，连续写入，顺序读操作。
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河北正定欢迎您-少占鱼
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/****说明:结合我手上的板子,显示部分代码没有规律。上班时间没事用了俩小时看芯片资料带改,下班后一试直接成功。用手机看的PDF sheet,可把我累死了!测试功能:0-60循环计数,断电保护存储最后数值,重启继续。*****/#include ;gt;#include ; //52系列单片机头文件#define uchar unsigned char#define uint unsigned 
24C02 EEPROM 51汇编程序设计
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最近在学习汇编完成常用芯片的控制，并预留一些接口。24C02是我购买的开发板上的芯片，故先从他入手。（更新中） 24C02数据手册理解 推荐的数据手册 24C02的开发商很多，数据手册的设计参差不齐，而我实在是不知道开发板上这个是哪个公司生产的，故浏览了一些厂商的数据手册，总的来说性能差异不太大。 故选择一个我认为将时序说的比较清楚的数据手册推荐给大家。 24C02数据手册-CSDN免积分下载 传输状态 1.开始传输状态 SCL高，SDA下降沿。(时序4) 2.停止传输状态 SCL高，SDA上升沿。
EEPROM CAT24CXX实现分页读、写数据
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01-01 9229
EEPROM CAT24CXX实现分页读、写数据
I2C总线的EEPROM24C02按页操作
weixin_46733914的博客
11-13 3333
直接进入正题，我们先来分析一下，24C02的按页写时许与注意事项： 注意事项：首先你要确认你的24C02器件一次按页写入能够写多少个字节，这个建议去查看官方数据手册，这里为例的是一次只能读取8字节的24C02 页写操作的启动与单字节写一样是：启动总线-器件寻址-子器件寻址-写入数据-停止信号！当然应答信号不要忘记给哦，谁接收谁应答！！ 在按页写之前要考虑好器件的内存空间和一次最多能够读取多少个字节，要不然可能会擦写掉你之前写入的数据，因为一旦发送的字节超出了范围，那么器件的地址计数器就会自动翻转，简单来说
帮我写出基于STM32F103 ,AT24C16程序驱动包含页写和页读，HAL库实现
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#define EEPROM_ADDR 0xA0 // EEPROM address #define PAGE_SIZE 16 // Page size in bytes uint8_t eeprom_buffer[PAGE_SIZE]; // Page buffer /* Function to write to EEPROM */ void write_to_eeprom(uint16_t...
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