APM4953

最新推荐文章于 2023-11-21 11:17:33 发布
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版权
APM4953:双P沟道MOSFET
APM9435:单P沟道MOSFET

4953内部包括两个独立的、P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻RDS（ON）

，适合用LED显示屏，LED显示器驱动，也可用来做负载开关或PWM开关

应用领域

　　LED显示屏，LED显示器等
　　负载开关或者PWM开关

4953 9435 SOP-8:
特点:耐用性和可靠性极强
     耐高温,低稳等恶劣工作环境

APM4953采用无铅的SOP-8 封装，主要作为 电源的开关和PWM的功率器件的应用，常用在

车载 电子、LCD、便携DVD等电子产品上. 兼容SI4953，AP4953，STM9435，MT9435
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APM4953大中LED显示驱动
anchangic的博客
07-03 1546
APM4953采用无铅的SOP-8封装，主要作为电源的开关和PWM的功率器件的应用，常用在车载电子、LCD、便携DVD等电子产品上. 兼容SI4953，AP4953，STM9435，MT9435 APM4953应用:笔记本电脑的电源管理,便携式设备和电池供电系统 APM4953特征 -30V/-4.9A RDS（ON）=53mΩ@ VGS =-10V RDS（ON）=80mΩ@Vgs=-4.5V 超高密度电池设计,稳定和强固,SO-8封装 APM4953双沟道增强型...
APM4953KC-TRL-VB一款SOP8封装2个P沟道的MOS管应用领域讲解
12-15
《APM4953KC-TRL-VB：双P沟道MOS管的应用与特性解析》 APM4953KC-TRL-VB是一款采用SOP8封装的双P沟道MOS场效应晶体管，其在电子设计领域扮演着重要的角色。这款器件以其高效能和广泛应用而备受关注。以下将详细介绍...
APM4593
u011910350的博客
03-01 837
APM4953:双P沟道MOSFET APM9435:单P沟道MOSFET 4953内部包括两个独立的、P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻RDS（ON） ，适合用LED显示屏，LED显示器驱动，也可用来做负载开关或PWM开关 应用领域 　　LED显示屏，LED显示器等 　　负载开关或者PWM开关 4953 9435 SOP-8: 特点:耐用性和可靠性极
APM4953资料
01-21
APM4953资料，很好的哦，希望能给你带来帮助！
stm32学习笔记：点阵模块74HC595、APM4953
qq_42680785的博客
03-18 7620
最近由于一个大作业的需要，买了一块16*16的点阵模块研究了一番，实物图如下： 这个模块有高配版本是可以显示两个颜色的，我买的是只有一个颜色的，所以有一部分芯片没焊。 用到的主要芯片有：74HC138、74HC595、APM4953 74HC138 也就是我们常说的38译码器，原理图如下： 通过对ABC三位二进制的译码，在Y0-Y7中对应的端口输出，低电平有效。其中E1#、E2#和E3为使...
锂电池管理
greatwgb的博客
11-06 3197
锂电池保护板主要由保护IC和MOS管构成 　　（1）保护IC主要参数 　　1) 封装 　　2) 过充电压 　　3) 过充释放电压 　　4) 过放电压 　　5) 过放释放电压 　　6) 耐压 　　(2) MOSFET主要参数 　　1) N沟、P沟 　　2) 内阻 　　3) 封装（TSSOP8 、SOP8、SOT23-6等）
APM9435KC-TRL-VB一款P沟道SOP8封装MOSFET应用分析
VBsemi的博客
11-21 709
4. **导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。5. **门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。2. **额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为-30V。3. **最大持续电流（Id）**：这款MOSFET的最大电流承受能力为-6A。6. **阈值电压（Vth）**：这款MOSFET的阈值电压为-1.5V。- 门源电压范围（Vgs）：20V（正负）
p沟道apm4953场效应管
07-01
### p沟道APM4953场效应管知识点总结 #### 一、产品概述 APM4953是一款双通道增强型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件由ANPEC Electronics Corp.生产，并在2003年2月进行了修订（版本A.2）。这...
SOP8封装双P沟道MOSFET APM4953KC-TRL-VB应用与特性解析
"APM4953KC-TRL-VB是一款采用SOP8封装的双P沟道30V MOSFET，具有无卤素、TrenchFET®技术及100%UIS测试等特点，适用于负载开关等应用场景。产品参数包括：在VGS=-10V时的RDS(on)为0.029Ω，VGS=-4.5V时的RDS(on)为0....
低压mos大全
zhangjiayue123的专栏
09-26 2719
KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A、 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300， AP2300，MT2300，ME2300 KD2302 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A 可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的23
主流锂电池保护板原理
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S8261和DW01-8205A主流锂电池保护板原理图说明 S8261, DW01, 8205A, 锂电池, 保护板 锂电池保护板的主要参数 　　锂电池保护板主要由保护IC和MOS管构成 　　（1）保护IC主要参数 　　1) 封装 　　2) 过充电压 　　3) 过充释放电压 　　4) 过放电压 　　5) 过放释放电压 　　...
NDS9435快速开关MOS管的使用
zhandoushi的专栏
06-02 9272
<br />      9435用来对屏开关的快速控制，典型电路如下：<br />  <br />      9435的第四脚是开关控制，低开有效。所以电路中会根据需求用若干三极管来控制输入。1、2、3则是电压输入端，5,6,7,8是输出端。为了去掉电源的纹波干扰，一般会在R5两端并联一个贴片电容，当芯片工作时，电容接地有效滤出杂波。虽然9435后面也有电容滤波，但一般容量较小，如果容量太大，频繁开关机时由于电容放电慢，屏始终有电，开机出现显示数据时避免不了白屏或者闪屏。<br /> <br /> <br
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