目录
一、前言
1.事先声明
- 以下参考哈工大模电教材,以下“教材”均指哈工大的教材
- 红色表示重要的地方;橙色表示次重要的地方;棕色表示重要的概念名称。
2.学习感悟
- 1.我个人认为,要想把这门课学明白,首先要把半导体的基本原理弄明白,不然后面有一些理论推导可能会很劝退、记不住。
- 一定要学会自己推导原理、公式。如果自己能够不看书而推导出来,那么对于这些知识可以说明非常熟悉了,等到运用的时候会得心应手。
二、正文
1.半导体基础知识
(1)导电能力
介于导体和绝缘体之间。
(2)常用材料
硅、锗(都是四价元素)。
(3)特性
- 有些半导体在环境温度升高时导电能力显著增强;
- 有些半导体在受到光照时导电能力显著增强;
- 纯净半导体掺入微量杂质导电能力显著增强。
2.本征半导体
(1)共价键结构
具体参见化学,我给出图
(2)两种载流子(定向移动能够产生电流)
自由电子与空穴
(3)本征激发(热激发)
当半导体处于热力学温度0K时,半导体没有自由电子。当温度升高(大于0K)或受到光照时,有些价电子获得足够能量,挣脱共价键束缚形成自由电子,但是数量相对较少。
注意空穴的形成就是当价电子挣脱束缚变为自由电子时,会在原来的空位留下带正电的空穴
(4)复合
自由电子在运动过程中与空穴相遇,自由电子填补空穴的过程。
(5)电流的形成过程
- 先在外部加一个电场;
- 由于本征激发产生的自由电子会受到电场力而定向移动,产生电流。那还有另一个载流子——空穴是如何产生电流的呢?
- 第(3)(4)说了,产生一个自由电子的同时,会产生空穴。而这个空穴的附近的价电子很容易填补这个空穴,这个填补的过程导致价电子原先位置又产生空穴。那么,假设电子是正方向移动,那么空穴可以看做是反方向移动,又由于空穴带正电,这个反方向移动的过程同样会产生电流,并且方向与自由电子产生的电流方向是相同的。如下图所示
(6)作用
没啥用!因为本征激发较弱,产生的载流子非常少,导致导电能力很弱!
3.杂质半导体
根据掺入杂质的不同可分为N型半导体与P型半导体
(1)N型半导体
①构成:在本征半导体中掺入适量的五价元素
②原理:
- 掺入的五价杂质原子的最外层有5个价电子,它与周围4个硅原子组成共价键时多余一个电子,这个多余的电子不受共价键束缚,只受自身原子核吸引,只需获得很少的能量就能脱离原子核束缚成为自由电子(这样产生的自由电子的数量是远远多于本征激发的);
- 失去自由电子的杂质原子不能移动,并成为带正电的正离子;
- 仍然有本征激发产生自由电子与空穴,但是数量少;
- 此时称自由电子为多子,空穴为少子。N型半导体主要靠多子——自由电子导电。
(2)P型半导体
不多赘述,与N型半导体不同在于掺入的是三价元素,多子为空穴
(3)记忆方法
“P”这个字母,中间是空的,那么它构成的半导体的多子就是空穴
4.PN结
重点开始了!当P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上就会产生奇妙的性质。后面会一直用到这个PN结,必须要清楚原理。
(1)PN结的形成
- P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上
- 在P型半导体和N型半导体的交界面,自由电子和空穴两种载流子的浓度差很大(注意)。之前叙述了P型半导体的多子为空穴,N型半导体的多子为自由电子,那么二者之间的浓度差载流子会进行扩散运动(从高浓度->低浓度),形成扩散电流。
- 扩散时,部分空穴与电子会在N型半导体和P型半导体的交界面上复合。复合会导致交界面附近只剩下不能移动的正离子和负离子。称中间部分为空间电荷区或耗尽层,这个概念一定要记住!后面还会反复用到。
-
- 那么中间会产生一个电场,电场方向由正离子指向负离子。
- 这个电场的作用有两个:一个是阻碍了扩散运动;另一个是促进了P区少子向N区移动,N区少子向P区移动,这个过程称作漂移运动,产生的电流称为漂移电流。漂移运动会使空间电荷区变窄(因为少子漂移过去电性就与离子电性中和了嘛)。
- 很有意思的现象是:浓度差产生了多子的扩散运动,多子的扩散运动使形成了空间电荷区,形成内电场。这样的内电场反过来阻碍多子的扩散运动,促进少子的漂移运动。而少子的漂移运动使空间电荷区变窄,变窄之后扩散运动又会增强,内电场又会增加。来回往复直至动态平衡。此时,空间电荷区宽度不再发生变化,电流为0。
-
(2)PN结的单向导电性
PN结在通电流时有两种状态,一种是导通,此时加的电压称为正向电压,称PN结正向偏置;另一种是截止,此时加的电压称为反向电压,称PN结反向偏置。一定要记住加的电压的方向,后面会经常用到!
①加正向电压:P区电位高于N区,内电场与外电场方向相反使空间电荷区变窄。
②加反向电压:P区电位低于N区,内电场与外电场方向相同使空间电荷区变宽。
③分析
(3)PN结的伏安特性
理论分析得出:
是PN结的反向饱和电流,是热力学温度T的电压当量,室温下约等于26mV
称为反向击穿电压。硅材料的PN结反向击穿在4V以下为齐纳击穿;7V以上为雪崩击穿;4~7V之间两种击穿均可产生。具体机理就不说了。
这两种击穿属于电击穿,电击穿后不代表二极管就损坏了。只有当PN结电流较大导致PN结温度过高产生热击穿,此时PN结才会永久损坏。
只要电流不是很大,PN结不热击穿,PN结能够工作在反向击穿区,利用这个特点人们制作了稳压二极管。
5.半导体二极管
(1)构造
将PN结用外壳封装起来,加上电极引线就构成了半导体二极管。与PN结伏安特性略有不同,是因为存在半导体体电阻和引线电阻,使得半导体二极管的正向电流比理想PN结正向电流小,正向压降比理想PN结正向压降大。但近似分析时仍用PN结的电流方程式描述伏安特性。
(2)伏安特性曲线
(3)温度影响
做题时可能会碰到,记一下参数
- 当环境温度升高时,二极管的正向特性曲线左移,二极管的反向特性下移。
- 室温条件下,温度每升高1℃,二极管的正向压降减小2 ~ 2.5mV,引出温度系数的概念,温度每升高1度,正向压降升高值即为温度系数(温度系数为- 2 ~ - 2.5 mV/℃);
- 温度每升高10℃,二极管的反向饱和电流约增大一倍
-
(4)等效模型
重点,做题时一定会遇到。
①理想模型
二极管正向导通时,正向压降为0;反向截止时,反向电流为0。完全可以当作开关来用
②恒压降模型
最常用模型,也是做题遇到最多的。正向导通时需要有0.7V的开启电压,否则也还是不导通。反向截止时无电流。
6.稳压二极管
(1)稳压二极管伏安特性
是稳定电压,即反向击穿电压
是稳定电流,工作电流应满足
(2)稳压二极管稳压电路
分析稳压原理:
①若输入电压增大,负载电阻不变化:
- 首先根据KVL方程知,与()一定有增大的趋势,但只会增大一点点;
- 根据稳压二极管伏安特性曲线,知电流一定会增大,电压变化一点,电流就会增大很多;同时也会增大
- 那么由KCL知也会增大,使增大特别多
- 最后导致与减小
- 过程如下图
- 只要参数选择合适,的电压增量与电压增量一致,那么
②若输入电压不变化,负载电阻减小:
- 由于与()基本不变,那么根据电阻的伏安特性知增大;
- 然后增大,增大;
- 接着根据KVL知会减小,使急剧减小,进而使减小,减小;
- 最后使 与上升;
- 结果使几乎保持不变
- 过程如下图
综上:利用稳压二极管的电流调整作用,通过限流电阻R上的电压的变化进行补偿,实现稳压的目的。
三、习题+分析
1.钳位
分析:
(1)
根据二极管的恒压降模型可知,二极管正向压降为0.7V,可直接推出结果
(2)
(3)
- (2)与(3)的分析方法是一样的。以(2)为例子
- 根据二极管的正向压降0.7V,为0.7V还是4V呢?假设是4V,那么二极管D2正向导通电压会特别大,根据其特性曲线只通过的电流会非常非常大,导致D2烧坏,因此,D2的特性会将4V电压拉到0.7V电压避免自己被烧坏(感性理解)。假设是0.7V,那么D1截止,D2正常导通,那么电路正常使用。这个过程叫作钳位。
-
(4)
容易知道结果为4V。
答案:
2.稳压管
题目:
设VDZ1、VDZ1 稳压值都为 6V,对应输入定性画出输出波形,并表明关键电压值。
分析:
- 分析大于0情况:当较小,时稳压二极管不导通,无电流,此时;当时,稳压管特性使得
- 根据电路中的对称性,完成其余分析
答案:
实际上不是直的折线段。
可看出在上升区域,通道A电压除以通道B电压是一个常数。当达到一个电压值时会由于稳压二极管而稳定。