二极管单向导通和三极管放大的原理

一、P型半导体和N型半导体

1）纯硅不导电（因为单个硅原子最外层带有4个电子，在纯硅当中，这些电子会两两形成共价键，此时成为非常稳定的8电子结构）

2）N型半导体：4价硅和5价磷结合，硅和磷的四个电子形成8电子结构，此时多出来一个自由电子，带负电

3）P型半导体：4价硅和3价硼结合，硅和硼离8电子结构还缺一个自由电子，这个位置会形成空穴，并且带正电

二、二极管单向导通原理

        将N型半导体和P型半导体放置在一起，N型半导体带负电，P型半导体带正电，然后离得较近的正负离子会相互吸引，形成耗尽层，也就是PN结，此时P区得到新的电子会显负电，N区失去新的电子会显正电

        当加入电源之后，电源负极会产生电子朝N型移动，然后当两者的电压差大于0.7V时，自由电子就可以穿过耗尽层，然后传输到P区，然后回到电源正极。电池反向时电子不可以穿过耗尽层，不可以导通。

总结：二极管是一种由PN结制成的半导体，只要施加的电压大于结电压，电流就会流过二极管，在负偏压下，只要两端电压不超过击穿电压，二极管就会处于非导通状态。在这种状态下，二极管就像一个开路，因为反向偏置的 PN 结阻止电子流过。

三、二极管导通电压

 

四、三极管（晶体管）

1）三极管又叫做三极管有哪三极？

        基极b（激活晶体管）

        集电极c（正极收集电荷载体）

        发射极e（负极发射电荷载流子）

2）根据结构来分，有PNP和NPN两种

3）三极管的3种工作状态：截止，放大，饱和

        a）截止状态：发射结反偏，集电结反偏，三极管就会进入截止状态，Ib=Ic=Ie=0

        b）放大状态：发射结反偏，集电结正偏，Vc > Vb >Ve

        c）饱和状态：发射结正偏，集电结正偏

用更加通俗易懂的话来说（请先看懂第五点三极管放大的原理）：

        截止就是b端断开，p段里就没有空穴，N+的电子就进不去，就更不用说N段了，更过不去

        放大就是P段有多余的空穴，N+的电子进入P，同性相斥，所以P多余的电子进入N

        饱和就是电压大了，电流也大，p段没有多余的空穴，N+的电子挤在一起，进不去P段

4）三极管放大的原理

        NPN,首先图中左边是高浓度的N型半导体（1区或N+），中间是普通浓度的P型半导体（2区或P），右侧是普通浓度的N型半导体 （3区或N）       

        详细步骤：

        a）首先E极和B极之间加上电源，然后负极会将电子传输到1区，电压差大于0.7V之后PN结会导通，电子流向正极

         b）其次在E极和C极之间加上电源，正极会吸引3区的电子停留在最右侧，负极提供电子会进入1区，当B和E之间电源正极吸引2区中的一个电子形成一个空穴，然后1区会出现大量的电子抢夺那一个空穴，等某一个电子填充一个空穴后，存在大量的电子停留在已填充空穴的附近，1区同性相斥的力远远大于3区同性相斥的力，多出来的电子产生漂移运动突破耗尽层，进入3区，然后正极吸引，形成回路

        c）此过程是2区每形成一个空穴，就会有一部分电子进入3区，如果加大BE之间的电压，那么进入3区的电子就会增大，所以就出现了三级管放大，具体放大倍数如下

五、三极管的作用

电流放大

下面的分析以NPN型硅三极管举例。我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射 极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。

IC = β * IB（β一般远大于1，例如几十，几百）