存储芯片介绍

本文介绍了SPI接口的W25Q80和I2C接口的AT24C04及M24C32存储芯片。W25Q80具有8M-bit容量,支持SPI高速接口;AT24C04是1K-bit的I2C EEPROM,适合低功耗应用;M24C32提供了32K-bit的I2C EEPROM存储,兼容多种总线速度。
摘要由CSDN通过智能技术生成

W25Q80(SPI)

产品特性:
W25Q80是台湾华邦电子(Winbond)生产的8M-bit串列flash晶片。主要特性有:

工作电压:2.5 ~ 3.6 V
功耗:读写(active)时4mA,低功耗(power-down)时<1μA
容量:8M-bit/1M-byte,包含4096个页(每页大小256位元组)
介面:Standard/Dual/Quad SPI,支援时钟频率最高104MHz
支援以4/32/64k-bytes为单位进行Sector/Block擦除
一次写入最多256位元组
软体/硬体防写功能
大于10万次擦除/编程寿命
大于20年的资料保存时间
尺寸:14mm × 15mm

 

AT24C04  (I2C)

AT24C01A(1) AT24C02(2) AT24C04 AT24C08A AT24C16A(3)

型号: AT2
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1. W25Q80 (8M-bit)、W25Q16 (16M-bit)和W25Q32 (32M-bit)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通的串行闪存设备。他们是理想的代码隐藏到RAM,执行代码直接从双/四SPI (XIP)和存储声音,文本和数据。设备运行在单一2.7V至3.6V的电源上,电流消耗低至5mA有源,断电1a。所有的设备都提供节省空间的包装。W25Q80/16/32数组被组织成4,096/8,192/16,384个可编程页,每个页有256个字节。多达256字节可以被编程一次使用页程序指令。页面可以按16组(扇区擦除)、128组(32KB块擦除)、256组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)擦除。W25Q80/16/32分别有256/512/1024个可擦除扇区和16/32/64个可擦除块。小的4KB扇区为需要数据和参数存储的应用程序提供了更大的灵活性。(见图2)。W25Q80/16/32支持标准串行外围接口(SPI),和高性能双/四输出以及双/四I/O SPI使用SPI引脚:串行时钟,芯片选择,串行数据I/O0 (DI), I/O1 (DO), I/O2 (/WP),和I/O3 (/HOLD)。SPI时钟频率高达80MHz的支持允许等效时钟率160MHz的双输出和320MHz的四次输出时,使用快速读双/四次输出指令。这些传输速率可与8位和16位并行闪存存储器相媲美。一个保持针,写保护针和可编程写保护,顶部或底部阵列控制,提供进一步的控制灵活性。此外,该设备支持JEDEC标准制造商和设备识别64位唯一序列号。
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