电容应用:MOSFET的门源极并联电容

MOSFET门 源极并联电容后,开关可靠性得到提升

开关电路如下图

电路原理图,注意该应用只支持低速开关

电路解释

1.该电路用于高边开关,当MOS_ON 网络拉低到地时,开关Q1导通;
2.电路中D3作用为钳位Q1门源电压在12V左右,以保护Q1;
3.C2作用为滤除MOS_ON上的干扰以及延缓Q1上下电时间,如下图:分别为添加电容和不添加电容Q1门极电压变化情况

无电容,开启上升沿
杂波干扰
有电容上升沿

有电容下降沿

结论:通过在开关g s 并联电容,可以有效提升开关mosfet抗干扰能力,尤其在mosfet需要通过外部按键使能的应用,另外并联的电容可以有效滤除由于控制抖动导致的电源开关关断

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串联电容作用是增加总电容值。当多个电容器串联连接时,它们的电容值相加,从而增加了电路的总电容值。这对于需要更大电容值的应用非常有用,例如在汽车行业中的大型车辆,如电车。\[1\] 并联电容作用是共享电压和减小总电容值。当多个电容并联连接时,它们的电压相同,且总电容值等于各个电容器的电容值之和。这可以用于电路中需要共享电压的情况,例如在电容并联电路中,每个电容器的顶板都连接到相邻电容器的顶板,底板也是如此。\[2\] 总结起来,串联电容可以增加总电容值,而并联电容可以共享电压和减小总电容值。这些特性使得串联和并联电容在电路设计和应用中具有重要的作用。 #### 引用[.reference_title] - *1* *2* [电容并联和串联](https://blog.csdn.net/weixin_42350244/article/details/127933814)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] - *3* [电路分析 基础 电容、电感元件的串联与并联](https://blog.csdn.net/Unarmed_/article/details/111300228)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] [ .reference_list ]

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