MOSFET门 源极并联电容后,开关可靠性得到提升 开关电路如下图电路解释 开关电路如下图 电路解释 1.该电路用于高边开关,当MOS_ON 网络拉低到地时,开关Q1导通; 2.电路中D3作用为钳位Q1门源电压在12V左右,以保护Q1; 3.C2作用为滤除MOS_ON上的干扰以及延缓Q1上下电时间,如下图:分别为添加电容和不添加电容Q1门极电压变化情况 结论:通过在开关g s 并联电容,可以有效提升开关mosfet抗干扰能力,尤其在mosfet需要通过外部按键使能的应用,另外并联的电容可以有效滤除由于控制抖动导致的电源开关关断