超低功耗研发-STM32L151C8T6芯片(二)低功耗模式

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    默认情况下,系统复位后,控制器运行在RUN模式,在RUN模式下,CPU的时钟是由HCLK提供,如果CPU不需要一直保持运行 状态,是可以设置控制器为其他几种低功耗模式,比如,当控制器需要等待一个 外部中断事件时。这取决于用户选择合适的工作模式。

    该芯片具有5中低功耗模式:

    ①  低功耗运行模式:低功耗运行模式:适配器处于低电压模式,时钟频率限制在低频,部分外围的使用也受限。

    ②  睡眠模式:Cortex-M3内核停止,外围器件保持运行状态,比如RTC一直运行。

    ③ 低功耗睡眠模式:Cortex-M3内核停止,时钟频率受限(降频),部分外围运行,电源适配器处于低功耗模式,RAM断电,Flash停止。

    ④  停止模式:所有的时钟停止,电源低功耗运行。

    ⑤  待机模式:内核断电。

另外:在正常运行模式下,功耗也可以通过下面的方式降低:

  •  降低时钟频率。
  • 外围不使用的时候,APBx和AHBx外围的时钟降低。

其实这个貌似用途反而不大,可以考虑不降频,缩短整个程序运行时间,然后快速进入低功耗模式。

  

   低功耗模式下的时钟特征

    APB外设和DMA时钟是可以通过软件关闭的。

一、睡眠和低功耗睡眠模式下的时钟表现

     睡眠和低功耗睡眠模式下,CPU内核时钟停止。 睡眠模式下,内存接口时钟和其他所有外围的时钟可以通过软件设定停止。低功耗 睡眠模式下,内存接口时钟停止,而且RAM处于掉电模式,AHB-APB总线时钟被 硬件停止(前提是连接的外围器件也停止)

二、停止和待机模式下的时钟特点

    系统时钟和所有的告诉时钟停止:

  • PLL停止。
  • HIS时钟源停止。
  • HSE时钟源停止。
  • MSI时钟源也停止。

    当stop模式被中断打断跳出时,或者待机模式被reset打断跳出时,MSI时钟会被自动选择作为系统时钟。当设备从stop模式跳出后,之前的MSI配置信息保持,当设备从待机模式跳出时,定时值会被复位为默认的2MHz。

三、外围时钟选通。

    在RUN模式下,HCLK和PCLKx对应的独立外围设备和内存设备可以在任何时间设定停止,以便降低 功耗。

   在sleep模式下,通过执行WFI或者WFE指令设定外围时钟停止,可以进一步降低功耗。

   外围时钟的选通控制是通过AHB时钟使能寄存器(RCC_AHBENR)、APB2时钟使能 寄存器(RCC_APB2ENR)、APB1时钟使能寄存器(RCC_APB1ENR)

    睡眠模式下,通过reset寄存器RCC_AHBLPENR和RCC_APBxLPENR的同步位,实现自动关闭外围时钟的功能。

四、睡眠模式

      (1) 如何进入睡眠模式

       进入睡眠模式,需要执行WFI(wait for interrupt)或WFE(wait for event)指令。这两种指令都是对SLEEPONEXIT位进行配置实现的。

    sleep- now:一旦执行了WFI或WFE,(立刻睡眠)如果SLEEPONEXIT位被清除,MCU进入sleep模式。

   sleep-on-exit:如果SLEEPONEXIT位置1,如果退出ISR,MCU进入sleep模式。

    在睡眠模式下,所有的I/O口,都保持与RUN模式相同的状态。

     (2)如何退出睡眠模式

      如果通过WFI指令进入睡眠 模式,任何的外围设备的中断都能实现唤醒设备。

     如果通过WFE执行进入睡眠模式,MCU通过“事件”出现唤醒,这个唤醒的时间包括:

       ① 使能一个外围控制中断,但是不在NVIC中, 使能SEVONPEND位,外围中断挂起位 和 外围NVIC IRQ通道挂起位清除。

       ② 配置一个外部或者内部的EXTI Line作为事件模式,当CPU从WFE唤醒,不必要清除外围中断位,或者NVIC IRQ通道挂起位。

      睡眠模式进入/退出总结:

 

五、低功耗睡眠模式

    (1)如何进入 低功耗睡眠模式

        进入低功耗睡眠模式,需要配置电压适配器到低功耗模式,同时配合执行WFI或WFE指令。在这种模式下,Flash存储无效,但是RAM存储 有效。

      在这种模式下,系统频率不能超过  f_MSI range1,

     低功耗睡眠模式只有在Vcore是在电压范围2(range2 = 1.5V)才能进入。

     注意:如果APB1时钟频率小于 7倍RTC时钟频率(7*RTCLCK = 7*32.768k = 229376),那么读RTC日历寄存器就需要读2次,如果第2次读取的RTC_TR数值与第一次相同,才能确定读取数据正确, 否则就再读一次。

     有两种方式可以进入低功耗睡眠模式:

     ① 立刻睡眠:如果SLEEPONEXIT位清0,一旦执行WFI或WFE执行,MCU立刻进入低功耗睡眠模式。

     ② 通过事件睡眠:如果SLEEPONEXIT位置1,只有事件的优先级最低,MCU才进入低功耗模式。

    进入 低功耗睡眠模式下的过程如下:

       ① 通过FLASH_ACR寄存器的SLEEP_PD位,关闭Flash,这可以降低功耗,不过也会增加唤醒时间。

       ② IP Clock必须通过RCC_APBxENR和RCC_AHBENR寄存器使能或禁止。

       ③ 系统时钟频率必须降低。

       ④ 通过软件(LPSDSR bit位设定)强制电压适配器处于低功耗模式。

       ⑤ 执行WFI/WFE执行,进入睡眠模式。

   退出低功耗睡眠模式:与 睡眠模式类似。

六、停止模式

    停止模式是一种深度睡眠模式,配合外围时钟选通。电压适配器可以配置为正常或低功耗模式。

    停止模式下,Vcore时钟是停止的,PLL、MSI、HSI、HSE RC是停止的(RTC的时钟没有停止),,内部的SRAM和寄存器目录是保持的。

    为了在Stop模式下得到最低的功耗,内部Flash也要进入低功耗模式,当Flash在power down模式,当从stop模式下唤醒后,会有启动延时。

    为了实现功耗最小化,进入stop模式前,Vrefint、BOR、PVD、温度传感器可以关闭,这些外围也是可以再打开的,当从stop模式退出后,通过PWR_CR寄存器中ULP bit位。

    进入STOP模式:

    

       STOP模式下,下面的外围是可以独立编程的:

      IWDG、RTC、LSI RC振荡器、外部32.768k振荡器。

     STOP 模式退出:

     从stop模式下退出可以通过中断或者wakeup事件,退出后,MSI RC振荡器会被选做系统时钟。

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