stm32wb55 flash

FLASH:

如果在 Flash 存储器操作期间发生器件复位，则不能保证 Flash 存储器的内容。
在对闪存进行编程/擦除操作期间，任何读取闪存的尝试都会使总线停止。一旦编程/擦除操作完成，读操作就会正确进行。

解锁闪存
复位后，不允许对 Flash 存储器控制寄存器 (FLASH_CR) 或 Flash 存储器 CPU2 控制寄存器 (FLASH_C2CR) 进行写操作，以保护 Flash 存储器免受因电气干扰等可能导致的意外操作。以下序列用于解锁这些寄存器：
1. 将KEY1 = 0x4567 0123写入闪存密钥寄存器（FLASH_KEYR）
2. 将 KEY2 = 0xCDEF 89AB 写入闪存密钥寄存器 (FLASH_KEYR)。
任何错误的序列都会锁定 FLASH_CR 寄存器，直到下一次系统复位。在按键顺序错误的情况下，检测到总线错误并产生硬故障中断。
FLASH_CR 寄存器可以通过设置其中一个寄存器中的 LOCK 位由软件再次锁定。

闪存擦除操作可以在页级别（页擦除）或整个内存（整体擦除）执行。 批量擦除不影响信息块（系统闪存、OTP 和选项字节）。
闪存页擦除
CPU1 只能页擦除用户 Flash 的非安全部分。
安全 CPU2 能够页擦除用户闪存的安全和非安全部分。
只有在闪存状态寄存器 (FLASH_SR) 和闪存 CPU2 状态寄存器 (FLASH_C2SR) 中的 PESD 位允许时，才会开始页面擦除。
当一个页面受 PCROP 或 WRP 保护时，它不会被擦除。

要擦除页面（4 KB），请按照以下步骤操作：
1. 通过检查 Flash 存储器状态寄存器 (FLASH_SR) 或 Flash 存储器 CPU2 状态寄存器 (FLASH_C2SR) 中的 BSY 位来检查没有 Flash 存储器操作正在进行。
通过检查 Flash 存储器状态寄存器 (FLASH_SR) 或 Flash 存储器 CPU2 状态寄存器 (FLASH_C2SR) 中的 PESD 位来检查 Flash 存储器编程和擦除操作是否被允许（即使状态可能由于 Flash 存储器操作请求而改变，建议进行这些检查） 另一个CPU，以限制风险
开始页擦除时收到总线错误）。
2. 检查并清除由于先前编程导致的所有错误编程标志。 如果没有，则设置 PGSERR。
3. 设置 PER 位并在 Flash 存储器控制寄存器 (FLASH_CR) 或 Flash 存储器 CPU2 控制寄存器 (FLASH_C2CR) 中选择要擦除的页 (PNB)。
4. 设置 FLASH_xxCR 寄存器中的 STRT 位。
5. 等待 FLASH_xxSR 寄存器中的 BSY 位被清除。

闪存主存储器编程序列
闪存一次编程 72 位（双字，64 位加 ECC，8 位）。
只有在编程全 0 值时才允许在先前编程的双字中编程。不允许在先前编程的双字中编程任何其他值，任何尝试都会在闪存状态寄存器中设置 PROGERR 标志
(FLASH_SR) 或闪存 CPU2 状态寄存器 (FLASH_C2SR)，除非使用全 0 值对已编程的双字进行编程。
只能对双字（2 x 32 位数据）进行编程。
 任何写入字节（8 位）或半字（16 位）的尝试都会在 FLASH_xxSR 寄存器中设置 SIZERR 标志。  任何写入未与双字地址对齐的双字的尝试都会在 FLASH_xxSR 寄存器中设置 PGAERR 标志。
只有安全 CPU2 能够将编程数据下载到内存的安全部分。 CPU1 在安全闪存区域中的闪存编程被忽略，并产生总线错误。

标准编程
标准模式下的 Flash 存储器编程顺序如下：
1. 通过检查 Flash 存储器状态寄存器 (FLASH_SR) 或 Flash 存储器 CPU2 状态寄存器 (FLASH_C2SR) 中的 BSY 位来检查没有 Flash 主存储器操作正在进行。
通过检查 Flash 存储器状态寄存器 (FLASH_SR) 或 Flash 存储器 CPU2 状态寄存器 (FLASH_C2SR) 中的 PESD 位来检查 Flash 存储器编程和擦除操作是否被允许（即使状态可能由于 Flash 存储器操作请求而改变，建议进行这些检查）另一个CPU，以限制风险
开始编程时收到总线错误）。
2. 检查并清除由于先前编程导致的所有错误编程标志。如果没有，则设置 PGSERR。
3. 设置 Flash 存储器控制寄存器 (FLASH_CR) 或 Flash 存储器 CPU2 控制寄存器 (FLASH_C2CR) 中的 PG 位。
4. 在所需的内存地址、主内存块或 OTP 区域内执行数据写入操作。只能编程双字（64 位）。
a) 在与双字对齐的地址中写入第一个字
b) 写第二个词。
5. 等到 FLASH_xxSR 寄存器中的 BSY 位被清除。
6. 检查FLASH_xxSR寄存器中的EOP标志是否置位（表示烧录操作成功），并用软件清零。
7. 如果没有更多的编程请求，清除 FLASH_xxSR 寄存器中的 PG 位。

当 Flash 存储器接口接收到一个良好的序列（双字）时，会自动启动编程并设置 BSY 位。 内部振荡器 HSI16（16 MHz）在 PG 位置位时自动启用，在 PG 位清零时自动禁用，除非 HSI16 之前使用 RCC_CR 寄存器中的 HSION 启用。
如果用户只需要烧写一个字，则必须用擦除值 0xFFFF FFFF 完成双字才能自动启动烧写。ECC 是从烧写的双字计算出来的