STM32 FLASH操作

1.stm32f10xxx闪存编程参考手册写的很详细。

2.主闪存编程：

对主闪存编程每次可以写入16位。当FLASH_CR寄存器的PG位为’1’时，在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程；写入任何非半字的数据，FPEC都会产生总线错误。在编程过程中(BSY位为’1’)，任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束。

3.

4. 写入flash函数

代码正点原子例程。
用一个数组u16（半字）存放数据，然后在解锁的情况下，一个一个的复制到被写入的flash地址中去。
这里没有跨越页区。