51单片机DS18B20温度传感器详解

DS18B20是一种单总线数字温度传感器,测试温度范围-55℃-125℃,具有体积小,硬件开销低,抗干扰能力强,精度高的特点。单总线,意味着没有时钟线,只有一根通信线。单总线读写数据是靠控制起始时间和采样时间来完成,所以时序要求很严格,这也是DS18B20驱动编程的难点。

一.DS18B20温度传感器

1.引脚图

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2.DS18B20内部结构图

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主要由2部分组成:64位ROM、9字节暂存器,如图所示。

(1) 64 位ROM。它的内容是64 位序列号,它可以被看作是该DS18B20 的地址序列码,其作用是使每个DS18B20 都各不相同,这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20 的目的。

(2) 9字节暂存器包含:温度传感器、上限触发TH高温报警器、下限触发TL低温报警器、高速暂存器、8位CRC产生器。

3.64位ROM结构图

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8位CRC:是单总线系列器件的编码,DS18B20定义为28H。
48位序列号:是一个唯一的序列号。
8位系列码:由CRC产生器生产,作为ROM中的前56位编码的校验码。

4.9字节暂存器结构图

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以上是内部9 个字节的暂存单元(包括EEPROM)。
字节0~1 是温度存储器,用来存储转换好的温度。
字节2~3 是用户用来设置最高报警和最低报警值。这个可以用软件来实现。
字节4 是配置寄存器,用来配置转换精度,让它工作在9~12 位。
字节5~7 保留位。
字节8 CRC校验位。是64位ROM中的前56位编码的校验码。由CRC发生器产生。

5.温度寄存器结构图

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温度寄存器由两个字节组成,分为低8位和高8位。一共16位。
其中,第0位到第3位,存储的是温度值的小数部分。
第4位到第10位存储的是温度值的整数部分。
第11位到第15位为符号位。全0表示是正温度,全1表示是负温度。
表格中的数值,如果相应的位为1,表示存在。如果相应的位为0,表示不存在。

6.配置寄存器

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精度值:
9-bit 0.5℃
10-bit 0.25℃
11-bit 0.125℃
12-bit 0.0625℃

7.温度/数据关系

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注意:如果温度是一个负温度,要将读到的数据减一再取反

二.单总线协议

1.单总线通信初始化

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初始化时序包括:主机发出的复位脉冲和从机发出的应答脉冲。主机通过拉低单总线480-960μs产生复位脉冲;然后由主机释放总线,并进入接收模式。主机释放总线时,会产生一由低电平跳变为高电平的上升沿,单总线器件检测到该上升沿后,延时15~60μs,接着单总线器件通过拉低总线60~240μsμ来产生应答脉冲。主机接收到从机的以应答脉冲后,说明有单总线器件在线,到此初始化完成。然后主机就可以开始对从机进行ROM命令和功能命令操作。

2.位写入时序

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写时隙:当主机把数据线从逻辑高电平拉到逻辑低电平的时候,写时间隙开始。有两种写时间隙:写1的时间隙和写0时间隙。所有写时间隙必须最少持续60us,包括两个写周期间至少1us的恢复时间。DQ引脚上的电平变低后,DS18B20在一个15us到60us的时间窗口内对DQ引脚采样。如果DQ引脚是高电平,就是写1,如果DQ引脚是低电平,就是写0。主机要生成一个写1时间隙,必须把数据线拉到低电平然后释放,在写时间隙开始后的15us内允许数据线拉到高电平。主机要生成一个写0时间隙,必须把数据线拉到低电平并保持60us。

3.位读取时序

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当主机把总线从高电平拉低,并保持至少1us后释放总线;并在15us内读取从DS18B20输出的数据。

4.DS18B20的ROM操作命令
用途:主要是用于选定在单总线上的DS18B20,分为5个命令
(1).读出ROM,代码为33H,用于读出DS18B20的序列号,即64位激光ROM代码。
(2).匹配ROM,代码为55H,用于识别(或选中)某一特定的DS18B20进行操作。
(3).搜索ROM,代码为F0H,用于确定总线上的节点数以及所有节点的序列号。
(4).跳过ROM,代码为CCH,当总线仅有一个DS18B20时,不需要匹配 。
(5).报警搜索,代码为ECH,主要用于鉴别和定位系统中超出程序设定的报警温度界限的节点。

三.驱动程序

测试平台:
单片机:STC89C52RC,晶振12MHZ

#include<reg51.h>
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
sbit DQ=P3^7;  //定义数据线

void delay_us(uchar n)    //延时约16微妙
{
    while(n--);
   }

1.初始化

void DS18B20_init()
{
       DQ=1;
       delay_us(1);     //稍作延时
       DQ=0;
       delay_us(80);    //延时480到960us
       DQ=1;
       i = 0;
       while(DQ)    //等待DS18B20拉低总线
       {
           delay_us(100);
           i++;
           if(i>5)//约等待>5MS
           {
               return 0;//初始化失败
           }    
       }
}

2.写字节

void write_byte(uchar dat)   //写一个字节
{
   uchar i;
   for(i=0;i<8;i++)
   {
      DQ=0;  //每写入一位数据之前先把总线拉低1us
      _nop_();
     DQ=dat&0x01;    //取最低位写入
     delay_us(10);   //延时68us,持续时间最少60us
     DQ=1;   //然后释放总线
     dat=dat>>1;    //从低位开始写
   }
   delay_us(10);
}

3.读字节

uchar read_byte()    //读一个字节
{
  uchar i,dat=0;
  for(i=0;i<8;i++)
  {
     DQ=0;  //先将总线拉低1us
     _nop_();
     DQ=1;  //然后释放总线
     _nop_();_nop_();
     _nop_();_nop_();
     if(DQ) dat=dat|0x80;   //每次读一位
     dat=dat>>1;       //从最低位开始读
     delay_us(10);   //读取完之后等待48us再接着读取下一个数
   }
   return dat;
}

4.读温度

uint read_temper ()
{    
   uchar a,b;         
   uint t=0;
   DS18B20_init();       
   delay_us(15);
   write_byte(0xcc);   //跳过ROM操作命令
   write_byte(0x44);     //发送启动温度转换命令
   DS18B20_init();       
   delay_us(15);
   write_byte(0xcc);    //跳过ROM操作命令
   write_byte(0xbe);      //发送读温度寄存器命令
   a=read_byte();    //先读低八位
   b=read_byte();      //再读高八位
   t=b;        
   t<<=8;      //左移八位
   t=t|a;      //t为16位的数,使高八位为b的值,低八位为a的值  
   return t;    //返回温度值
}

5.温度转换

uint temper_change()
{
    uint temper;
    float tp;
    temper=read_temper();
    if(temper<0)    //考虑负温度的情况
    {
        temper=temper-1;
        temper=~temper;
        tp=temper*0.0625;  //16位温度转换成10进制的温度
        temper=tp*100+0.5;   //留两个小数点,并四舍五入
    }
    else
    {
        tp=temper*0.0625;  //16位温度转换成10进制的温度
        temper=tp*100+0.5;  //留两个小数点,并四舍五入
    }
    return temper;
}

注意:在主函数中调用temper_change()函数返回的temper即为温度值。由于单总线对时序要求严格,我们的延时函数可能并不适用于你的单片机,所以请根据需要自行进行修改

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