STM32F4的自举模式烧写固件

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~~心血来潮想整理一下这里的知识点。~~

STM32F4的自举模式烧写固件

一、知识点
二、启动流程
三、Erase Memory命令

一、知识点

1.相关手册

2.硬件电路

STM32的启动模式

启动模式选择引脚		启动模式	说明
BOOT1	BOOT0	启动模式	说明
X	0	主闪存存储器	主闪存存储器被选为启动区域
0	1	系统存储器	系统存储器被选为启动区域
1	1	内置SRAM	内置SRAM被选为启动区域

STM32的启动模式设计自启动电路

3.启动模式

自举程序激活模式
芯片对应的激活模式请自行查看手册。
STM32F40xxx/41xxx 自举程序通过Pattern1 激活。

自举程序激活模式
模式	条件
Pattern1	Boot0(pin) = 1 和 Boot1(pin) = 0
Pattern2	Boot0(pin) = 1 和 nBoot1(bit) = 1
Pattern3	Boot0(pin) = 1， Boot1(pin) = 0 和 BFB2(bit) = 1
	Boot0(pin) = 0， BFB2(bit) = 0 且两个存储区均不包含有效代码
	Boot0(pin) = 1， Boot1(pin) = 0， BFB2(bit) = 0 两个存储区均不包含有效代码
Pattern4	Boot0(pin) = 1， Boot1(pin) = 0 和 BFB2(bit) = 1
	Boot0(pin) = 0， BFB2(bit) = 0 且两个存储区均不包含有效代码
	Boot0(pin) = 1， Boot1(pin) = 0 和 BFB2(bit) = 0
Pattern5	Boot0(pin) = 1， Boot1(pin) = 0 和 BFB2(bit) = 0
	Boot0(pin) = 0， BFB2(bit) = 1 且两个存储区均不包含有效代码
	Boot0(pin) = 1， Boot1(pin) = 0 和 BFB2 (bit) = 1
Pattern6	Boot0(pin) = 1， nBoot1(bit) = 1 和 nBoot0_SW(bit) = 1
	nBoot0(bit) = 0， nBoot1(bit) = 1 和 nBoot0_SW(bit) = 0
	Boot0(pin) = 0， nBoot0_SW (bit) = 1 且主 Flash 为空
Pattern7	Boot0(pin) = 1， nBoot1(bit) = 1 和 BFB2(bit) = 0
	Boot0(pin) = 0， BFB2(bit) = 1 且两个存储区均不包含有效代码
	Boot0(pin) = 1， nBoot1(bit) = 1 和 BFB2(bit) = 1
Pattern8	Boot(pin) = 0 和 BOOT_ADD0(optionbyte) = 0x0040
Pattern8	Boot(pin) = 1 和 BOOT_ADD1(optionbyte) = 0x0040

除了上述模式之外，用户可通过从用户代码跳转到系统存储器来执行自举程序。跳转到自举程序之前，用户必须：

禁用所有外设时钟
禁用所用的 PLL
禁用中断
清空挂起的中断

通过离开自举程序激活条件并生成硬件复位，或使用Go命令来执行用户代码，可退出系统存储器自举模式。
注：如果选择执行Go命令，则在跳转到用户应用程序之前，自举程序使用的外设寄存器不会初始化为默认复位值。如果要使用这些寄存器，应在用户应用程序中对其重新配置。因此，如果应用程序正在使用IWDG，则必须调整 IWDG 预分频器值来满足应用程序的要求（因为已将预分频器设置为最大值）。

4.器件的配置

自举程序存储在 STM32 器件的内部自举 ROM 存储器（系统存储器）中。在芯片生产期间由 ST 编程。其主要任务是通过一种可用的串行外设（USART、CAN、USB、I2C 等）将应用程序下载到内部 Flash 中。对应的串行模式支持与引脚请自行查阅Datasheet。此处以我使用的芯片STM32F4为例，且使用的为USART。

自举程序	功能 / 外设	状态	备注
USART1 自举程序	USART1	启用	初始化后， USART1 的配置为：8 位，偶校验位和 1 个停止位。
	USART1_RX 引脚	输入	PA10 引脚：USART1 处于接收模式
	USART1_TX 引脚	输出	PA9 引脚：USART1 处于发送模式

二、启动流程

1.自举程序流程图

在这里插入图片描述

2.USART 自举程序命令

命令 ⁽¹⁾	命令代码	命令说明
Get ⁽²⁾	0x00	获取当前自举程序版本及允许使用的命令
Get Version & Read Protection Status ⁽²⁾	0x01	获取自举程序版本及 Flash 的读保护状态
Get ID ⁽²⁾	0x02	获取芯片 ID
Read Memory	0x11	从应用程序指定的地址开始读取最多 256 个字节的存储器空间
Go	0x21	跳转到内部 Flash 或 SRAM 内的应用程序代码
Write Memory	0x31	从应用程序指定的地址开始将最多 256 个字节的数据写入RAM 或 Flash
Erase⁽³⁾	0x43	擦除一个到全部 Flash 页面
Extended Erase⁽³⁾	0x44	使用双字节寻址模式擦除一个到全部 Flash 页面（仅用于 v3.0 usart 自举程序版本及以上版本）。
Write Protect⁽⁴⁾	0x63	使能某些扇区的写保护
Write Unprotect⁽⁴⁾	0x73	禁止所有 Flash 扇区的写保护
Readout Protect	0x82	使能读保护
Readout Unprotect⁽²⁾	0x92	禁止读保护

如果接收到拒绝命令或在执行命令期间出现错误，自举程序则会发送 NACK 字节并返回检查命令状态。
读保护 - 激活 RDP（读保护）选项后，只能使用这一有限的命令子集。其它命令都会收到 NACK 应答，并且不会对器件起作用。取消 RDP 即可激活其它命令。
Erase (x043) 和 Extended Erase (0x44) 均为独占命令。一个器件可支持 Erase 命令或 Extended Erase 命令，但不能同时支持这两个命令。
请参见AN3155应用笔记第 3.1 节：器件相关的自举程序参数。

3.上位机程序参考

编程工具 (PC) 到器件的所有通信均通过如下方式验证：

校验和：接收到的数据字节块进行异或运算。每个通信结尾增加一个字节（校验和字节），包含前面所有字节异或运算的结果。异或运算所有接收到的字节，即数据包加上校验和字节，结果必须为0x00
针对每条命令，主机都会发送一个字节及其补码（异或结果 = 0x00）
UART：激活奇偶校验（偶校验）

每个数据包或者被接受（ACK 应答）或者被丢弃（NACK 应答）：

ACK = 0x79
NACK = 0x1F

上位机结合硬件电路，通过操作USART的DTR和RTS实现复位与进入Pattern1模式。

	//配置DTR#输出高电平   MCU复位
	mSerialPort.DtrEnable = false;
	Debug.WriteLine("DTR#输出高电平 MCU复位 延时100ms");
	Thread.Sleep(100);
	
	//配置RTS#输出低电平   使BOOT0引脚为高电平
	mSerialPort.RtsEnable = true;
	Debug.WriteLine("RTS#输出低电平 BOOT0拉高 延时100ms");
	Thread.Sleep(100);
	
	//配置DTR#输出低电平  释放MCU复位
	mSerialPort.DtrEnable = true;
	Debug.WriteLine("DTR#输出低电平 释放复位 延时100ms");
	Thread.Sleep(100);

发送0x7F等待应答。

	byte[] Sendbuf = new byte[] { 0X7F };
	byte[] Recbuf = new byte[1];
	//发送0x7F前清空串口缓存
	while (mSerialPort.BytesToRead != 0){
	    mSerialPort.DiscardInBuffer();
	}
	Thread.Sleep(100);
	if (Usart_SendCmmRec(Sendbuf, ref Recbuf, 1, 1000)){
	    //有应答，进入成功
	    if ((Recbuf[0] == MCU_ACK)){
	        return "进入成功/r/n";
	    }
	    else{
	        return "进入失败/r/n";
	    }
	}
	else{
	    return "超时无应答/r/n";
	}

三、Erase Memory命令

1.擦除命令说明

Erase (x043) 和 Extended Erase (0x44) 均为独占命令。一个器件可支持 Erase 命令或 Extended Erase 命令，但不能同时支持这两个命令。
这里只把Erase命令单独做讲解，其他的命令不做单独说明。因为Erase命令的讲述在手册中存在错误。
Erase (x043)命令也不做过多讲解，主要讲Extended Erase (0x44) 。

2.Erase Memory命令说明

主机可通过 Erase Memory 命令擦除 Flash 页面。自举程序接收到 Erase Memory 命令后，会将 ACK 字节发送到主机。发送 ACK 字节后，自举程序将接收一个字节（待擦除的页面数）、Flash 页面代码以及一个校验和字节；如果校验和正确，则自举程序将擦除该存储器并向主机发送一个 ACK 字节，否则将向主机发送一个 NACK 字节并中止此命令。
Erase Memory 命令规范：

自举程序接收一个包含 N（要擦除的页数 - 1）的字节。
保留 N = 255 用于全局擦除请求。0 ≤ N ≤ 254 时，擦除 N + 1 页。
自举程序接收到 (N + 1) 个字节，每个字节都包含一个页数
注：在具有写保护的扇区中执行擦除操作时不会返回错误信息。

2.Erase Memory流程图

3.全片擦除

byte[] Sendbuff = new byte[] { 0X43, 0XBC };
byte[] Receivebuff = new byte[1];
if (Usart_SendCmmRec(Sendbuff, ref Receivebuff, 1)){
    if (Receivebuff[0] == MCU_ACK){
	    Sendbuff[0] = 0XFF;
	    Sendbuff[1] = 0x00;
	    if (Usart_SendCmmRec(Sendbuff, ref Receivebuff, 1)){
	        if (Receivebuff[0] == MCU_ACK)
	            return true;
	    }
    }
    else{
        return false;
    }
}

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