电磁波在介质表面的反射和折射
均匀线性介质中的电磁波
波动方程
特解
性质
相速度,等相面的运动速度
由
k⋅r−ωt=const.
得
v=dr0dt=ωk波速
将特解代入波动方程,得 ω 和 k 的关系
k2=εμω2
代入相速度方程,得
v=ωk=1εμ−−√=ε0μ0εμ−−−−−√c
εε0>1 , μμ0≈1 ,所以介质中的波速始终小于光速。B 和 E 的关系
B=kωE=εμ−−√ek×E=1vek×E
介质表面的折射和反射
- 以 z=0 为界面,上方是介电常数和磁导率分别为 ε,μ 的均匀线性介质,下方的介电常数和磁导率是 ε′,μ′ 。
- 因为一般的电磁波可以分解成平面波,所以只考虑平面波的情形。
- 平面斜入射的平面波的方程
E=E0ei(k⋅r−ωt)B=1vek×E
其中 k=(kx,0,kz) - 折射波的方程
E′=E′0ei(k′⋅r−ω′t)B′=μ′ε′−−−√ek′×E′ - 反射波的方程
E′′=E′′0ei(k′′⋅r−ω′′t)B′′=με−−√e′′k×E′′ - 根据
E
在界面切向的连续性,得
E0xei(kxx−ωt)+E′′0xei(k′′xx+k′′yy−ω′′t)=E′0xei(k′xx+k′yy−ω′t)
这个式子在任意 (x,y,t) 都成立,所以有
⎧⎩⎨⎪⎪k′x=k′′x=kxk′y=k′′y=0ω′=ω′′=ω
所以说反射和折射不改变入射波的频率。 反射波的 k
根据
k=με−−√ω
入射波和反射波的环境和频率都相同,所以
k′′=k
所以
k2x+k2z=k′′2x+k′′2z
因为 k′′x=kz ,所以
|k′′z|=|kz|,k′′z=−kz折射波的 k
折射波和入射波在不同的介质中,波速不同,波长也不同。
λ′λ=kk′=μεμ′ε′−−−−√- 定义折射率
n=μεμ0ε0−−−−−√
则有
λ′λ=nn′ - 折射定律
由于
sini=kxk,sini′=k′xk′
所以
sinisini′=k′k=n′n
即
nsini=n′sini′
反射波和折射波的强度
三个波的相因子已经相等,所以还需要确定反射波和折射波的振幅。根据边界条件
由
E∥
连续,得
由 D⊥ 连续,得
由 H∥ 连续,得
由 B⊥ 连续,得
在线性介质中,
考虑两种特殊情形
E 垂直于入射面
利用两个切向连续的方程解得
E′0E0=2μ′ncosiμ′ncosi+μn′cosi′E′′0E0=μ′ncosi−μn′cosi′μ′ncosi+μn′cosi′E 平行于入射面
利用两个法向连续的方程解得
E′0E0=2μ′ncosiμn′cosi+μ′ncosi′E′′0E0=μn′cosi−μ′ncosi′μn′cosi+μ′ncosi′
一般可以认为
μ=μ′=1
,所以有垂直入射时
平行入射时
特殊情形
在此基础上讨论几个特殊情形
半波损失
上述的电场振幅都是复数,但是它们的比值都是实数。如果比值为负,说明相位发生突变,称为半波损失。
可以看出,折射波不会发生半波损失,只有垂直偏振的波(
\?
)从光疏介质向光密介质中入射时才会发生半波损失。
平行偏振的反射波的消失
平行偏振的反射波
所以当 i+i′=0 的时候, E′′0=0 ,这时反射波不存在。这个特殊角称为 布儒斯特角,记作 iB 。结合折射定律,得
全反射
当电磁波从光密介质向光疏介质入射时,折射角大于入射角。由于折射角不大于 π2 ,所以入射角存在一个临界值。下面考虑入射角超过这个临界值的情形。
当入射角大于临界值时,折射定律仍然成立,不过此时无法定义折射角,折射定律的形式为
此时 k′x>k′ ,因为 k′2=k′2x+k′2z ,所以 kz 是纯虚数, kz=iτ ,所以折射波可以表示成
沿界面传播,且幅度随着透射深度衰减。
导电介质中的电磁波
电磁波在导体中会产生电流,产生焦耳热,导致波的耗散和衰减。
由此得到的波动方程多了一个阻尼项
方程的特解仍然可以写成
代回方程,可以得到 k 和 ω 的关系。
相比于介质中的关系,这是一个复数关系,因此 ω 和 k 中至少有一个分量是复数。
扰动电场产生的电磁波
如果 t=0 时导体内有一个扰动电场 E0(r) ,将电场用傅里叶变换展开,得
其中,每个 E0k(r) 是一个单频的平面波, k 为实数。它们都满足上面的推导,所以每个分量的 ω 都是复数。设 ω=ω0−iω1 ,那么
这是一个振幅随时间衰减的波。
导体中的透射波
若电磁波从导体外面射入导体(假设垂直入射),那么和上节的结论相同
所以 k 是复数。
不妨设透射波的 k=(0,0,kz) , kz=kz0+iτ ,那么电波的方程
波幅不随时间衰减,而随距离(透射深度)衰减,所以这仍然是一个稳态的波。 kz0 描述透射波的传播, τ 描述衰减的深度。
令
两边的实部和虚部分别相等,得
上式说明总有 kz0>τ ,分两种情况讨论
不良导体
若
即衰减很弱,那么
即 σ 很小,这种情况对应着不良导体。此时解得
和不导电介质中基本相同。
良导体
如果
τ≈kz0
,那么
所以
即 σ 很大,对应良导体的情形。此时解得
波长比在不导电介质中短很多,且振幅衰减很快,穿透深度 1τ 和波长相当。
下面考虑振幅。设入射波是沿
x
方向的线偏振波,由
解得
对于良导体, k′=k0(1+i) , k0k=12μσω−−−−−√μ0ε0−−−−√ω=σ2ε0ω−−−−−√
所以 k′k=σε0ω−−−−√eiπ4≫1
所以
这说明入射波几乎不能进入良导体,几乎完全被反射了。
理想导体
把 σ→∞ 的导体称为理想导体,理想导体内没有电磁场。在导体的边界条件中
E 和 B 都是指导体外面的电磁场。
所以导体外面的电场垂直于表面;磁场平行于表面;导体能通过调节表面电荷密度和面电流密度保证内部电磁场为0.
微波在波导管内的传播
高频电磁波的传播不能直接用导线,否则能量损失严重。微波常常用波导管来传输。现在讨论一个矩形波导管模型。
建模
设一个截面为矩形的波导管,
x,y
方向的长度分别为
a,b
,在波导管中沿
z
轴方向传播的电磁波满足的方程
由于理想导体的特性,边界条件
求解
方程的特解为
其中
代入边界条件,得
A1,A2,,B1,B2,C1 都是待定的复常数。代入横波性条件 ∇⋅E=0 ,得
对任意的点都成立,可以得
所以
磁场
磁场
B
的形式也是
根据 ∂B∂t=−∇×E
即
得到
可以看出,当给定 ω,m,n 之后, kz 也确定了,还需要 A1,B1,C1 中四个实参量,就可以得到确定的解。
横电/磁波型
可以引入两种基本波型作为基。满足
频率和波导管尺寸的关系
由于
的限制,在波导管内要传播频率 ω 的波, m,n 都有上限,具体个数和波导管的尺寸有关。而对一根固定的波导管来说,因为 m,n 不能同时为 0 ,所以
波长
所以波导管能传送的最大波长是 2l 。
本篇主要参考俞允强《电动力学简明教程》