问
请问要将三极管工作在开关状态,如何去计算它的基极限流电阻?
例如,我用5V来控制一个12V的通断,三级管用TIP122,如何计算基极的电阻是多大,确保TIP122工作在导通和截止状态。
例如,我用5V来控制一个12V的通断,三级管用TIP122,如何计算基极的电阻是多大,确保TIP122工作在导通和截止状态。
答
1:
Re先计算一下TIP122导通时需要多大基极电流,放些余量以保证管子参数分散性不会影响工作状态,再根据输入电压计算电阻。
截止状态一般不必计算。
截止状态一般不必计算。
问一下就是想问一下,基极电流是由5V减掉TIP的Vbe再除以电阻么?
答
4:
是的。要可靠饱和,就要基极电流大于集电极电流的β分之一。
三极管做开关用的时候基极取多大电阻怎么确定?
汗,看人家的电路能知道三极管是开关用的,从来没细想过那里面的电阻为什么取那个值,现在自己要作个三极管简单电路就搞不明白怎么取基极电阻了。
希望大家莫笑我菜,不吝赐教。三极管基极高电平是5V,需要多大的基极电阻?是否和三极管其他参数有关,具体怎么设计的,请说说,谢谢先
汗,看人家的电路能知道三极管是开关用的,从来没细想过那里面的电阻为什么取那个值,现在自己要作个三极管简单电路就搞不明白怎么取基极电阻了。
希望大家莫笑我菜,不吝赐教。三极管基极高电平是5V,需要多大的基极电阻?是否和三极管其他参数有关,具体怎么设计的,请说说,谢谢先
以NPN管为例大致计算一下典型3元件开关电路的选值:
设晶体管的直流放大系数为100,Ib=(驱动电压-0.7Vbe结压降)/Rb,Vce=Vcc-100Ib×Rc,令Vce=0,由此可算出临界值,只要Rb小于临界值即可,但其最小值受器件Ib容限限制,切勿超过。
设晶体管的直流放大系数为100,Ib=(驱动电压-0.7Vbe结压降)/Rb,Vce=Vcc-100Ib×Rc,令Vce=0,由此可算出临界值,只要Rb小于临界值即可,但其最小值受器件Ib容限限制,切勿超过。
晶体管开关设计方法
1)负载电流,首先要知道开关的负载电流是多少。
2)推动电流,必须知道前级电路可以提供多少推动电流。
3)选择晶体管,根据1)和2)选择合适的晶体管----Ic>开关的负载电流(主选参数);晶体管类型,当2)X 10 > 1) 选择普通晶体管(这里的10是晶体管作开关时的常规参数),而当2)X10 << 1) 时,选择达林顿晶体管。(这里没有晶体管放大倍数的选择,恐怕现在是难得见到<10的晶体管了)
4)根据2)选择晶体管基极电阻 R => (前级电路推动电位—0.7)/ 2)。
说明1:以上方法是指可以工作的安全条件,实际电路取值还与1),2)的比值相关,与实际电路要求的饱和深度,开关频率相关,与实际电路结构相关。
说明2:说明1是在假设2)是干净的,以0 电位为基准的方波。当这一条件不符时,由于电路结构将发生变化,1)2)3)4)均无效。
1)负载电流,首先要知道开关的负载电流是多少。
2)推动电流,必须知道前级电路可以提供多少推动电流。
3)选择晶体管,根据1)和2)选择合适的晶体管----Ic>开关的负载电流(主选参数);晶体管类型,当2)X 10 > 1) 选择普通晶体管(这里的10是晶体管作开关时的常规参数),而当2)X10 << 1) 时,选择达林顿晶体管。(这里没有晶体管放大倍数的选择,恐怕现在是难得见到<10的晶体管了)
4)根据2)选择晶体管基极电阻 R => (前级电路推动电位—0.7)/ 2)。
说明1:以上方法是指可以工作的安全条件,实际电路取值还与1),2)的比值相关,与实际电路要求的饱和深度,开关频率相关,与实际电路结构相关。
说明2:说明1是在假设2)是干净的,以0 电位为基准的方波。当这一条件不符时,由于电路结构将发生变化,1)2)3)4)均无效。