三极管应用电路实例讲解（配参数分析）

一、红外发射管驱动电路：

（1）、在电路设计时，我们首先要清楚电路中红外发射管的一些参数，图1是规格书中的参数截图：

图1 红外发射管参数

根据规格书，我们清楚驱动电流最大为100mA，同时压降最大为1.5V。

（2）、根据参数，我们在选择三极管时，首先要考虑IC电流不能低于100mA。

（3）、根据参数，我们在IC端的限流电阻时，也能够计算出来了，即0.1A=（3.3-1.5）/R，可算出R=18Ω。当然限流电阻的功率也是要考虑进去的，这里不再做计算。

（4）、三极管选定后，由于hFE是根据IC进行变化，所以在图2中，当Ic=100mA时，hFE=200。根据Ic=βIb，可计算出当Ic=100mA，hFE=200时，Ib=500uA。因此根据图3，为了使三极管能够达到深度饱和，基极限流电阻会选的比计算值小数倍，（3.3-0.7）/（18+R）≥500uA，R≤5.182kΩ，因此考虑到功耗以及IO的输出能力，R选择3.3kΩ。

图2 hFE与Ic

图3 Ic、Ib与VCE

二、加热电路：

（1）、还是跟上面同样的步骤，在电路设计时，我们首先要清楚电路中加热电阻的参数，电阻51Ω是确定的，我们可计算出电流Ic=4/25.5=156mA。

（2）、根据参数，我们在选择三极管时，首先要考虑IC电流不能低于156mA。因此选择了输出能力为500mA的S8050。

（3）、三极管选定后，由于hFE是根据IC进行变化，所以在图4中，当Ic=156mA时，hFE≈150。根据Ic=βIb，可计算出当Ic=156mA，hFE=150时，Ib≈1mA。因此根据图5，为了使三极管能够达到深度饱和，基极限流电阻会选的比计算值小数倍，（3.3-0.7）/R≥1mA，R≤2.6kΩ，因此考虑到功耗以及IO的输出能力，R选择1kΩ。

（4）、基极下拉电阻的选择是防止外部干扰导致三极管异常导通；也可防止三极管截止时，残留电荷引起的时间滞后，可起到放电作用；主要作用是为了设置一个偏置电压，不会出现信号的失真。

选择时，不能太大，不然会导致流入基极的电流太小，可在5.1K、10K、20K等阻值中选择。

图4 hFE与Ic

图5 Ic、Ib与VCE