DDR3L SDRAM（2Gb）W632GU6NB09I、W632GU6NB11I、W632GU6NB12I、W632GU6NB15I同步动态随机存取内存

1、简介

W632GU6NB是一款2G位DDR3L SDRAM，组织为16,777,216字，8个存储体，16位。该器件可实现高达2133 MT/s（DDR3L-2133）的高速传输速率，适用于各种应用。该设备分为以下速度等级：

-09、09i和09J速度等级符合DDR3-2133L（14-14-14）规范（09i工业级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，09J工业增强级保证支持-40°C≤TCASE≤105°C）。

-11、11i和11J速度等级符合DDR3L-1866（13-13-13）规范（11i工业级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，11J工业增强级保证支持-40°C≤TCASE≤105°C）。

-12、12i和12J速度等级符合DDR3L-1600（11-11-11）规范（12i工业级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，12J工业增强级保证支持-40°C≤TCASE≤105°C）。

-15、15i和15J速度等级符合DDR3L-1333（9-9-9）规范（15i工业级保证支持-40°C≤TCASE≤95°C，15J工业增强级保证支持-40°C≤TCASE≤105°C）。

W632GU6NB的设计符合以下关键DDR3L SDRAM功能，如发布CAS#、可编程CAS#写入延迟（CWL）、ZQ校准、芯片端接和异步复位。所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）被锁存。所有I/O都以源同步方式与差分DQS-DQS#对同步。

2、规格

⑴ W632GU6NB09I IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
技术：SDRAM - DDR3L
存储容量：2Gb
存储器组织：128M x 16
存储器接口：并联
时钟频率：1.067 GHz
写周期时间 - 字，页：15ns
访问时间：20 ns
电压 - 供电：1.283V ~ 1.45V
工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：96-VFBGA
供应商器件封装：96-VFBGA（7.5x13）

⑵ W632GU6NB11I IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
技术：SDRAM - DDR3L
存储容量：2Gb
存储器组织：128M x 16
存储器接口：并联
时钟频率：933 MHz
写周期时间 - 字，页：15ns
访问时间：20 ns
电压 - 供电：1.283V ~ 1.45V
工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：96-VFBGA
供应商器件封装：96-VFBGA（7.5x13）

⑶ W632GU6NB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
技术：SDRAM - DDR3L
存储容量：2Gb
存储器组织：128M x 16
存储器接口：并联
时钟频率：800 MHz
写周期时间 - 字，页：15ns
访问时间：20 ns
电压 - 供电：1.283V ~ 1.45V
工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）
安装类型：表面贴装型

⑷ W632GU6NB15I IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
技术：SDRAM - DDR3L
存储容量：2Gb
存储器组织：128M x 16
存储器接口：并联
时钟频率：667 MHz
写周期时间 - 字，页：15ns
访问时间：20 ns
电压 - 供电：1.283V ~ 1.45V
工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：96-VFBGA
供应商器件封装：96-VFBGA（7.5x13）

DDR3L SDRAM（2Gb）W632GU6NB09I、W632GU6NB11I、W632GU6NB12I、W632GU6NB15I同步动态随机存取内存 —— 明佳达

3、功能框图

4、封装

注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！