【嵌入式linux学习笔记】RAM、ROM、SRAM、SDRAM和DDR3简述

RAM

  • 简介:随机存储器,可以随时进行读写操作,速度很快,掉电以后数据会丢失,可以直接和CPU通信
  • 举例:内存条、SRAM、 SDRAM、 DDR 等
  • 保存数据: 程序数据、中间结果

ROM、EPROM、EEPROM、FLASH

  • 简介:只读存储器(部分可以进行操作,如EPROM、EEPROM、flash,通常要先擦除,再找到要操作的地址和扇区,最后是数据)
  • 保存数据:容量大,掉电不丢失

SRAM

静态随机存储器,可以随意读取任意一个地址空间的数据,采用地址线和数据线分离的方式,成本较高

主要分为三个部分:

  1. 地址线
    根据处理器的 SRAM 控制器位宽来选择 SRAM 位宽,可访问地址大小为2^(地址线)*位宽
  2. 数据线
    SRAM位宽来决定数据线的数量,多为x位宽就有x根数据线
  3. 控制线
    • CS2 和 CS1 是片选信号,低电平有效
    • OE 是输出使能信号,低电平有效,也就是主控从 SRAM 读取数据
    • WE 是写使能信号,低电平有效,也就是主控向 SRAM 写数据
    • UB 为低电平的话表示访问高字节, LB 为低电平的话表示访问低字节

SDRAM

Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器。需要时钟线,数据需要不断的刷线来保证数据不丢失,可以读写任意地址的数据。

现有类型: SDRAM、 DDR SDRAM、 DDR2、SDRAM、 DDR3 SDRAM、 DDR4 SDRAM

主要部分有:

  1. 控制线
    • CLK: 时钟线
    • CKE: 时钟使能信号线
    • CS: 片选信号
    • RAS:行选通信号,低电平有效
    • CAS: 列选通信号,低电平有效
    • WE: 写使能信号,低电平有效

在这里插入图片描述

SDRAM 按照行列来确定某个具体的存储区域,行地址和列地址共同复用同组地址线,要访问某一个地址区域,必须要发送行地址和列地址。

  1. 地址线
    包含了行地址和列地址,可寻址范围为:(2^(列地址位) * 2^(行地址位)) * 位宽 * BANK个数

  2. BANK选择线
    BSx(取决于BANK的数量,4个是两根)是 BANK 选择信号线,单一的 BANK 会带来严重的寻址冲突,减低内存访问效率。因此一片SDRAM中有多块BANK(一般是2的n次方)

  3. BANK区域

  4. 数据线
    取决于位宽

  5. 高低字节选择
    LDQM:选择低字节信号
    UDQM:选择低字节信号

DDR3

第三代双倍资料率同步动态随机存取存储器(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory,一般称为DDR3 SDRAM),是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品。

是SDRAM的升级版本,本质上还是SDRAM。

DDR的发展

  • DDR 相对于基本的SDRAM增建了预取功能(2bit),能在一个CLK周期传输两次数据(上升沿和下降沿各传一次)。速度翻倍。
  • DDR2 相对于DDR IO时钟增加了一倍,进一步增加了预取(4bit),预取翻倍。速度翻倍
  • DDR3 相对于DDE2 预取翻倍(8bit),速度翻倍。

DDR3的分类

DDR3种类电压用途
标压DDR31.5V台式机内存条
LDDR31.2V低功耗
DDR3L1.35V手机、笔记本、嵌入式

主要部分:

  1. 控制线

    • ODT:片上终端使能, ODT 使能和禁止片内终端电阻
    • ZQ:输出驱动校准的外部参考引脚
    • RESET: 复位引脚,低电平有效
    • CKE: 时钟使能引脚
    • BC:在 READ 和 WRITE 命令期间被采样,决定 burst chop 是否会被执行
    • CK 和 CK#: 时钟信号,所有的控制和地址信号都会在 CK 对的上升沿和 CK#的下降沿交叉处被采集
    • CS#:片选信号,低电平有效
    • RAS#、 CAS#和 WE#:行选通信号、列选通信号和写使能信号
  2. 地址线(同SDRAM)

  3. BANK选择线

  4. BANK区域

  5. 数据线

  6. 数据选通引脚
    DQS 和 DQS#是数据选通引脚,为差分信号,读的时候是输出,写的时候是输入

  7. 数据输入屏蔽引脚

DDR3的时间参数

  1. 传输速率
  2. tRCD 参数
    行寻址到列寻址之间的延迟
  3. CL 参数
    当列地址发出以后就会触发数据传输,但是数据从存储单元到内存芯片 IO 接口上还需要一段时间,此段时间被称为列地址选通潜伏期
  4. AL 参数
    为了解决 DDR 中的指令冲突
  5. tRC 参数
    两个 ACTIVE 命令,或者 ACTIVE 命令到 REFRESH 命令之间的周期
  6. tRAS 参数
    ACTIVE 命令到 PRECHARGE 命令之间的最小时间
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