RAM
- 简介:随机存储器,可以随时进行读写操作,速度很快,掉电以后数据会丢失,可以直接和CPU通信
- 举例:内存条、SRAM、 SDRAM、 DDR 等
- 保存数据: 程序数据、中间结果
ROM、EPROM、EEPROM、FLASH
- 简介:只读存储器(部分可以进行操作,如EPROM、EEPROM、flash,通常要先擦除,再找到要操作的地址和扇区,最后是数据)
- 保存数据:容量大,掉电不丢失
SRAM
静态随机存储器,可以随意读取任意一个地址空间的数据,采用地址线和数据线分离的方式,成本较高
主要分为三个部分:
- 地址线
根据处理器的 SRAM 控制器位宽来选择 SRAM 位宽,可访问地址大小为2^(地址线)*位宽 - 数据线
SRAM位宽来决定数据线的数量,多为x位宽就有x根数据线 - 控制线
- CS2 和 CS1 是片选信号,低电平有效
- OE 是输出使能信号,低电平有效,也就是主控从 SRAM 读取数据
- WE 是写使能信号,低电平有效,也就是主控向 SRAM 写数据
- UB 为低电平的话表示访问高字节, LB 为低电平的话表示访问低字节
SDRAM
Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器。需要时钟线,数据需要不断的刷线来保证数据不丢失,可以读写任意地址的数据。
现有类型: SDRAM、 DDR SDRAM、 DDR2、SDRAM、 DDR3 SDRAM、 DDR4 SDRAM
主要部分有:
- 控制线
- CLK: 时钟线
- CKE: 时钟使能信号线
- CS: 片选信号
- RAS:行选通信号,低电平有效
- CAS: 列选通信号,低电平有效
- WE: 写使能信号,低电平有效
SDRAM 按照行列来确定某个具体的存储区域,行地址和列地址共同复用同组地址线,要访问某一个地址区域,必须要发送行地址和列地址。
-
地址线
包含了行地址和列地址,可寻址范围为:(2^(列地址位) * 2^(行地址位)) * 位宽 * BANK个数 -
BANK选择线
BSx(取决于BANK的数量,4个是两根)是 BANK 选择信号线,单一的 BANK 会带来严重的寻址冲突,减低内存访问效率。因此一片SDRAM中有多块BANK(一般是2的n次方) -
BANK区域
-
数据线
取决于位宽 -
高低字节选择
LDQM:选择低字节信号
UDQM:选择低字节信号
DDR3
第三代双倍资料率同步动态随机存取存储器(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory,一般称为DDR3 SDRAM),是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品。
是SDRAM的升级版本,本质上还是SDRAM。
DDR的发展
- DDR 相对于基本的SDRAM增建了预取功能(2bit),能在一个CLK周期传输两次数据(上升沿和下降沿各传一次)。速度翻倍。
- DDR2 相对于DDR IO时钟增加了一倍,进一步增加了预取(4bit),预取翻倍。速度翻倍
- DDR3 相对于DDE2 预取翻倍(8bit),速度翻倍。
DDR3的分类
DDR3种类 | 电压 | 用途 |
---|---|---|
标压DDR3 | 1.5V | 台式机内存条 |
LDDR3 | 1.2V | 低功耗 |
DDR3L | 1.35V | 手机、笔记本、嵌入式 |
主要部分:
-
控制线
- ODT:片上终端使能, ODT 使能和禁止片内终端电阻
- ZQ:输出驱动校准的外部参考引脚
- RESET: 复位引脚,低电平有效
- CKE: 时钟使能引脚
- BC:在 READ 和 WRITE 命令期间被采样,决定 burst chop 是否会被执行
- CK 和 CK#: 时钟信号,所有的控制和地址信号都会在 CK 对的上升沿和 CK#的下降沿交叉处被采集
- CS#:片选信号,低电平有效
- RAS#、 CAS#和 WE#:行选通信号、列选通信号和写使能信号
-
地址线(同SDRAM)
-
BANK选择线
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BANK区域
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数据线
-
数据选通引脚
DQS 和 DQS#是数据选通引脚,为差分信号,读的时候是输出,写的时候是输入 -
数据输入屏蔽引脚
DDR3的时间参数
- 传输速率
- tRCD 参数
行寻址到列寻址之间的延迟 - CL 参数
当列地址发出以后就会触发数据传输,但是数据从存储单元到内存芯片 IO 接口上还需要一段时间,此段时间被称为列地址选通潜伏期 - AL 参数
为了解决 DDR 中的指令冲突 - tRC 参数
两个 ACTIVE 命令,或者 ACTIVE 命令到 REFRESH 命令之间的周期 - tRAS 参数
ACTIVE 命令到 PRECHARGE 命令之间的最小时间