【规格】NRVHPAF320T3G整流二极管 、NRVBAF1540T3G、NSVBASHxxMX2WT5G开关二极管，NXH400B100H模块、NTMFS3D0N08XT1G功率MOSFET

摘要

二极管是用半导体材料 (硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 。 二极管有两个电极，正极，又叫 阳极 ；负极，又叫阴极 ，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通， 加上反向电压时，二极管截止。 二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开 。

相关型号：
NRVHPAF320T3G
NRVBAF1540T3G
NSVBASH20MX2WT5G
NSVBASH21MX2WT5G
NSVBASH19MX2WT5G
NXH400B100H4Q2F2PG
NTMFS3D0N08XT1G
——明佳达

NRVHPAF320T3G 超快整流器二极管 3 A 200 V

这款SMA扁平引线超快整流器在紧凑的热效封装中提供快速开关性能和软恢复。其紧凑的尺寸使其非常适合电路板空间非常宝贵的便携式和汽车应用。它的低轮廓使其成为平板显示器和其他垂直间隙有限的应用的理想选择。该器件在整个温度范围内具有低泄漏特性，非常适合要求低静态电流的应用。

产品属性
技术：标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：200 V
电流 - 平均整流 (Io)：3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 3 A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)：30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：500 nA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容：-
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：DO-221AC，SMA 扁平引线
供应商器件封装：SMA-FL
工作温度 - 结：-65°C ~ 175°C

NRVBAF1540T3G 二极管阵列 1 个独立式 40 V 1.5A

该器件在大面积金属-硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。最先进的几何结构具有氧化物钝化和金属覆盖接触的外延结构。非常适合低电压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和极性保护二极管，在这些应用中，紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

产品属性
二极管配置：1 个独立式
技术：肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：460 mV @ 1.5 A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：800 µA @ 40 V
工作温度 - 结：-55°C ~ 150°C
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：DO-221AC，SMA 扁平引线
供应商器件封装：SMA-FL

NSVBASH20MX2WT5G 开关二极管 200 V 200mA

该器件设计用于开关应用，采用X2DFNW2（1.0x0.6mm）表贴封装。该器件非常适合电路板空间非常宝贵的低功耗表面贴装应用。

产品属性
技术：标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：200 V
电流 - 平均整流 (Io)：200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 200 mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr)：50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：100 nA @ 150 V
不同 Vr、F 时电容：3pF @ 0V，1MHz
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：2-XDFN
供应商器件封装：2-X2DFNW（1x0.6）
工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C

NSVBASH21MX2WT5G 开关二极管 250 V 200mA

该器件设计用于开关应用，采用X2DFNW2（1.0x0.6mm）表贴封装。该器件非常适合电路板空间非常宝贵的低功耗表面贴装应用。

产品属性
技术：标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：200 V
电流 - 平均整流 (Io)：200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 200 mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr)：50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：100 nA @ 150 V
不同 Vr、F 时电容：3pF @ 0V，1MHz
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：2-XDFN
供应商器件封装：2-X2DFNW（1x0.6）
工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C

NSVBASH19MX2WT5G  开关二极管 120 V 200mA

该器件设计用于开关应用，采用X2DFNW2（1.0x0.6mm）表贴封装。该器件非常适合电路板空间非常宝贵的低功耗表面贴装应用。

产品属性
技术：标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：120 V
电流 - 平均整流 (Io)：200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 200 mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr)：50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：100 nA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容：3pF @ 0V，1MHz
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：2-XDFN
供应商器件封装：2-X2DFNW（1x0.6）
工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C

NXH400B100H4Q2F2PG IGBT 模块 三级反相器 1 kV 164 A 396 W

该模块是一款包含双通道飞跨电容升压的电源模块。集成场截止沟槽IGBT和Si/SiC二极管提供更低的传导损耗和开关损耗，使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。

产品属性
IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：三级反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）：1 kV
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：164 A
功率 - 最大值：396 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）：10 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：12687.7 pF @ 20 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：是
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：50-PIM (93x47)

NTMFS3D0N08XT1G  MOSFET N 通道 80 V 154A 133W

该N沟道功率MOSFET是80V市场中的最佳产品。该产品将成为云电源、5G电信、其他PSU应用、DC/DC和工业应用的最佳解决方案。且提供了具有改进系统效率的更好性能和具有以下性能特征的高功率密度。

产品属性
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：154A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.6mOhm @ 37A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 184µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3200 pF @ 40 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：133W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：-
资质：-
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

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