MC9S12G128 内部flash与eeprom的读写配置

因为MC9S12G128 有内部flash和eeprom所以不需要用到 sci来通信。

并且MC9S12G128的flash与eeprom是共同管理的所以存取方式相同，只是地址范围不同。如下表所示

flash module的初始化

void eeprom_Init(){
   while(FSTAT_CCIF==0);            //等待正在处理的FLASH操作完成
   FCLKDIV=0x17;                    //外部晶振为24M.FLASH时钟不超过1M
   while(FCLKDIV_FDIVLD==0);        //等待时钟设置成功
}其中FCLKDIV的设置是根据busclock来进行选择的，我用的是24M，其他对照下表

flash module的写入

其中Buffer[4]是一个缓存数据数组。

void eeprom_write(){


   while(FSTAT_CCIF==0);       //等待正在处理的FLASH操作完成
   if(FSTAT_ACCERR)           //判断并清除标志位
        FSTAT_ACCERR=1;
    if(FSTAT_FPVIOL)           //判断并清除标志位
        FSTAT_FPVIOL=1;
    FCCOBIX_CCOBIX=0x00;