本文深入解析飞思卡尔MC9S12系列芯片的内存映射，特别是其分页机制。内容涵盖Flash、RAM和EEPROM的内存布局，以及如何通过页寄存器（如EPAGE、RPAGE和PPAGE）进行地址访问。此外，还讨论了全局地址寄存器GPAGE的作用和PRM文件在配置内存空间时的应用。
本篇介绍飞思卡尔MC9S12系列芯片基本内存映射知识，主要是其特有的分页机制。一般的小型项目可能很多人都不会去专门了解这些内容，但是对于大型项目（代码超过16KB 或 内部变量过多超过4KB），势必要在默认设置下修改能适配项目的配置，以便于能灵活使用。另外BootLoader的编写也是要了解这方面的内容才能进行。
MC9S12(X)有2个大的系列，区别是带不带XGATE（有X后缀的是带有XGATE的），XGATE是一个辅核，可以处理中断，不能作为主要业务逻辑处理，也就是说，XGATE只能通过中断触发执行，而不能在main循环中跳入。XGATE的中断处理速度远超S12主核（相同时间内数据自增数值更大），因此某些中断响应可以放在XGATE中，既可以提高处理速度，又能减轻主核负担，XGATE与S12主核共享Flash与RAM，因此需要在共享区域使用前加锁，使用完毕解锁。
以下主要以MC9S12XEP100系列为例，内部P-Flash大小为1MB，RAM为64KB，D-FLASH(模拟EEPROM)大小36KB。如此大的空间，MCU是如何知道去哪个地方找数据呢？当然是通过地址寻找了。但是MC9S12系列所有单片机都是16位，总寻址范围为 2^16 = 65536，也就是64KB，为了解决寻址问题，Freescale提供了分页的概念，通过页地址+页内地址来访问，有点像是将中国分成几十个省，通过省名+省内地址来具体定位到某个特定地址，例如 河北+廊坊（实际上地名比这个复杂，此处仅作范例）。
Freescale将64KB寻址空间分成4段，寄存器段（2KB）、EEPROM段（1*2KB）、RAM段（4*3KB）、Flash段（16*3KB）。
可直接寻址的区域叫做非分页区（Non-Banked）；对于不能直接寻址的区域，要通过修改页寄存器值来定位的叫做分页区（Banked），非分页区也可以通过页寄存器设置来访问（但是属于多次一举，相对于直接寻址会浪费时间）。
需要注意的是，分页寄存器的值并非是从0开始。在该块前部分的，从0x00开始往后，在该块后部分的，从0xFF往前。具体与实际Memory Map有关，这个会在后面体现（Global Memory Map 内标注有），EEPROM就分成2大段，中间是断开的，前面从0x00起始，后面的从0xFF往前。
寄存器2KB可以直接覆盖，不需要分页；
EEPROM有36KB，但是分配的寻址范围只有2KB，1KB可以直接访问，1KB作为EEPROM窗口，通过设置EPAGE寄存器的值（36个值，可直接寻址的1KB，也可以在这个窗口内访问，与直接寻址效果相同，只是耗时较长，这1KB一般不在窗口访问），可以在这个窗口中访问到所有36KB内容；
RAM有64KB，2个4KB可直接访问，剩下的（总16，可直接寻址的有2个，实际使用14个）可通过一个4KB窗口访问，通过RPAGE来选择不同的RAM块；
Flash有1MB，2个16KB可直接访问，还有个16KB作为窗口，通过设置PPAGE来选择不同分页区。
以下为实际地址顺序：
| 0x0000-0x07FF Registers (2KB)
//total 36KB
//total 64KB
//total 1024KB |
通过以上描述，我们对于分页有了一个基本的认识，但是我们发现，RAM、EEPROM、Flash、各自有不同的分页寄存器，使用起来比较麻烦，而且对整个地址空间描述还是不够理想，是否有更好的方法呢？当然有，Freescale早就想到了这一点，因此推出了GPAGE寄存器，统一管理所有空间地址，Global Memory Address。
全局地址分布于两个寄存器的设置有关ROMHM和RAMHM，此处我们不做过多解释，以免大家感到更困惑。这两个寄存器值一般默认即可，无需特别设置。在默认情况下，Global Memory Map如下（需要注意各个寄存器的值，与prm文件配置有关）：
| 默认情况下（ROMHM=0 RAMHM=0）Global Memory Map 如下：
|
Flash及EEPROM读写就是通过全局地址来进行的。
GPAGE并非
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