STM32使用attribute定义数组到flash指定位置、实际应用场景(版本号、固件防呆)

一、 概述

前面博客里通过QT5实现了一个bin文件合成工具。bin文件为什么要分为IAP、APP、PARA三部分呢?默认参数PARA在芯片第一次上电时,在模块初始化中直接写入flash不就可以了吗?
在程序初始化过程中,通常需要避免写flash。因为如果上电时电源不稳定(如焊接电池),那就有可能擦除flash后,默认参数PARA刚写入一部分,因为断电停止写入了。
通过固化PARA到bin文件中,可以避免上电写flash问题。但每次合成还是有些麻烦的。而且手动合成,可能会导致地址偏移错等问题。
本文记录下程序内将参数直接定义到指定flash地址的方法。
// 2023.2.24 补充下其他的应用场景
除了内置默认参数,还可以内置版本号、固件名称等。
在进行OTA升级时,就能够实现进制固件降版升级、防止升级错固件(如iotbox升级成蓝牙程序)等机制。

二、 attribute机制

修改之前,程序编译后生成的bin文件大小:
在这里插入图片描述
程序内通过attribute,指定参数数组的存储地址为0x1FA00

uint32_t val[12] __attribute__((at(0x1FA00))) = {0x060A01AA, 0x05010703,0x00010500,0x00000000,
                  0x04000103, 0x1a0a0e06, 0x62223212, 0x0082c242,	
                  0x00B53B36, 0X00CADE35, 0X00FEF335,	0x00000000
                 };

再次编译,可以看到生成的bin文件变大:
在这里插入图片描述
查看map文件,可以看到val数组已经指定存放到0x0001FA00地址:
在这里插入图片描述
通过WinHex查看bin文件内容:
在这里插入图片描述
可以看到地址0x1FA00处存放的正是参数数组val的内容。这里也可以看到,芯片是小端模式。数组第一个元素是0x060A01AA,存储到flash中,从低地址到高地址依次为0xAA0x010x0A0x06。也就是高地址放高字节,低地址放低字节。
对程序进行仿真,也可以查看:
在这里插入图片描述
更多attribute的用法:C语言__attribute__的使用

三、遇到的问题

warning: unknown attribute ‘at’ ignored

在这里插入图片描述
发现有警告:warning: unknown attribute ‘at’ ignored。这时候编译出来的bin文件也没有变化,没有起作用。原因是使用了6.16编译器:
在这里插入图片描述

解决办法

在Keil5使用AC6编译(点击进入)一文可以看出,需要使用section定义:
在这里插入图片描述
警告消除,编译后发现没有生成bin文件,而是生成了bin文件夹:
在这里插入图片描述
搜索了下:

这种情况一般是我们的程序里使用了 “attribute” 等命令来指定某些变量到指定的ROM地址中, 而这个地址又刚好不是我们的工程程序所在的ROM地址区域(参考链接

我这里正好地址写错了,原本想指定到0x080087F0,漏写了一位8,变成了0x08007F0。更正后,生成一个bin文件。

const unsigned char FW_VERSION_NAME[10] __attribute__((section(".ARM.__at_0x080087F0"))) = "CHARGEBOX";
const unsigned short FW_VERSION __attribute__((section(".ARM.__at_0x080087FC"))) = {0x0309};

编译后和之前的bin文件对比,可以看到:
在这里插入图片描述
有CHARGEBOX,位置是在6FF0,而APP程序的其实地址是1800:
在这里插入图片描述
这样6FF0 + 1800也就是 87F0。不过指定地址后,并不是一直填充00到指定位置,然后写入数据。查看map文件也可以看到程序大小已经超出了28K:

合理调整位置

所以要合理调整位置

const unsigned char FW_VERSION_NAME[10] __attribute__((section(".ARM.__at_0x08002802"))) = "CHARGEBOX";
const unsigned short FW_VERSION __attribute__((section(".ARM.__at_0x08002800"))) = {0x0309};

在这里插入图片描述

STM32微控制器上,如果你想要动态修改数组的内容并将其实时更新到Flash存储中,通常需要通过以下几个步骤来实现: 1. **内存区划分**:首先,你需要确保有足够的RAM空间来临时存放修改后的数据,因为直接对Flash进行写入速度慢且操作复杂。 2. **读取数据**:从Flash中读取原始数组内容到RAM中。你可以使用STM32提供的Flash读取函数(如`HAL_FLASH_Read`)来完成这个过程。 3. **修改数组**:在RAM中对数组进行所需的修改。 4. **缓冲区**:为了止频繁地直接写Flash,可以先将修改后的数据暂存在缓冲区中。 5. **写回Flash**:当所有修改完成后,使用STM32Flash写入函数(如`HAL_FLASH_Write`)将缓冲区的数据刷回到Flash。记得每次写入前要确保缓冲区的数据已经完全更新完毕,而且写操作可能需要分块进行,以超过Flash的单次写入容量。 6. **同步操作**:考虑到Flash操作可能会有延迟,可能需要添加适当的同步机制,比如使用中断、延时或者其他同步手段,确保数据一致性。 7. **错误处理**:在写入过程中,要检查写操作是否成功,并处理可能出现的错误。 **示例代码片段**(仅作示意,实际编程可能需要使用具体的STM32 HAL库): ```c // 假设我们有一个在Flash中的数组 uint8_t flashArray[ARRAY_SIZE] __attribute__((section(".flash"))); void updateArray() { uint8_t ramArray[ARRAY_SIZE]; // 读取Flash到RAM HAL_FLASH_Read(&hfl闪闪盘, (uint8_t*)ramArray, sizeof(ramArray)); // 修改RAM数组 for (int i = 0; i < ARRAY_SIZE; i++) { ramArray[i]++; } // 写回Flash uint8_t buffer[ARRAY_SIZE]; memcpy(buffer, ramArray, sizeof(buffer)); HAL_FLASH_Write(&hfl闪闪盘, (uint8_t*)flashArray, sizeof(buffer)); // 添加同步处理... } ```
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