过压保护电路设计介绍

1. 设计思路

过压保护顾名思义就是电压超限后对负载电路的保护，过压保护电路最直接的方式就是在电压的路径上增加一个开关（MOSFET、Triode）；三极管的导通电阻稍微大了点，MOSDET做开关速度比较快，导通电流比较大，是最佳选择。
接下来我们通过电压的大小去控制这个MOSFET的导通就能够完成这个过压电路的设计了，当电压超过一定幅值的时候关闭这个MOSFET，就可以实现对负载的保护了。

2. 电路设计

下图设计的输入截止电压为5.5V。

2.1 导通电路分析

当输入的电压小于5.5V时：

1. U2的Vs端电压为：Vs < 5.5 * 10 / (10 + 12) = 2.5V, 即Vs < 2.5V, 达不到U3的导通条件（这里的设计忽略了U3的放大区，在设计时需要留出TL341的导通余量，关于TL431的使用介绍，请参考: https://blog.csdn.net/uyoev123abc/article/details/134749364?spm=1001.2014.3001.5502），Vk断路悬空;
2. PNP三极管D7基极为5V，D8关断；
3. Q1栅极低于5V，Q1导通，SL3401过4.1A，耐压30V，选型时请注意。

2.2 关断电路分析

当输入的电压大于5.5V时：

1. U3的Vs端>2.5V, U3的Vk端与VA端导通，VK端被拉低至0V；
2. PNP三极管D7基极为0V，D7导通；
3. Q1栅极为>5.5V的高电平，Q1关断，电路输出关断。