过压保护电路设计学习笔记

由于目前所设计的产品呢无法实现过压保护，特意学习过压保护设计，其过压保护电路设计有以下几种：

1. 利用稳压二极管的击穿特性，设计的过压保护电路

1.1 电路实现原理如下：

        当 Vin 电压输入正常范围时，稳压二极管 D1 没有被击穿，，未进入稳压状态。流过电阻R1，R1的电流基本为0。三极管Q2的Vbe=0，此时Q2处于截止状态。MOS管Q1的Vgs由电阻R3，R4分压决定，PMOS管导通，即电源正常工作。

        当Vin输入大于正常输入电压，此时输入电压Vin>Vbr，稳压二极管被击穿，其上电压为Vbr。三极管Q2导通，Vce≈0，因此Q1的Vgs≈0，mos管关闭，电源电路断开，从而实现过压保护。

1.2 说明：

a、电路本身具有通用性，可以根据具体电路选择稳压二极管D1及R1的值，R1选取要注意，不能让流过D1的电流低于起稳定电流Iz，否则可能导致管子的稳定性能变差；

b、R3、R4要根据选取的mos管的Vgs来具体做调整，此处电路还有个风险，输入电压过大时可能会把mos管栅源击穿，可以考虑给栅源极加上一稳压二极管，用以保护Q1栅极。

2. 利用稳压芯片LM431做过压欠压保护电路，其典型电路如下： 

        输入电压高于high limit时，左边LM431的输出三级管导通，导致右边的LM431输出三极管截止࿰