STM32CubeIDE中STM32F105的FLASH操作方法

1. 说明

本文使用的芯片型号为：STM32F105RBT6，FLASH大小128KB, 如果使用STM32F105RCT6，则FLASH为256KB，增加一个128KB的FLASH页。

2. FLASH地址判断

第0页起始地址 0x08000000 //16K
第1页起始地址 0x08004000 //16K
第2页起始地址 0x08008000 //16K
第3页起始地址 0x0800C000 //16K
第4页起始地址 0x08010000 //16K
第4页最终地址 0x0801FFFF // 64K

共计128KB。

/*以下为单页写入，注意不要产出页范围*/
uint32_t FLASH_WAITETIME = 1000;  //FLASH写入超时时间
void STMFLASH_Write_Halfword(uint32_t WriteAddr, uint8_t *pBuffer) //写入1个字节
{
	//定义各种变量
	FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;        //擦除结构体
	HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;    //状态指示
	uint32_t SectorError=0;
	//解锁FLASH
	HAL_FLASH_Unlock();
	//判断地址合法
	if(WriteAddr<0X1FFF0000)
	{
		//初始化擦除变量
		FlashEraseInit.TypeErase= FLASH_TYPEERASE_PAGES;  //擦除类型 按页擦除
		FlashEraseInit.Banks = FLASH_BANK_1;  //批量擦除
		FlashEraseInit.NbPages=1;   //要擦除的页面数量
		FlashEraseInit.PageAddress = ADDR_FLASH_SERTOR_4;   //擦除页面 
		if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
		{
			printf("Erase failed! \r\n");
		}
		//FLASH操作是否完成
		FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            //
		if(FlashStatus==HAL_OK)
		{
				//写操作，按半字16位写入，F105最小的就是半字，不能写入单字节
				if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, WriteAddr, *pBuffer)!=HAL_OK)//
				{
					printf("write failed! \r\n");
				}
				else
				{
					printf("write successed! \r\n");
				}
		}
		else
		{

		}
		//FLASH上锁
		HAL_FLASH_Lock();           //
	}
}

3. 读取

/*
 * 读取  16位
 * faddr - 地址
 * */
uint16_t STMFLASH_ReadHalfword(uint32_t faddr)
{
	return *(__IO uint16_t*)faddr;
}