[SSD NAND 8.1] NAND FLASH特性串烧 | 不了解闪存特性，你能用好闪存产品吗？

已于 2023-11-12 23:41:39 修改
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文章标签： 固态硬盘 运维 嵌入式硬件 SSD Flash
于 2023-03-11 00:43:48 首次发布
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NAND Flash
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本文介绍了闪存的特性，包括SSD的运作原理，如Flash Memory的工作方式、读写限制、寿命问题以及磨损均衡机制。此外，讨论了SLC、MLC、TLC和QLC之间的差异，强调了闪存的性能优势和挑战，并提出了针对闪存劣势的解决方案。
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内容摘要

一．闪存的特性

二. 闪存的劣势及其解决机制

前言

为了利用好闪存， 发挥闪存的优势， 以达到更好的性能和使用寿命， 那自然要求了解闪存特性。 闪存作为一种相对较新的存储介质， 有很多特别的特性。

一．闪存的特性

凡是采用Flash Memory的存储设备

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[SSD NAND 4.1] Flash（闪存）存储器底层原理 | 闪存存储器重要参数
串起点滴
02-02 2611
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东芝大容量NAND闪存可用于固态硬盘产品
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03-22 1948
当栅极(Gate)和P型衬底接通电源时，因为电场的缘故，P型半导体中的电子都往氧化绝缘层靠近，当绝缘层附近的电子足够多时，两个N型半导体之间的电子通道(N沟道)就形成了，两个N型半导体和中间的电子通道相当于一整个N型半导体。读0和读1会有两个阈值电压，先在栅极施加读0的阈值电压，检测是否导通，如果导通，输出1，结束。擦除之后读，因为浮栅层的电子全部释放回了P型半导体中，这时在控制栅加10V电压，P型半导体中的电子会聚集到N型半导体之间形成电子通道，源极和漏极之间接上电源，会导通，此时表示读到‘1’。
嵌入式系统/ARM技术中的东芝将投产配备32nm工艺NAND闪存的SSD
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11-28
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09-22
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11-30
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NAND Flash学习总结
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