本文介绍了NAND Flash的多平面读取（Multi Plane Read）原理，详细阐述了闪存交错读时序（Interleave Read），探讨了如何通过并发操作提升存储系统的性能。内容涉及地址映射、命令序列、状态寄存器以及如何利用芯片内部并发单元优化IO性能。
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专栏 《深入理解NAND Flash》
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全文 5200 字。
内容摘要
Multi Plane Read Operation
Check Multi Plane Operation Status
Multi Plane Change Read Column Enhanced (06h-E0h)
Interleave Read
在设计闪存存储系统的时候，特别是在设计NAND Flash控制器、SSD盘或者卡的时候，都需要深入了解NAND Flash的操作方法、接口命令及其时序。
每个NAND Flash的逻辑单元LUN（图中Chip）都被划分为多个物理planes，以前常见的每个LUN有2个plane，现在常见的是4个plane&#
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