[SSD NAND 7.4] 闪存操作性能优化方向？NAND Interleave Read（闪存交错读） 并发原理与实战?

已于 2023-11-12 23:40:56 修改
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于 2023-03-25 17:59:07 首次发布
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交错读(Interleave Read)是提高NAND闪存性能的一种技术，允许在同一通道内的不同Die之间进行并行操作，从而最大化通道利用率。通过交错读，当一个NAND Die忙碌时，主控可以访问同一通道上的其他Die，提高读取速度。相比于多平面读写，Interleave Read的实现更为简单，对闪存系统的要求更低，且无特定地址限制。
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内容摘要

Interleave 是什么？

InterLeave Read

随着各种电子设备的普及，以NAND闪存为介质的数据存储器已非常普及，需求的容量也在大幅增加，如果不能改变NAND 型号，就无法提高单个NAND Die 的容量，那提高容量的方法便是将多片同型号的NAND闪存 Die进行类似串联、并联的连接来提高容量。

容量增加的同时速度的重要性也凸显出来。在基础技术中，对闪存进行访问时，比如需要写入两页数据时，需要在第一页数据写完后才能继续写第二页数据，需要一定的等待时间，访问速度受到制约。为了提高NAND闪存的性能，旨在提高闪存介质芯片数据读写速度的技术也不断更新，出现了一些高级技术比如多平面读写技术Multiplane、交错读写技术interleave等。[3] 本节我们一起来体会下交错读的原理和实现。

Interleave 是什

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MangoPapa
09-01 2613
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05-31
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jiankun_wang的专栏
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[SSD NAND 6.4] NAND FLASH基本读操作及原理_NAND FLASH Read Operation源码实现
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