STM32CubeIDE用Flash模拟Eeprom

目录

一、简介

1.1、开发环境

1.2、实现功能

二、擦除Flash页

三、写字节到Flash

四、从Flash读字节

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一、简介

1.1、开发环境

STM32CubeIDE V1.9。

1.2、实现功能

使用STM32的Flash模拟Eeprom，实现断电存储；包含擦除Flash页、写字节到Flash和从Flash读字节。

二、擦除Flash页

芯片的Flash为64K，最后一页Flash的首地址为0x0x0800FC00。

#define FLASH_FOR_EEPROM_ADDRESS		0x0800FC00

擦除Flash页。

void ErasureFlashPage()
{
	FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit;

	HAL_FLASH_Unlock();										//解锁FLASH

	pEraseInit.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;			//定义擦除页
	pEraseInit.PageAddress = FLASH_FOR_EEPROM_ADDRESS;  	//定义擦除首地址
	pEraseInit.NbPages = 1;  								//定义擦除页面数 - 页 = 1024byte

	HAL_FLASHEx_Erase(&pEraseInit, NULL);					//擦除

	HAL_FLASH_Lock();										//锁定FLASH
}

三、写字节到Flash

void ProgramByteToFlash(uint32_t address,uint16_t data)
{
	HAL_FLASH_Unlock();										//解锁FLASH

	HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, address, ~data);		//写入数据

	HAL_FLASH_Lock();										//锁定FLASH
}

四、从Flash读字节

uint16_t ReadByteFromFlash(uint32_t address)
{
	uint16_t read_buffer = 0;

	read_buffer = *(__IO uint16_t*)(address);
	read_buffer = ~read_buffer;

	return read_buffer;
}