低成本MOS管下管驱动电路原理分析

一、单个三极管方式：

DRV低电平时，Q２断开输出V＋电平；DRV高电平时，Q２导通输电低电平。这种输出高电平是通过R１实现的，驱动能力较差。输出低电平的能力较强。

二、２个三极管方式：

Q3基极高时：Q1基极被拉低而关断，通过D6把Q2栅极拉低。
Q3基极低时：因R5的上拦使Q1基极被拉高而导通，把Q2栅极拉高。

上面这种省个三极管，其输出低电平的效果不如下这个。

三、３个三极管方式：

上面３种电路：越是前面的成本越低，效果也越差；越是后面的效果越好，成本也越高。不过总体上成本还是可以接受的。