该文详细解析了一个低边MOS管驱动器的工作原理，特别指出MOS管从截止到导通的时间较长，这与结电容充电有关。通过Q3的电平转换和Q1Q2的射极输出器实现电压驱动，并在输出端加电阻以防止意外。控制电压的阶跃变化是由于Q3截止后的偏置电压馈电导致的。优化策略包括减小R1以缩短导通时间，但需考虑驱动源的拉电流能力限制。
MOS需要工作在开关状态，希望尽可能快地关闭，尽可能快地打开。因为在打开或关闭的过程中，MOS管上会有功耗。虽然MOS是电压驱动，但栅源之间有较大的结电容。在打开时，需要大的充电电流，截止时需要大的放电电流。因此需要有低阻抗的充电和放电通路。
方框中的电路构成一个低边MOS管驱动器，输入端由Q3及外围使用共基极接构成电平转换电路，从⑤处接受控制输入，控制输入可以由MCU产生。将输入的3V数字量转换成输出12V数字量。由Q1 Q2属于互补的射极输出器，不存在Q1 Q2同时导通短路电源的问题。为防止意外，在输出端串电阻是保险的做法。
MOS从截止到导通需要的时间比从导通到截止时间要长一些。减小R1可以缩短截止到导通的时间。但并不是无限制的，因为驱动源的拉电流能力有限。
当控制电压由低变高时，栅极电压开始时有一个3V的台阶，分析认为是Q3截止后，3.3偏置电压经过BC结馈电引起的。
也不知道这篇文章是写什么的，就想分享给大家了。
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