stm32h743 内部FLASH存储数据及常用存储设备分析

*闪存编程位数256为，即32字节；

*写入一个字节，剩下31个字节将不能再写入，实测写入一个字节，后面31个字节，内容随机，多数为0；

*一次需写入32个字节，读取一样，不够32字节，可以将不够的区间设置为0。

*块比较大，有128KB，写入内容后，若检测后面地址有之前写的，需要擦除整个BLOCK

总结：STM32H743内部FLASH的使用灵活性，没有外部norflash好用。

*NANDFLASH

总体评价，逐渐没落，逐渐被替代

原因：使用一般需配合FATFS，要自己处理磨损均衡问题，block 显示擦除等需要操心；

linux操作系统上，cortex-a芯片看不上它，一般适配EMMC，上面说的问题，内置的EMMC控制器帮处理了；

低端MCU：华邦的norflash 一般就够用，QSPI操作起来也不复杂，按字节写，可以开辟缓存空间，存储block数据；再不济，用EEPROM，没擦除的概念，直接往指定地址写，注意不要超容量范围即可，否则又从头开始了（页写），EEPROM又有一种升级货，铁电，价格上自然贵些；

*nandflash 大容量存储的，MCU应用场景的新秀，SDnand，有EMMC的优势。

以上存储设备，需注意意外断电，尤其在写操作，擦除操作，更新物理逻辑表时，可能造成数据丢失，甚至芯片损坏。

解决办法：超级电容做后备电池，容量，电池均衡，掉电检测。