STM32 读写内部FLASH 基本步骤

最新推荐文章于 2024-05-02 15:43:06 发布
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STM32 读写内部FLASH

1.读写步骤

​ （1）解锁

​ （2）清除标志位–即解除读写保护

​ （3）擦除指定页

​    [1]擦除指定页时应注意擦除的位置

​    [2]双击工程将会打开一个 ”xxx.map“的文件

​    [3]将页面拉到最后找到下图位置，”6016“即你的代码 占用的空间

在这里插入图片描述

​    [4] 将基地址加上 代码占用的空间 如STM32 的基地址为0x80000000 所以 0x80000000+ 0x1780(1780是6016转化成十六进制的数)，后面的地址即为没有用的空间

​    [5]将算出来的地址 对照 ”STM32F10xxx闪存编程“ 手册 找到闪存模块组织 里面主存储器，看后面”页“对应的地址范围 选择没有用到的页范围，最为擦除页的地址

​ （4）写入数据

​ （5）上锁

没有钱的钱仔
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默认情况下，FLASH_OPTCR 寄存器中的第 0 位 OPTLOCK 值为 1，它表示选项字节被上锁，需要解锁后才能进行修改，当寄存器的值设置完成后，对 FLASH_OPTCR 寄存器中的第 1 位 OPTSTRT值设置为 1，硬件就会擦除选项字节扇区的内容，并把 FLASH_OPTCR/1 寄存器中包含的值写入到选项字节。修改选项字节的内容可修改各种配置，但是，当应用程序运行时，无法直接通过选项字节的地址改写它们的内容，例如，接使用指针操作地址 0x1FFFC0000 的修改是无效的。........
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