低功耗RC启动电路时间常数计算

最新推荐文章于 2024-09-01 15:52:47 发布
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背景

在下图中的软开关电路，如果将开关改为短接，即通过电阻R8给电容C4充电来使得电路打开：
在这里插入图片描述
由于Q4开启电压为0.6V，则C4上端为0.6V时会打开。

模型

有以下数学模型：
在这里插入图片描述
对公式做变形，我们可以得到：

t=-RC*ln(1 - Uc/E)

我们参数E为8.4V，Uc为0.6V，则：
t=2.64*RC

RC串联延时电路电容充电时间计算
Naisu的各种笔记
07-16 4万+
在电路设计中经常会用到将电阻和电容正极连接，电阻另一端接上电源，电容负极接地。电阻和电容连接点为功能点，常用于延时驱动晶体管或是使能IC。 根据系统设计意图，可能需要计算R和C的取值，或是在确定RC的情况下计算Vout的上升时间 电容充电时间 。 充电时间 T = - ln ( ( VCC - Vout ) / VCC ) * R * C 上面公式中各参数单位如下： 时间单位：s 电...
RC充电计算
shenlei314的专栏
11-24 5572
RC充电电路-简单的。         RC充点电电路，当S和A相连的时候充电，当S和B相连的时候，电容放点   RC电路的时间常数：τ=RC  充电时，uc=U×[1-e^(-t/τ)]　　U是电源电压（上面的VCC） ； 放电时，uc=Uo×e^(-t/τ)　　　Uo是放电前电容上电压 其中放电时候uc为最后放电到的电压，Uo为电容放点前电压，即放电到uc电压需要时间t
RC电路中电阻消耗的功率计算与仿真
shunyuzhan的博客
04-03 4174
经常在一些电源电路中看到RC电路，储能或者吸收能量，但是电阻上消耗的能量到底是多少，其实很少关注。在一些需要关注效率的场合，同样需要关注电阻的消耗。RC电路比较简单，充放电曲线也比较熟悉，理论推导其实并不是很简单。这里大致参照参考资料进行简单梳理。根据仿真结果，电容上的能量与电阻消耗能量仿真数值极为接近，可以认为一致，与理论分析预期相同。在电容完全充电后电阻上的损耗能量就是电容储存的能量。
RC电路R的发热量计算
weixin_44236371的博客
12-23 3065
如图给RC电路提供上升时间为t0的“阶跃信号”Vin，算整个过程R的发热量是多少？ 以下将用拉普拉斯变换的方法来计算。 用到的知识点： 1、 2、 3、 4、 计算如下： ...
[硬件杂谈]RC延时电路计算公式
MIAOXIAO77的博客
08-29 5771
介绍了RC延时电路
DC-DC电路设计使用RC延时启动
weixin_47116783的博客
08-15 1904
*结论：**DC-DC电路中使用RC延时可以比较准确的对输出电压做延时处理，可以很容易的设计自己需要的DC-DC输出时序控制电路，希望这个测试能对DC-DC电路设计的人带来一点帮助！
电路分析进阶必备：RC时间常数计算的终极技巧
文章从RC电路的时间常数定义与计算公式出发，探讨了电阻和电容如何影响时间常数，并通过实例讲解了时间常数的计算方法。进一步地，文章分析了时间常数在电路响应时间特性、波形分析及滤波器设计中的应用。最后，介绍...
RC电路时间常数实验：从理论到实践的全方位透视
本文首先介绍了RC电路时间常数的基础理论和数学模型，阐释了时间常数的定义、计算方法及其对电路行为的影响。随后，详细探讨了RC电路时间常数的实验设置、测量方法以及实验误差的分析与控制。通过对实际案例的研究，...
RC电路时间常数对电源管理的影响：优化策略全解析
本文全面探讨了RC电路时间常数的基础知识及其在电源管理中的关键作用。通过对电源管理目标、电路响应、电源稳定性和效率的分析，阐述了时间常数对电源性能的多方面影响。重点介绍了时间常数的理论计算、实际估算以及...
RC电路（一）：微分|积分
既有随处可栖的江湖，也有追风逐梦的骁勇！
02-27 9092
的取值不同，会导致输出波形和输入波形之间的关系也不同，由此也会产生不同的应用。输出为0，随着电容充满电，运放-输入端得到的分压为正最大值，可等效成一个电压源，且电压不可突变，此时电流反向为最大值，开始充电时的容抗为0，电压不可突变则电压差为0，运放。开始充电时的容抗为0，电压不可突变则电压差为0，运放。输入端得到的分压也不可突变，随着电容放完电，于是。，因电容上电压不能突变(来不及充电，相当于短路，由上分析可得积分运算电路中，输出为运放的负最大峰值，随着电容充满电，输出为运放的正最大峰值，随着电容放完电，
RC电路深度剖析：时间常数揭示电路响应的真相
本文首先介绍RC电路的基本概念、构成以及理论分析，涵盖了电阻器和电容器的特性、RC电路的基本方程与时间常数，以及瞬态响应过程。随后，本文深入探讨了RC电路在信号处理、定时延迟和功率控制等实际应用中的角色。...
启动电路
dianji2015_的博客
03-23 5987
启动电路1.启动电路概述1.1 简介1.2 分类2. 基本原理 1.启动电路概述 1.1 简介 现在的开关电源往往有控制芯片，控制芯片的作用是产生脉冲，使得主电路工作。但是控制芯片的启动需要供电，这里供电的来源就是一个问题了。要是不担心体积庞大，可以从输入电设计一路单独的供电电路，要想减小体积，就需要考虑如何自给自足给自己供电了。 1.2 分类 主要有以下几种。 （1）RC启动电路。 RC启动电路是最简单的。取电来自于输入母线。RC的乘积决定了启动的时间，启动电阻越小，峰值电流越大。但此电路的缺点是电阻一
单片机按键软开关：1个引脚实现单片机低电量自己控制给自己断电
天城电子嵌入式的博客
06-08 3276
类似于手机的开机按键，我们希望在单片机电路上也能实现类似的低电量自动关机、通过按键而不是自锁开关来上电开机。
UC3842开关电源的启动电路分受控核不受控两种
二进制模----细微行动改变影响世界
09-01 1246
当UC3842启动后，开关电源工作，开关变压器T901的［6］—［7］脚感应的脉冲（叠加有+300V直流）经VD910、C915对整流滤波，经R927加到VT912的基极，导致VT912截止，启动电路关断。这里想说下，正激拓扑VCC的形式最好用正激，用反激的话，随负载的变化，Vcc变化大，而且如果加续流二极管和电感，随负载变化也大（当然由输入输出公式，这种情况下反激的变化没有正激大）。相比于上面的电路，增加了R1,D2，C2,作用是保证RC启动时，启动时间短，而辅助绕组代替时，电压稳。取电来自于输入母线。
一键开关机电路
Hali_Botebie的博客
03-17 3067
文章目录普通软开关关机功耗为0的软开关开机过程按键过程关机过程问题：开关专用控制器 普通软开关 用控制器了，纯软件方法，只需要一个io，硬件也只需要一个按键和一个电阻。 软件关机就可以了，就像手机一样，关机就是进掉电模式 。 关机功耗为0的软开关 原理其实很简单，就是通过控制PMOS Q2的通断来实现的，当按键KEY1按下的时候，PMOS Q2导通，之后控制Q1导通，就可以实现PMOS一直导通，...
单片机低功耗设计电路
ZF
06-09 704
当开机按键按下时，Q6导通，Q4导通 单片机得电；当开机按键松开时，Q6截止，Q4截止 单片机掉电；当Vbus这里有电接入时，Q8导通，Q4导通 单片机得电；在电池类的单片机项目里面经常要涉及到整机功耗问题，这里提供一个常用的方式。这样可以彻底断开电源供电，达到长时间待机需求。要保持单片机一直有电，就得开机之后程序里面把自锁/开关引脚设置为高电平，这样的话，Q7导通，Q4也跟着导通，单片机就一直有电。单片机程序中将自锁/开关引脚设置为低电平，Q7截止，Q4也跟着截止，单片机掉电；
低通滤波器计算截止评率_技术货：滤波器带宽及对应RC的计算
weixin_39614704的博客
11-15 2554
1、中心频率对应的时间常数转折频率相同的高、低通滤波器合成带通电路，高低通的转折频率都在同一点，该频率的信号幅度在传输过程被高低通虽然衰减3+3dB，但是在uo输出幅度最大，也是中心频率点(如下红点)，即fc=fo=1/2RC。移项得电阻电容计算式R=1/2fcC和C=1/2fcR。例如中心频率fc=100KHz，则R=1.592K，C=1nf。2、通频带对应的时间常数fc=fo=1/2R...
RC电路分析计算
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weixin_38486204的博客
02-02 4万+
RC电路有一个电容和一个电阻组成，可以是并联或者串联，可用作滤波，移相等。下面以RC串联电路为例计算分析电路的电流电压特性和频率特性。 RC串联电路 如上图所示，假设RC电路电源电压为Us，电容大小为C，电容两端电压为Uc，电阻大小为R，电阻两端电压为Ur，流过电阻的电流为i，可以建立如下的方程： 求解上面的方程可以得到： 这是一个一阶非齐次线性微分方程，假设它齐次方程的通解为U...
RC电路计算(含微分、积分电路)
让你爱上电路设计
04-10 7376
本文详细介绍了RC电路的充放电原理、阻容降压电路的设计与计算，包括全波和半波整流电路。同时，探讨了RC电路在微分和积分电路中的作用，解析了无源RC频率特性和零点与极点概念，是理解RC电路不可或缺的参考资料。
MOS并联RC缓冲电路计算
最新发布
12-28
### MOS并联RC缓冲电路计算方法 在设计MOS管驱动电路时，为了减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI)，通常会在MOS管上并联一个RC缓冲网络。该网络的作用是在MOS管快速切换过程中吸收能量，从而保护器件免受过压损害。 #### RC缓冲电路的工作原理 当MOS管关闭瞬间，由于寄生电感的影响会产生较高的di/dt，这可能导致严重的电压瞬变。通过引入电阻R和电容C来形成RC回路，可以在一定程度上抑制这种现象的发生。具体来说，在MOS管导通期间，电容器被充电；而在关断时刻，则释放存储的能量给电阻发热消耗掉[^3]。 #### 参数选择原则 对于RC元件的选择主要考虑以下几个方面： - **时间常数匹配**：理想情况下，应使得RC的时间常数值接近于或稍大于预期的电流变化率(di/dt)所对应的时间尺度。这样可以有效地平滑过渡期内可能出现的最大峰值电压。 - **功率损耗控制**：考虑到实际应用中RC组件本身也会带来额外功耗，因此需权衡其大小以确保整体效率不受太大影响。一般建议选取较低阻值但能承受足够浪涌电流能力的电阻以及具有较大耐压特性的陶瓷或其他类型的高频性能良好的电容。 #### 计算公式推导 假设已知条件如下： - Vds_max 表示最大漏源极间工作电压； - Ids_rms 是流经MOSFET的有效值电流； - Lstray 代表线路杂散电感量； - dv/dt 指的是电压上升速率。 那么可以根据下述关系式估算所需参数： \[ C \geqslant \frac{L_{\text {stray}}}{V_{d s}(\max ) / d v / dt } \] 其中\( C \)为最小推荐使用的电容量。至于配套使用的限流电阻 \( R \), 则可通过下面的经验法则获得: \[ P_R=\left(I_d s(r m s)\right)^2 * R \leq P_{D(max)} \] 这里PD(max)表示允许的最大连续功耗限额。由此可解得合适的电阻取值范围。 ```python def calculate_rc_buffer(Vds_max, ids_rms, L_stray, dv_dt, PD_max): """ Calculate the minimum capacitance and resistance value for an RC snubber circuit. Parameters: Vds_max (float): Maximum drain-source voltage of the MOSFET. ids_rms (float): RMS current flowing through the MOSFET. L_stray (float): Stray inductance present on the PCB traces/wires. dv_dt (float): Rate of change of voltage across the MOSFET during switching. PD_max (float): Maximum allowable power dissipation by resistor. Returns: tuple: A pair containing calculated capacitor(C) and resistor(R). """ import math # Calculating Capacitance based on stray inductance & maximum expected di/dv ratio C_min = L_stray / ((Vds_max / dv_dt)) # Estimating Resistance using Power Dissipation constraint R_range_start = (ids_rms)**2 * (((Vds_max)**2)/(8*PD_max))**(0.5) R_range_end = (ids_rms)**2 * ((((Vds_max)**2)/((dv_dt*L_stray)))**(0.5)) return round(C_min,9), f"{round(R_range_start,2)}Ω to {round(R_range_end,2)}Ω" ```
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