如何计算交点画圆_如何从紫外可见漫反射光谱得到半导体的禁带宽度？

对于做半导体材料和光催化的同学来说，带隙是重要的参数，一般用紫外漫反射光谱来计算。所以从UV-vis DRS谱图得到半导体的禁带宽度，这个技能应该是必须要掌握的。方法有两种，切线法和Tauc plot法。如果粗略计算的话，可以采用切线法，但是相对来说，Tauc plot法更加准确，用的更多些。

切线法

基本原理是存在Eg =1240/λg 的数量关系，其中λg单位为nm，Eg单位为eV，认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度Eg。因此，可以通过求取λg来得到Eg。

具体操作：1. 一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，打开数据导入origin，生成散点图；

2. 在Origin中，通过微分的方法找极值点：分析Analysis - 数学Mathematics - 微分Differentiate对紫外吸收光谱图求一次微分，并找到极值点，记录下来；

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