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对于半导体材料,知道了价带信息(如何得到价带信息1,2),再用紫外可见漫反射光谱算出禁带宽度,即可算出导带,计算如下,本文所用数据请后台回复数据20获取。
禁带宽度计算公式如下:
( αhv)1/m=B(hν-Eg) 直接带隙:m=1/2 间接带隙:m=2 α为吸收系数,B为常数,hv为光子能量,h 为普朗克常数=4.1356676969×10-15 eV·s,ν 为入射光子频率,Eg表示半导体禁带宽度(带隙) |
一般得到半导体带宽有两种办法;
如果粗略计算的话,可以采用切线法,下次介绍Tauc plot法,相对来说,Tauc plot法用的更多,也更准确。
切线法中Eg(eV)=1240/λg,其中λg单位nm,主要的办法就是之前介绍的切线工具:
1.打开数据导入origin(软件下载),选中数据生成散点图:
2.点击右侧的tangent,按图生成切线;
3.左右移动竖线调整切线的位置,因为点比较密集,这种办法比较随意,误差较大,根据图上的切线方程,假定y=0,即可求出λg,也可以用左侧的屏幕读取工具查看切线与X轴的交点,将此数值带入Eg(eV)=1240/λg即可算出Eg;
4.因为点比较密集,上述方法比较随意,可以通过微分的方法做比较准确的切线位置,按图微分操作:
5.选中第一列和第三列,生成散点图,点击屏幕读取工具,确定Y轴最小的地方的X值,记下来,然后在紫外吸收光谱中做这个点的切线;
6.下次将介绍使用较多的Tauc plot法。
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