禁带宽度，带隙相关知识

整理一下，方便自己的理解！！！
参考：知乎1&知乎2&知乎3

1.引言

们知道每种原子的电子绕核运动，同时这种绕核运动有不同的轨道结构。一个原子的最外一层电子轨道称为价电壳层（该轨道内侧可能还有其他电子轨道），电子在价电层中运动时不导电（无法脱离绕核轨道），而当电子脱离价电层成为自由电子后就能传导电流。

以单个锂原子为例，最外层1个电子，称为价电子，价电子在轨道上绕核运动不导电，脱离轨道后成为自由电子导电：

许多原子结合成固态材料时，不同原子的电子轨道会相互重叠形成所谓的能带，能带包括价带和导带，导带中的电子相对自由地在固态材料中运动，当施加外部电场时导带电子可以导电；价带电子受原子核束缚无法自由移动，不能导电。

简单理解，价带、导带是微观原子的价电壳层、自由电子在宏观固态材料上的对应概念。

2.禁带宽度

禁带宽度（Band gap），符号为Eg；导带的最低能级和价带的最高能级之间的能。

由于价带能级较低，所以电子大部分停留在价带中。所以一般价带主要是空穴，不导电，而导带电子可以移动，导电。

禁带宽度就是导带与价带之间的间隔，这个间隔就是电子跃迁的一个间隔。

价带中被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，电子从价带顶（Ev）到达导带底所需要的这个能量就是禁带宽度Eg

金属的导带和价带相互重叠，或者仅有很窄的禁带，这类金属的禁带窄到价带电子可以在室温下越过禁带进入导带。而玻璃、塑料等材料的禁带大到电子无法越过，因此导带中电子极少，从而导电性很差（导体和绝缘体并非绝对概念，只是导电性的相对强弱）。换言之，禁带宽度代表了价带电子要进入导带成为自由电子必须额外获取的能量，禁带越宽，所需额外能量越大，跃迁难度越大。

半导体的禁带宽度一般是在3eV以下，电子易获得能量从满带跃迁到空带，电导增大；
绝缘体一般是5eV以上，电子不容易跃迁到空带，因此通常不能导电，可看出，禁带宽度越小导电性能是越好的；

3.宽禁带半导体

首先：半导体之所以称为半导体，当然是因为他本身不导电，但是在一定的状况下，就可以导电。这就需要掺杂。对于一个碳或者硅，是四族元素IV A，(见附录)，他们可以和旁边的四个原子，通过价键连接起来，成为晶体。如果特别纯，那么这就不是导体。

例如金刚石和纯的硅，都不是导体。但是如果掺入了五族元素 V A，例如磷或砷，磷最外层有五个电子，它用四个和周围的硅连接起来了，但是多出一个电子，这个电子就没有处于价态中，于是就提供了自由电子，这种材料称为N型。同理，如果掺入三族元素III A，例如硼或铝，那么他和周围的硅连起来后，还差一个电子，于是就提供一个空穴，这个空穴就需要电子填满，这种材料称为P型。图中的圆圈是原子，没标明的都是硅，一条横线代表一个价键，即一个电子。

对于一个半导体，我们想要的是，它的掺杂元素能够导通，而不是半导体本来的元素本身完全导通。 例如，如果硅完全导通，意味着价键中的电子全部成为自由电子，因此化学键就破裂了，材料本身就变性了。表现在外，就是材料本身被击穿了。这种击穿是不可逆的，因为一旦化学键破裂，就会和环境中的其他原子，例如氧，形成新的化学键，就不再是晶体了。我们需要它本身仍然能够维持着原来的状态，因此，我们想要它的禁带足够宽。越宽，意味着这个材料本身越难成为导体，于是可以承受的电压就越高。

4.直接带隙和间接带隙

直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置，价带电子跃迁到导带不需要声子的参与，只需要吸收能量。

间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

两者的区别是：
直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的，而间接带隙的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底，两者的跃迁方式如图所示。

这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉，从能量利用的角度上来说，直接带隙的半导体对光的利用率更好。对于材料属于哪种类型的半导体各位读者可以找资料查阅，常见的半导体材料比如GaAs、InP等属于直接带隙半导体,而Si、Ge等属于间接带隙半导体。

5.其他知识

5.1 导带、价带、禁带、允带都是什么逻辑关系？

5.2 T2SL理论图

附录 元素周期表

可以看到元素是那一族的！